ASM啟用功新的PowerFill外延技術(shù)的電源設備

　　ASM International內華達州，今天推出了其PowerFillTM的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PowerFill是一個(gè)精湛的工藝技術(shù)，因為它是同類(lèi)流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng )造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。

　　Fairchild半導體公司是第一家客戶(hù)，以處理其先進(jìn)電源管理器件，已完成其在韓國工廠(chǎng)的核實(shí)。對于這種應用，ASM的PowerFill的處理可以實(shí)現電源管理器件和電路的占用空間，從而減少損耗和生產(chǎn)成本。

　　“對于離散式功率的要求MOSFETs是要降低電阻導通，降低柵極電荷和提高電流能力” Fairchild的技術(shù)處理主管C.B. Son表示。 “具備PowerFill的Epsilon工具的性能一直令人印象深刻的，其一個(gè)重要的有利因素就是我們可以成功地融入這一先進(jìn)的溝槽外延處理，能我們認識到，因成本節省而帶來(lái)的加工吞吐量的顯著(zhù)改善。”

　　與其它需要通過(guò)外延反應堆進(jìn)行多重傳遞來(lái)實(shí)現類(lèi)似設備結構的處理相比而言，創(chuàng )新后的ASM Epsilon溝槽填補技術(shù)的開(kāi)發(fā)能夠在無(wú)縫隙外延處理一步完成。單一步驟的處理能夠使硅外延處理的吞吐量增加三倍，同時(shí)保持無(wú)縫隙填充的特性，均勻性好，產(chǎn)量高。ASM外延技術(shù)總監Shawn Thomas說(shuō)到：“這種高速溝槽填充技術(shù)的開(kāi)發(fā)將是展示ASM與客戶(hù)合作，使先進(jìn)的材料和批量生產(chǎn)外延技術(shù)的一個(gè)例證”。