干貨 | 電阻，電感，電容，MOSFET主要特性參數

電阻的主要參數有電阻阻值，允許誤差，額定功率，溫度系數等
1、標稱(chēng)阻值：電阻器上面所標示的阻值。

2、允許誤差：標稱(chēng)阻值與實(shí)際阻值的差值跟標稱(chēng)阻值之比的百分數稱(chēng)阻值偏差，它表示電阻器的精度。
3、額定功率：在正常的大氣壓力90-106.6KPa及環(huán)境溫度為－55℃～＋70℃的條件下，電阻器長(cháng)期工作所允許耗散的最大功率。

4、額定電壓：由阻值和額定功率換算出的電壓。
5、溫度系數：溫度每變化1℃所引起的電阻值的相對變化。溫度系數越小，電阻的穩定性越好。阻值隨溫度升高而增大的為正溫度系數，反之為負溫度系數。
6、老化系數：電阻器在額定功率長(cháng)期負荷下，阻值相對變化的百分數，它是表示電阻器壽命長(cháng)短的參數。
7、電壓系數：在規定的電壓范圍內，電壓每變化1伏，電阻器的相對變化量。 電感器的主要參數

電感器的主要參數有電感量、允許偏差、品質(zhì)因數、分布電容和額定電流等。
1、電感量:電感量也稱(chēng)自感系數，是表示電感器產(chǎn)生自感應能力的一個(gè)物理量。電感器電感量的大小，主要取決于線(xiàn)圈的圈數（匝數）、繞制方式、有無(wú)磁心及磁心的材料等等。通常，線(xiàn)圈圈數越多、繞制的線(xiàn)圈越密集，電感量就越大。有磁心的線(xiàn)圈比無(wú)磁心的線(xiàn)圈電感量大；磁心導磁率越大的線(xiàn)圈，電感量也越大。
2、允許偏差:允許偏差是指電感器上標稱(chēng)的電感量與實(shí)際電感的允許誤差值。一般用于振蕩或濾波等電路中的電感器要求精度較高，允許偏差為±0.2%~±0.5%；而用于耦合、高頻阻流等線(xiàn)圈的精度要求不高；允許偏差為±10%~15%。
3、品質(zhì)因數:品質(zhì)因數也稱(chēng)Q值或優(yōu)值，是衡量電感器質(zhì)量的主要參數。它是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時(shí)，所呈現的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。電感器品質(zhì)因數的高低與線(xiàn)圈導線(xiàn)的直流電阻、線(xiàn)圈骨架的介質(zhì)損耗及鐵心、屏蔽罩等引起的損耗等有關(guān)。
4、分布電容:分布電容是指線(xiàn)圈的匝與匝之間、線(xiàn)圈與磁心之間存在的電容。電感器的分布電容越小，其穩定性越好。
5、額定電流:額定電流是指電感器有正常工作時(shí)反允許通過(guò)的最大電流值。若工作電流超過(guò)額定電流，則電感器就會(huì )因發(fā)熱而使性能參數發(fā)生改變，甚至還會(huì )因過(guò)流而燒毀。

電容的主要特性參數

電容的主要參數有電容容值，允許誤差，額定工作電壓，溫度系數等
1、容量與誤差：實(shí)際電容量和標稱(chēng)電容量允許的最大偏差范圍，一般分為±5%，±10%，±20%。精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。
2、額定工作電壓：電容器在電路中能夠長(cháng)期穩定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱(chēng)耐壓。對于結構、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。
3、溫度系數：在一定溫度范圍內，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。溫度系數越小越好。
4、絕緣電阻：用來(lái)表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。
5、損耗：在電場(chǎng)的作用下，電容器在單位時(shí)間內發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來(lái)自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來(lái)表示。
    MOSFET的主要特性參數

 “MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的縮寫(xiě)，譯成中文是“金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2 或 SiN)及半導體三種材料制成的器件
MOSFET的主要參數有I_D,I_DM，V_GS,V_(BR)DSS,R_DS(on) ,V_GS(th)等
1、I_D：最大漏源電流。是指場(chǎng)效應管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應管的工作電流不應超過(guò)I_D。此參數會(huì )隨結溫度的上升而有所減額。
2、I_DM：最大脈沖漏源電流。此參數會(huì )隨結溫度的上升而有所減額。
3、V_GS：最大柵源電壓。
4、V_(BR)DSS：漏源擊穿電壓。是指柵源電壓V_GS為0時(shí)，場(chǎng)效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場(chǎng)效應管上的工作電壓必須小于V_(BR)DSS。它具有正溫度特性。故應以此參數在低溫條件下的值作為安全考慮。
5、R_DS(on)：在特定的V_GS（一般為10V）、結溫及漏極電流的條件下，MOSFET導通時(shí)漏源間的最大阻抗。它是一個(gè)非常重要的參數，決定了MOSFET導通時(shí)的消耗功率。此參數一般會(huì )隨結溫度的上升而有所增大。故應以此參數在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算。
6、V_GS(th)：開(kāi)啟電壓（閥值電壓）。當外加柵極控制電壓V_GS超過(guò)V_GS(th)時(shí)，漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。應用中，常將漏極短接條件下I_D等于1毫安時(shí)的柵極電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓。此參數一般會(huì )隨結溫度的上升而有所降低。
7、P_D：最大耗散功率。是指場(chǎng)效應管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應管實(shí)際功耗應小于PDSM并留有一定余量。此參數一般會(huì )隨結溫度的上升而有所減額。
8、T_j：最大工作結溫。通常為150℃或175℃，器件設計的工作條件下須確應避免超過(guò)這個(gè)溫度，并留有一定裕量。 功率 MOSFET 與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn)：
1、MOSFET 是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級，電路較簡(jiǎn)單；2、輸入阻抗高；3、工作頻率范圍寬，開(kāi)關(guān)速度高(開(kāi)關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒)，開(kāi)關(guān)損耗??；4、有較優(yōu)良的線(xiàn)性區，并且 MOSFET 的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作 Hi-Fi 音響；5、功率 MOSFET 可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無(wú)需均流電阻。

來(lái)源：國際電子商情