安森美半導體推出結合HighQ性能的IPD2工藝技術(shù)

　　應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出新的集成無(wú)源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強既有的HighQ™硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強了電感性能，提高了靈活性，配合設計高精度、高性?xún)r(jià)比的集成無(wú)源元件，用于便攜電子設備中的射頻(RF)系統級封裝應用。

　　HighQ™ IPD2工藝是安森美半導體定制代工部眾多創(chuàng )新制造服務(wù)之一，采用先進(jìn)的8英寸晶圓技術(shù)，典型設計包括平衡/不平衡轉換器(balun)、低通濾波器、帶通濾波器和雙工器，用于最新便攜和無(wú)線(xiàn)應用?；贗PD2的設計為電路設計人員提供重要優(yōu)勢，如降低成本、減小厚度、小占位面積，以及更高性能(等同于延長(cháng)電池使用時(shí)間)。

　　安森美半導體為其IPD2工藝技術(shù)提供全功能設計工具和設計支援，以及快速的原型制造能力，幫助潛在用戶(hù)快速和高性?xún)r(jià)比地評估，不管他們復雜度較低的分立或集成印制電路板(PCB)方案、較厚也較昂貴的陶瓷方案，還是基于更昂貴的砷化鎵金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否適合轉換至IPD2工藝。

　　安森美半導體定制代工部高級總監Rick Whitcomb說(shuō)：“在高性?xún)r(jià)比、小尺寸和低插入損耗的平臺上集成無(wú)源器件，能為電池供電便攜電子產(chǎn)品設計人員提供極有用的方案。我們以全套設計工具和技術(shù)配合這新工藝，能夠幫助客戶(hù)以最短的時(shí)間和最大的信心，從效用相對較低的技術(shù)轉換至我們的IPD2工藝。”