化合物半導體太陽(yáng)能電池07年量產(chǎn)

　　使用化合物半導體取代主流結晶硅的太陽(yáng)能電池面板的量產(chǎn)消息接連不斷。本田近日正式宣布，2007年年產(chǎn)規模達27.5MW的新工廠(chǎng)將投入生產(chǎn)（發(fā)布資料）。昭和殼牌石油也宣布，2007年1月投入量產(chǎn)。 

　　該公司2005年底開(kāi)始在宮崎縣田野町尾脅高新技術(shù)工業(yè)園區建設太陽(yáng)能電池量產(chǎn)廠(chǎng)，計劃2007年1月開(kāi)工投產(chǎn)。年產(chǎn)量為20MW。由于目前主流的結晶硅太陽(yáng)能電池原料——多晶硅材料日趨匱乏，因此今后準備量產(chǎn)有望成為替代性能源的化合物半導體太陽(yáng)能電池。 

　　發(fā)電層厚度為結晶硅型的1/50～1/100 

　　“化合物半導體電池的發(fā)電層厚度為2μm，遠遠要比結晶硅型的100～200μm薄得多。由于材料用量少，因此原料成本就便宜?！痹凇?005年生態(tài)產(chǎn)品展（時(shí)間：2005年12月15～17日，地點(diǎn)：東京BigSight國際會(huì )展中心）”上，該公司研究開(kāi)發(fā)部規劃管理科的西村隆雄強調說(shuō)。該公司在此次展會(huì )上展出了化合物半導體型“CIS太陽(yáng)能電池”。 

　　該公司在獨立行政法人日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機構（NEDO）的委托研究基礎上，開(kāi)發(fā)出了可提高CIS太陽(yáng)能電池轉換效率以及用于量產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)。原料為銅（Cu）、銦（In）、硒（Se），取每種材料的頭一個(gè)字母，將其命名為“CIS（Copper，Indium，Selenium）”。 

　　轉換效率在量產(chǎn)之前將提高至12～13% 

　　計劃量產(chǎn)的是30cm