華為硬件技術(shù)工程師面試機考試題及答案
華為硬件技術(shù)工程師面試機考試題及答案

一、是非題 [8x4]
1、( )DRAM 上電時(shí)存儲單元的內容是全0,而 Flash 上電時(shí)存儲單元的內容是全1。
2、( )眼圖可以用來(lái)分析高速信號的碼間干擾、抖動(dòng)、噪聲和衰減。
3、( )以太網(wǎng)交換機將沖突域限制在每個(gè)端口,提高了網(wǎng)絡(luò )性能。
4、( )放大電路的輸出信號產(chǎn)生非線(xiàn)性失真是由于電路中晶體管的非線(xiàn)性引起的。
5、( )1 的 8 位二進(jìn)制補碼是 0000_0001,-1的 8 位二進(jìn)制補碼是 1111_1111 。
6、( )洗衣機,電冰箱等家用電器都使用三孔插座, 是因為如果不接地, 家用電器是不能工作的。
7、( )十進(jìn)制數據 0x5a 與 0xa5 的同或運算結果為: 0x00。
8、( )硅二極管的正向導通壓降比鍺二極管的大。
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二、單選題 [17x4]
1、一空氣平行板電容器, 兩級間距為 d,充電后板間電壓為 u。然后將電源斷開(kāi),在平板間平行插入一厚度為 d/3 的金屬板。 此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)?/span>
A.U/3 B.2U/3 C.3U/4 D.不變
2、8086CPU 內部包括哪些單元
A.ALU,EU B.ALU,BIU C.EU,BIU D.ALU,EU,BIU
3、為了避免 50Hz 的電網(wǎng)電壓干擾放大器,應該用那種濾波器:
A.帶阻濾波器 B.帶通濾波器 C.低通濾波器 D.高通濾波器
4、關(guān)于 SRAM 和 DRAM,下面說(shuō)話(huà)正確的是:
A.SRAM 需要定時(shí)刷新,否則數據會(huì )丟失;
B.DRAM 使用內部電容來(lái)保存信息;
C.SRAM的集成度高于 DRAM;
D.只要不掉電, DRAM 內的數據不會(huì )丟失;
5、在 RS232串口中, 采用哪一種校驗方式:
A.CRC校驗 B.海明碼校驗 C.多種校驗方式的組合 D.奇偶校驗
6、對于 D 觸發(fā)器來(lái)說(shuō), 為了保證可靠的采樣, 數據必須在時(shí)鐘信號的上升沿到來(lái)之前繼續穩定一段時(shí)間,這個(gè)時(shí)間稱(chēng)為
A.保持時(shí)間 B.恢復時(shí)間 C.穩定時(shí)間 D.建立時(shí)間
7、本征半導體中加入()元素可形成N 型半導體
A.五價(jià) B.四價(jià) C.三價(jià) D.二價(jià)
8、模擬信號數字化的過(guò)程是
A.采樣 ->量化 ->編碼 B.采樣 ->編碼 ->量化
C.編碼 ->采樣 ->量化 D.量化 ->編碼 ->采樣
9、在 Buck 電路中,不能起到減小紋波作用的措施是
A.采用多項并聯(lián)的模式;
B.開(kāi)關(guān)管內置,提高電源的開(kāi)關(guān)頻率;
C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容;
D.增大輸出濾波電感量。
10、圖示電路中 a、 b 端的等效電阻 Rab在開(kāi)關(guān) K 打開(kāi)與閉合時(shí)分別為:
A.10 Ω, 8Ω B.8 Ω, 10Ω C.10 Ω, 10Ω D.10 Ω, 16Ω

11、關(guān)于 PCI總線(xiàn)的描述,錯誤的是
A.PCI 總線(xiàn)是一個(gè) 16 位寬的總線(xiàn);
B.PCI的地址線(xiàn)與數據線(xiàn)是復用的;
C.PCI 是一種獨立于處理器的總線(xiàn)標準,可以支持多種處理器;
D.PCI支持即插即用功能總線(xiàn)寬度為 32/64 位。
12、中繼器、以太網(wǎng)交換機、路由器分別工作在 OSI模型的哪位層次上:
A.物理層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò )層 B.物理層、網(wǎng)絡(luò )層、鏈路層
C.物理層、鏈路層、傳輸層 D.鏈路層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò )層
13、某電路,對100KHz 以下低頻信號干擾敏感,為減少干擾,應采用()濾波器。
A.高通 B.低通 C.帶阻 D.帶通
14、捕捉毛刺用最佳觸發(fā)方式()進(jìn)行觸發(fā)
A.Width B.Edge C.Glitch D.State
15、以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試:
A.信號占空比超標 B.信號上升緩慢
C.6 個(gè)信號的異常組合 D.信號抖動(dòng)過(guò)大
16、8421 碼 10010111 表示的十進(jìn)制數是:
