單片機I/O口的開(kāi)漏輸出及推挽輸出區別

推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數字器件;

      開(kāi)漏輸出:輸出端相當于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅動(dòng),其吸收電流的能力相對強(一般20ma以?xún)?.

      推挽結構一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補信號的控制,總是在一個(gè)三極管導通的時(shí)候另一個(gè)截止.
      要實(shí)現 線(xiàn)與 需要用OC(open collector)門(mén)電路.是兩個(gè)參數相同的三極管或MOSFET,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務(wù),電路工作時(shí)，兩只對稱(chēng)的功率開(kāi)關(guān)管每次只有一個(gè)導通，所以導通損耗小,效率高。輸出既可以向負載灌電流，也可以從負載抽取電流。

      開(kāi)漏電路特點(diǎn)及應用

      在電路設計時(shí)我們常常遇到開(kāi)漏（open drain）和開(kāi)集（open collector）的概念。

　   所謂開(kāi)漏電路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏極。同理，開(kāi)集電路中的“集”就是指三極管的集電極。開(kāi)漏電路就是指以MOSFET的漏極為輸出的電路。一般的用法是會(huì )在漏極外部的電路添加上拉電阻。完整的開(kāi)漏電路應該由開(kāi)漏器件和開(kāi)漏上拉電阻組成。
      組成開(kāi)漏形式的電路有以下幾個(gè)特點(diǎn)：
      1. 利用外部電路的驅動(dòng)能力，減少I(mǎi)C內部的驅動(dòng)。當IC內部MOSFET導通時(shí)，驅動(dòng)電流是從外部的VCC流經(jīng)R pull-up ，MOSFET到GND。IC內部?jì)H需很下的柵極驅動(dòng)電流。
      2. 可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的Pin，連接到一條線(xiàn)上。形成 “與邏輯” 關(guān)系。當PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一個(gè)變低后，開(kāi)漏線(xiàn)上的邏輯就為0了。這也是I2C，SMBus等總線(xiàn)判斷總線(xiàn)占用狀態(tài)的原理。
      3. 可以利用改變上拉電源的電壓，改變傳輸電平。IC的邏輯電平由電源Vcc1決定，而輸出高電平則由Vcc2決定。這樣我們就可以用低電平邏輯控制輸出高電平邏輯了。
      4. 開(kāi)漏Pin不連接外部的上拉電阻，則只能輸出低電平(因此對于經(jīng)典的51單片機的P0口而言，要想做輸入輸出功能必須加外部上拉電阻，否則無(wú)法輸出高電平邏輯)。
      5. 標準的開(kāi)漏腳一般只有輸出的能力。添加其它的判斷電路，才能具備雙向輸入、輸出的能力。

      應用中需注意：
      1.   開(kāi)漏和開(kāi)集的原理類(lèi)似，在許多應用中我們利用開(kāi)集電路代替開(kāi)漏電路。例如，某輸入Pin要求由開(kāi)漏電路驅動(dòng)。則我們常見(jiàn)的驅動(dòng)方式是利用一個(gè)三極管組成開(kāi)集電路來(lái)驅動(dòng)它，即方便又節省成本。如圖3。
      2. 上拉電阻R pull-up的 阻值 決定了 邏輯電平轉換的沿的速度 。阻值越大，速度越低功耗越小。反之亦然。

     Push-Pull輸出就是一般所說(shuō)的推挽輸出，在CMOS電路里面應該較CMOS輸出更合適，應為在CMOS里面的push－pull輸出能力不可能做得雙極那么大。輸出能力看IC內部輸出極N管P管的面積。

      和開(kāi)漏輸出相比，push－pull的高低電平由IC的電源低定，不能簡(jiǎn)單的做邏輯操作等。push－pull是現在CMOS電路里面用得最多的輸出級設計方式。

      51單片機的I/O口是開(kāi)漏輸出，驅動(dòng)能力較弱，所以一般都要加上拉電阻去驅動(dòng)下一級電路，

而AVR，STM8S系列的都是真正的雙向I/O口，推挽輸出，電流可達20mA左右