傳日立欲將STTRAM研發(fā)部門(mén)分拆為新公司
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日立公司將在下周于火奴魯魯召開(kāi)的VLSI技術(shù)年會(huì )上介紹更多自旋轉移矩隨機內存(Spin transfer torque random access memory (STT-RAM))技術(shù)，另外據稱(chēng)日立公司正在考慮將負責開(kāi)發(fā)這項技術(shù)的部門(mén)從公司中分拆出去成立一家新公司。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/110018.htm
SPRAM是下一代MRAM內存技術(shù)的一種，MRAM技術(shù)的特點(diǎn)是利用電子自旋的磁效應來(lái)實(shí)現非易失型數據存儲，這種技術(shù)制作出來(lái)存儲芯片據稱(chēng)耐久性極佳，不過(guò)目前MRAM內存制造難度極大，很難批量生產(chǎn)。
日立公司開(kāi)發(fā)的這種自旋轉移矩隨機內存(Spin transfer torque random access memory (STT-RAM))可算是第二代的MRAM技術(shù)，這種技術(shù)據稱(chēng)采用了新的內部結構，從而解決了傳統MRAM設備所存在的問(wèn)題。目前正在研究這項技術(shù)的廠(chǎng)商還有臺積電，三星，海力士，IBM-TDK，東芝等多家廠(chǎng)商。
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