A.98 B.151 C.97 D.227
17、晶體管能夠放大的外部條件是:
A.****結反偏,集電結正偏 B.****結正偏,集電結正偏
C.****結反偏,集電結反偏 D.****結正偏,集電結反偏
答案與解析
一、是非題 [8x4]
1、(N)【解析】FLASH可保存
2、(N)
3、(Y)
4、(N)
5、(Y)
6、(N)
7、(Y)
8、(Y)
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二、單選題 [17x4]
1、B.2U/3
【解析】
電容的大小不是由Q(帶電量)或 U(電壓)決定的,即:C=εS/4πkd。(ε是一個(gè)常數, S 為電容極板的正對面積, d 為電容極板的距離, k 則是靜電力常量。)而常見(jiàn)的平行板電容器電容為 C=εS/d. (ε為極板間介質(zhì)的介電常數,S為極板面積, d 為極板間的距離。)電容器的電勢能計算公式:E=CU^2/2=QU/2。
2、C.EU,BIU
【解析】
80x86 從功能上分執行單元EU(Execution Unit) 和總線(xiàn)接口單元 BIU(Bus InteRFace Unit) ,執行單元由 8 個(gè) 16 位通用寄存器, 1 個(gè) 16 位標志寄存器, 1 個(gè) 16 位暫存寄存器, 1 個(gè) 16 位算術(shù)邏輯單元 ALU及 EU控制電路組成??偩€(xiàn)接口單元由 4 個(gè) 16 位段寄存器( CS,DS,SS,ES) ,1 個(gè) 16 位的指令指針寄存器, 1 個(gè)與 EU通信的內部暫存器, 1 個(gè)指令隊列, 1 個(gè)計算 20 位物理地址的加法器∑及總線(xiàn)控制電路構成。
3、A.帶阻濾波器
4、B.DRAM 使用內部電容來(lái)保存信息
【解析】
SRAM和 DRAM都是隨機存儲器,機器掉電后,兩者的信息都將丟失。它們的最大區別就是:DRAM是用電容有無(wú)電荷來(lái)表示信息 0 和 1,為防止電容漏電而導致讀取信息出錯,需要周期性地給電容充電,即刷新;而 SRAM是利用觸發(fā)器的兩個(gè)穩態(tài)來(lái)表示信息 0 和 1, 所以不需要刷新。 另外, SRAM的存取速度比 DRAM更高,常用作高速緩沖存儲器Cache。
5、D.奇偶校驗
6、D.建立時(shí)間
【解析】
setup/hold time 是測試芯片對輸入信號和時(shí)鐘信號之間的時(shí)間要求 . 建立時(shí)間是指觸發(fā)器的時(shí)鐘信號上升沿到來(lái)以前數據穩定不變的時(shí)間輸入信號應提前時(shí)鐘上升沿 ( 如上升沿有效 )T 時(shí)間到達芯片 這 個(gè) T 就 是 建 立 時(shí) 間 -Setup time. 如不 滿(mǎn) 足setup time, 這個(gè)數據就不能被這一時(shí)鐘打入觸發(fā)器只有在下一個(gè)時(shí)鐘上升沿數據才能被打入觸發(fā)器保持時(shí)間是指觸發(fā)器的時(shí)鐘信號上升沿到來(lái)以后數據穩定不變的時(shí)間如果 hold time 不夠數據同樣不能被打入觸發(fā)器建立時(shí)間 (Setup Time) 和保持時(shí)間 (Hold time).建立時(shí)間是指在時(shí)鐘邊沿前數據信號需要保持不變的時(shí)間保持時(shí)間是指時(shí)鐘跳變邊沿后數據。
7、本征半導體中加入()元素可形成N 型半導體
A.五價(jià)
8、A.采樣 ->量化 ->編碼
9、C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容
10、C.10 Ω, 10Ω
11、A.PCI 總線(xiàn)是一個(gè) 16 位寬的總線(xiàn)
12、C.物理層、鏈路層、傳輸層
【解析】
物理層 : 將數據轉換為可通過(guò)物理介質(zhì)傳送的電子信號 相當于郵局中的搬運工人
鏈路層 : 決定訪(fǎng)問(wèn)網(wǎng)絡(luò )介質(zhì)的方式在此層將數據分幀,并處理流控制。本層 指定拓撲結構并提供硬件尋 址。相當于郵局中的裝拆箱工人
網(wǎng)絡(luò )層 : 使用權數據路由經(jīng)過(guò)大型網(wǎng)絡(luò ) 相當于郵局中的排序工人傳輸層 : 提供終端到終端的可靠連接 相當于公司中跑郵局的送信職員
會(huì )話(huà)層 : 允許用戶(hù)使用簡(jiǎn)單易記的名稱(chēng)建立連接相當于公司中收寄信、寫(xiě)信封與拆信封的秘書(shū)
表示層 : 協(xié)商數據交換格式 相當公司中簡(jiǎn)報老板、替老板寫(xiě)信的助理
應用層 : 用戶(hù)的應用程序和網(wǎng)絡(luò )之間的接口老板
13、A.高通
14、C.Glitch
15、A.信號占空比超標
16、C.97
17、D.****結正偏,集電結反偏
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