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用于實(shí)驗室儀器的功率模塊

作者: 時(shí)間:2018-11-05 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  基于PC的實(shí)驗室儀器平臺使自動(dòng)化實(shí)驗室設置和數據收集變得簡(jiǎn)單而有效。工程師對用于儀表系統(如外圍組件互連(PCI)的儀表擴展(PXIe)系統)的DC/DC轉換器具有獨特的要求,包括:低電磁干擾()、小尺寸解決方案、高效率、寬輸入電壓范圍以及良好的線(xiàn)路和負載調節。本文讓我們了解這些不同的要求,以及電源模塊如何幫助滿(mǎn)足這些要求。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201811/393872.htm

  低電磁干擾()

  因為會(huì )導致設備性能下降和潛在的故障,實(shí)驗室儀器對其有著(zhù)極其嚴格的標準。由于固有的開(kāi)關(guān)作用,基于開(kāi)關(guān)模式的DC/DC電源是EMI的主要原因。

  圖1所示為降壓穩壓器的基本連接圖。在降壓穩壓器中,由電感器L、輸出電容器COUT和低側場(chǎng)效應晶體管QLS形成的環(huán)路具有連續的電流。但是,由于FET的開(kāi)關(guān)作用,在由高側開(kāi)關(guān)QHS、低側開(kāi)關(guān)QLS和輸入電容器CIN產(chǎn)生的環(huán)路中存在不連續的電流流動(dòng)。

  圖 1:簡(jiǎn)化的降壓穩壓器圖

  由連接走線(xiàn)包圍的區域決定了在此不連續電流的路徑中將存在多少寄生電感。公式1表明,流經(jīng)電感的開(kāi)關(guān)電流會(huì )在其兩端產(chǎn)生電壓差。

  因此,這種設置無(wú)意中會(huì )導致電壓尖峰和EMI,如圖2所示。

  圖 2:電壓尖峰和EMI

  雖然這不可避免,但讓輸入電容極其靠近兩個(gè)FET的簡(jiǎn)單布局有助于減小環(huán)路面積,減小寄生電感,降低電壓尖峰并降低EMI。

  功率模塊在此具有優(yōu)勢,因為輸入電容器通常集成在封裝內且極其靠近集成電路(IC)。類(lèi)似的邏輯也適用于集成在功率模塊中的自舉電容器。

  組件選擇

  如圖1所示,除走線(xiàn)長(cháng)度外,具有大寄生效應的不良元件會(huì )使情況惡化,因為它們處于脈沖電流的路徑中。開(kāi)關(guān)節點(diǎn)的面積和電感的選擇直接影響EMI。開(kāi)關(guān)節點(diǎn)太大,且非屏蔽電感器具有大寄生電容會(huì )散發(fā)出大量噪聲。

  如圖3所示,由于模塊電源集成了很多無(wú)源器件,使得開(kāi)關(guān)節點(diǎn)區域得到了很好的優(yōu)化。

  圖 3:電源模塊內部結構

  流經(jīng)電感器的電流會(huì )產(chǎn)生磁場(chǎng),未經(jīng)抑制的磁場(chǎng)導致更差的EMI,非屏蔽電感器對于該磁場(chǎng)沒(méi)有抑制方法。

  電源模塊通常集成了經(jīng)高水平應力測試的屏蔽電感器,有助于抑制輻射噪聲,從而減少污染附近其他敏感電路的可能性。

  較新的DC/DC穩壓器采用德州儀器(TI)的HotRod?封裝技術(shù)。圖4比較了HotRod封裝技術(shù)和標準的線(xiàn)焊方形扁平無(wú)引腳(QFN)封裝。

  圖 4:HotRod封裝技術(shù)

  這種封裝技術(shù)消除通常用于將芯片焊盤(pán)連至引線(xiàn)框架的封裝接線(xiàn),使用具有小焊接凸塊的銅柱。沒(méi)有封裝接線(xiàn),寄生電感減少并進(jìn)一步有助于減輕EMI。

