化學(xué)氣相沉積鍺銻碲化物相變存儲器的商業(yè)化取得重大進(jìn)展

　　ATMI公司(NASDAQ:ATMI)和Ovonyx公司今日宣布，雙方在采用化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝商業(yè)化生產(chǎn)基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)方面取得突破性進(jìn)展。兩家企業(yè)正在合作開(kāi)發(fā)的項目獲得重大進(jìn)步，該化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)的基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)不僅能夠實(shí)現按比例縮小，而且是一種具有成本競爭力的存儲器技術(shù)。由于具有獨特的性能，相變存儲器(PCM)是存儲器體系中的新生代產(chǎn)品，且是NOR型閃存的替代性產(chǎn)品;PCM還能擠占相當大部分先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)的DRAM的市場(chǎng)。

　　此項研究在高長(cháng)寬比的相變存儲器單元中實(shí)現了均勻沉積，與在可比的器件結構上濺射沉積GST 225相比，顯示出了良好的電學(xué)特性。結果包括各種CVD合金的沉積，設定速度低于50納秒(ns)，典型耐受時(shí)間為108到1010個(gè)周期，100°C以上時(shí)數據保留時(shí)間為10年。最新合作研究的成果將作為同行評審的技術(shù)論文發(fā)表在九月份的《Electron Device Letters》上，重點(diǎn)介紹器件的電學(xué)性能。ATMI還將在歐洲相變與Ovonics研討會(huì )(E/PCOS)上宣讀一篇關(guān)于化學(xué)氣相沉積工藝的論文。

　　“基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)仍然顯示出顯著(zhù)的商業(yè)化潛力，是NOR型閃存和部分DRAM市場(chǎng)的一項替代性存儲器技術(shù)，”ATMI的執行副總裁與微電子事業(yè)部總經(jīng)理Tod Higinbotham表示，“不過(guò)，在實(shí)現更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰之一，便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量，延長(cháng)電池壽命和提高數據帶寬，這對于當前以數據為中心的、高度便攜式的消費設備來(lái)說(shuō)都是很重要的特征。”

　　兩家公司計劃向半導體產(chǎn)業(yè)授權這些技術(shù)，ATMI將提供相關(guān)的前驅材料和沉積技術(shù)，進(jìn)一步推動(dòng)和促進(jìn)PCM高性能存儲應用的商業(yè)化。ATMI將于2010年第四季度在300mm晶圓上展示CVD GST技術(shù)。