IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏

　　國內目前的半導體生產(chǎn)線(xiàn)絕大多數是IC產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)，少數分立器件的生產(chǎn)線(xiàn)也主要生產(chǎn)常規三極管和肖特基二極管，缺少IGBT所需要的柵極形成、隔離、背面減薄和注入工藝等技術(shù)。

　　政策應加大扶持力度

　　微電子技術(shù)是對信號的處理和轉換，可以提高人們的工作效率和生活質(zhì)量;而電力電子是對電能的控制和變換，可以提高用電效率和改善用電質(zhì)量，也是工業(yè)化和信息化融合的關(guān)鍵技術(shù)。集成電路和電力半導體器件在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要，兩者相輔相成。然而，同樣重要的技術(shù)并沒(méi)有得到同樣的重視，國家在2000年出臺了18號文件，重點(diǎn)支持集成電路和軟件技術(shù)的發(fā)展，沒(méi)有將新型電力半導體器件列入其中。國家十一五重大專(zhuān)項中，新型電力半導體器件又未能進(jìn)入支持目錄。

　　針對IGBT產(chǎn)業(yè)，必須運用系統工程打造產(chǎn)業(yè)化體系。在設計領(lǐng)域，應重點(diǎn)利用海歸技術(shù)人員所掌握的國際先進(jìn)技術(shù)和國內部分高校和研究所的前期經(jīng)驗;在芯片制造領(lǐng)域，應充分利用國內已有的IC和分立器件生產(chǎn)線(xiàn)，補充必要的生產(chǎn)設備;在封裝領(lǐng)域，應重點(diǎn)發(fā)展單管大尺寸封裝(TO-220以上)、標準功率模塊、智能化功率模塊和用戶(hù)定制功率模塊;在測試領(lǐng)域，應發(fā)展新型器件的動(dòng)靜態(tài)特性測試、可靠性試驗及失效分析手段;在原材料領(lǐng)域，應重點(diǎn)發(fā)展高阻外延單晶、區熔單晶和磁場(chǎng)直拉單晶;在設備領(lǐng)域，應重點(diǎn)發(fā)展大面積減薄、微細刻蝕、大束流離子注入等設備;針對應用特性，應重點(diǎn)研究器件和電路接口方面的技術(shù)問(wèn)題，如驅動(dòng)和保護電路的設計等;針對人才培養，短期可以從國外引進(jìn)一批有著(zhù)豐富實(shí)踐經(jīng)驗的高層次技術(shù)人才，長(cháng)期則需要在國內高校培養新型電力半導體器件的設計和制造人才。

　　根據我國IGBT產(chǎn)業(yè)化的特點(diǎn)和需要，在產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程中要給予相關(guān)政策支持，如政府采購、財政補貼、稅收優(yōu)惠、關(guān)稅保護、國產(chǎn)化率考核、國產(chǎn)裝備的風(fēng)險補償、大型節能減排項目示范工程等。不僅要對器件的研發(fā)給予重點(diǎn)支持，而且應在系統應用的源頭利用政策的杠桿來(lái)輔助，才會(huì )使國內的器件制造從弱勢成長(cháng)為強勢。

　　此外，我們還應制定IGBT產(chǎn)業(yè)化各環(huán)節和全程目標，設置和控制關(guān)鍵點(diǎn)，建立對產(chǎn)業(yè)化全程的反饋和優(yōu)化控制流程。要把我國IGBT產(chǎn)業(yè)化與節能減排規劃、新能源發(fā)展規劃、裝備制造、電子信息及其他產(chǎn)業(yè)調整振興規劃銜接，加強IGBT產(chǎn)業(yè)化的配套設施建設。(本文作者趙善麒為江蘇宏微科技有限公司總經(jīng)理，陸劍秋為中國電器工業(yè)協(xié)會(huì )電力電子分會(huì )理事長(cháng)，畢克允為中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )特聘副理事長(cháng)、中國電子節能技術(shù)協(xié)會(huì )副理事長(cháng)。)

　　相關(guān)鏈接

　　IGBT技術(shù)及應用

　　IGBT是在MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應晶體管)和雙極晶體管基礎上發(fā)展起來(lái)的一種新型復合功率器件，主要用于通信、工業(yè)、醫療、家電、照明、交通、新能源、半導體生產(chǎn)設備、航空、航天及國防等諸多領(lǐng)域。IGBT既具有MOSFET易于驅動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)。自問(wèn)世以來(lái)，IGBT以其優(yōu)越的動(dòng)靜態(tài)性能，在6500V以下的中大功率高頻領(lǐng)域逐漸取代了晶閘管和功率MOSFET器件。目前，尚無(wú)任何其他器件可以在短期內代替IGBT器件。