  頻率同步

  EMI是降壓穩壓器開(kāi)關(guān)作用的產(chǎn)物,這意味著(zhù)開(kāi)關(guān)頻率(FSW)對于保持低電磁干擾非常重要。在多個(gè)降壓穩壓器為各種軌道供電的系統中,可能存在來(lái)自這些不同開(kāi)關(guān)頻率相互之間的干擾作用的拍頻。由于拍頻可在隨機頻率發(fā)生且其諧波也不可預測,因此在復雜的儀器系統中減輕電磁干擾極具挑戰性。

  為幫助解決此問(wèn)題,TI LMZM33603和LMZM33606等電源模塊配備了頻率同步輸入引腳,可使系統中的所有降壓穩壓器以一個(gè)公共頻率進(jìn)行切換。此功能不僅有助于避免拍頻,還能將FSW諧波保持在已知頻率。接著(zhù),設計一個(gè)減輕EMI的輸入濾波器變得更加容易。圖5所示為使用LMZM33606電源模塊的典型原理圖。

  圖 5: 5 V輸出的典型原理圖

  小型解空間中的高效率要求

  臺式儀表設備使用較小的機箱,這可能導致空間受限的系統。這些機箱可能小于3U,通常為半機架寬度。具有集成系統模塊的PXIe機箱的示例可僅具有五個(gè)插槽:三個(gè)混合,兩個(gè)PXIe。

  在這種空間受限的環(huán)境中,電源模塊成為實(shí)用的選擇。在適用時(shí),使用它們可大大減少空間限制并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。圖6中的電源樹(shù)所示為可用于臺式PXIe機箱中的背板電源的電源模塊和分立穩壓器。

  圖 6:臺式PXIe機箱的電源樹(shù)示例

  由于負載電流限制,電源模塊可能無(wú)法為所有電壓軌供電。在需要更多電流功能的系統中,您必須選擇其他設備。德州儀器的WEBENCH?工具是了解更多有關(guān)其他器件和獲取設計原理圖,以及諸如效率、物料清單(BOM)大小和BOM成本等重要參數的一個(gè)好方法。

  表1比較了TI功率模塊(LMZM33606和LMZM33602)和集成穩壓器(LM73606和LMR33620)。如您所見(jiàn),在設計中實(shí)現電源模塊時(shí)可節省相當大的空間。操作效率在沒(méi)有任何可感知的變化時(shí),空間得以節省。

  表 1:DC/DC穩壓器與電源模塊的比較

  圖5中的模塊原理圖非常簡(jiǎn)單。具有如此低的周邊元件數目,所得到的設計將占用極小的空間。圖6所示為L(cháng)MZM33606在多個(gè)輸入電壓下的負載電流效率。

  圖 6:LMZM33606效率

  良好的線(xiàn)路和負載調節

  儀表系統的輸入電壓可能為18 V至36 V的未經(jīng)調壓的電壓。所有軌道的典型線(xiàn)路調節率可為0.1%至0.2%。在各種控制架構中,峰值電流模式()架構是可實(shí)現這種嚴格要求的架構。如圖7所示,通過(guò)檢測通過(guò)高側場(chǎng)效應晶體管(FET)的電流,架構起作用,以產(chǎn)生比較斜坡。

  圖 7:架構的簡(jiǎn)化原理圖

  隨著(zhù)輸入電壓不斷變化,首先要改變電流斜率。它作為系統的前饋,在輸入電壓變化時(shí)校正占空比。因此,占空比的瞬時(shí)更新有助于實(shí)現極佳的線(xiàn)路調節。LMZM33606和LMZM33602基于PCM架構,這極其適合此類(lèi)系統。

  圖8所示為L(cháng)MZM33606的線(xiàn)路和負載調節。對于3A負載,線(xiàn)路穩壓率為0.02%;對于標稱(chēng)24 V輸入,負載調節率為0.1%。

  圖 8:LMZM33606線(xiàn)路和負載調節

  除節省空間和優(yōu)化性能外,電源模塊還提供其它優(yōu)勢。它們集成了高質(zhì)量無(wú)源元件,可在高溫下進(jìn)行大量測試,以確保長(cháng)壽命和可靠性。它們的特性使電源模塊對實(shí)驗室儀器設備更具吸引力。

  參考文獻

  LMZM33606 數據表

  LMZM33602 數據表

  “LMZM33602/3的反相應用”應用指南



關(guān)鍵詞: EMI PCM

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