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安森美半導體推出HighQ™硅-銅集成無(wú)源器件
- 安森美半導體宣布，將其先進(jìn)的制造工藝技術(shù)擴大到HighQ™硅-銅集成無(wú)源器件(IPD)的制造服務(wù)領(lǐng)域。與昂貴、超高性能的基于砷化鎵-金工藝無(wú)源器件相比，這創(chuàng )新的8英寸晶圓技術(shù)比原來(lái)較低精密程度的硅-銅工藝成本更低，性能更高。 安森美半導體的HighQ™ IPD工藝技術(shù)是諸如不平衡變換器、耦合器和濾波器等無(wú)源器件制造的理想選擇。對于便攜和無(wú)線(xiàn)應用，高性能等于延長(cháng)電池壽命。 安森美半導體制造服務(wù)總經(jīng)理Rich Carruth說(shuō)：“目前，為了向市場(chǎng)推出具有價(jià)格競爭力的
- 關(guān)鍵字： HighQ™ 安森美 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
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