韓國開(kāi)發(fā)變阻存儲器元件原創(chuàng )技術(shù)

    韓國產(chǎn)業(yè)資源部近日宣布，韓國光州科學(xué)技術(shù)院教授黃賢尚領(lǐng)導的科研小組成功開(kāi)發(fā)出了變阻存儲器（ＲｅＲＡＭ－Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ?。遥幔睿洌铮怼。粒悖悖澹螅蟆。停澹恚铮颍┰暮诵脑瓌?chuàng )技術(shù)，這一技術(shù)足以克服新一代存儲器閃存芯片的缺陷。 　　據介紹，迄今為止，閃存芯片存在的最大缺陷是信息存儲和刷新的時(shí)間長(cháng)，存儲容量難以達到３２千兆位（Ｇｂ）以上。 

　　專(zhuān)家介紹說(shuō)，黃賢尚科研小組開(kāi)發(fā)出的“單結晶鍶鈦氧化物（ＳｒＴｉ０３）”和使這種氧化物保持原有特性的表面處理工藝可以使存儲器的存儲功能“０（ｏｆｆ）”和“１（ｏｎ）”來(lái)回變動(dòng)。而采用“單結晶鍶鈦氧化物”的存儲器存儲數據保持時(shí)間可達１０年以上，信息存儲和刷新次數也可達千萬(wàn)次以上。 

　　據悉，美國商用機器公司、日本夏普公司和韓國三星電子公司等國際大公司都在開(kāi)發(fā)新一代存儲器原創(chuàng )技術(shù)，但迄今未能獲得成功。 

　　韓國產(chǎn)業(yè)資源部稱(chēng)，新一代存儲器原創(chuàng )技術(shù)可以實(shí)現新一代大容量存儲器商業(yè)化的進(jìn)程提早兩年至三年。 

　　目前，韓國科學(xué)家的這一新技術(shù)已獲得韓國兩項專(zhuān)利，并正在美國和日本等國申請專(zhuān)利。