工程師必看！MOS管幾種常用的驅動(dòng)電路

MOS管因為其導通內阻低，開(kāi)關(guān)速度快，因此被廣泛應用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅動(dòng)電路的設計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅動(dòng)電路。

1、電源IC直接驅動(dòng)

電源IC直接驅動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅動(dòng)方式，應該注意幾個(gè)參數以及這些參數的影響。

①查看電源IC手冊的最大驅動(dòng)峰值電流，因為不同芯片，驅動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。

②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒(méi)有比較大的驅動(dòng)峰值電流，那么管子導通的速度就比較慢，就達不到想要的效果。

2、推挽驅動(dòng)

當電源IC驅動(dòng)能力不足時(shí)，可用推挽驅動(dòng)。

這種驅動(dòng)電路好處是提升電流提供能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過(guò)程。這種拓撲增加了導通所需要的時(shí)間，但是減少了關(guān)斷時(shí)間，開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且避免上升沿的高頻振蕩。

3、加速關(guān)斷驅動(dòng)

MOS管一般都是慢開(kāi)快關(guān)。在關(guān)斷瞬間驅動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。

為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管，如上圖所示，其中D1常用的是快恢復二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小，同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過(guò)大，把電源IC給燒掉。

如上圖，是我之前用的一個(gè)電路，量產(chǎn)至少上萬(wàn)臺，推薦使用。

用三極管來(lái)泄放柵源極間電容電壓是比較常見(jiàn)的。如果Q1的****極沒(méi)有電阻，當PNP三極管導通時(shí)，柵源極間電容短接，達到最短時(shí)間內把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。

還有一個(gè)好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源IC，提高了可靠性。

4、隔離驅動(dòng)

為了滿(mǎn)足高端MOS管的驅動(dòng)，經(jīng)常會(huì )采用變壓器驅動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開(kāi)直流，通過(guò)交流，同時(shí)也能防止磁芯飽和。