宏力半導體發(fā)布先進(jìn)的0.18微米45V LDMOS電源管理制程
上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體),專(zhuān)注于差異化技術(shù)的半導體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一,發(fā)布基于其穩定的0.18微米邏輯平臺的先進(jìn)45V LDMOS電源管理制程。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/105079.htm與傳統線(xiàn)寬相比,0.18微米邏輯平臺使得更高集成度的數字電路成為可能,從而可以適用于SoC和智能電源。宏力半導體成熟的0.18微米邏輯制程配備了具有高精準模型的完整設計工具包,極大地縮短了產(chǎn)品的設計周期,加速客戶(hù)產(chǎn)品的投產(chǎn)。此外,該0.18微米邏輯制程還分別提供了通用邏輯和低功耗邏輯平臺供客戶(hù)選擇。
通過(guò)優(yōu)化器件的布局、注入和熱處理過(guò)程等特定步驟減小了Rdson (導通電阻),45V NMOS 和 PMOS的導通電阻分別約為70 mOhm•mm2 和 160 mOhm•mm2。導通電阻的減小可以使電源芯片功率驅動(dòng)部分的面積縮減10%~40%,客戶(hù)因此可以為電源管理應用提供更加有效的解決方案。
除此以外,模塊化制程也更加靈活。1.8V的器件可以易于添加或者移除,可適用于客戶(hù)的特殊要求。除了標準的5V器件外,根據客戶(hù)的特定設計,3.3V也可以用來(lái)備選。其他諸如MiM,HR和Bipolar等器件也可供客戶(hù)選擇。
銷(xiāo)售市場(chǎng)及服務(wù)資深副總裁衛彼得博士說(shuō):“宏力半導體最新發(fā)布的45V LDMOS是一個(gè)高性能的制程,可以為客戶(hù)提供一個(gè)低成本的解決方案,縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。這個(gè)技術(shù)平臺針對目前快速發(fā)展的電源管理芯片市場(chǎng),適用于尖端的LED驅動(dòng)、馬達控制和電池管理。宏力半導體在汽車(chē)電子芯片領(lǐng)域已經(jīng)積累了多年的生產(chǎn)經(jīng)驗,我們相信這個(gè)先進(jìn)的新制程也能夠滿(mǎn)足汽車(chē)電子嚴苛的要求。”
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