沈陽(yáng)儀表院擴散硅壓力敏感芯片

沈陽(yáng)儀表科學(xué)研究院，是始建于1961年的國家級科研院所，目前隸屬于國機集團。12年年底正式掛牌成立的國家傳感器研究中心，是增強傳感器產(chǎn)業(yè)核心競爭能力和發(fā)展為目標的研究開(kāi)發(fā)實(shí)體研究院所，是國家傳感器產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。
 我院是我國最早（1981年）從事硅基敏感芯片、研究、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)的單位，是中國芯片，芯體制造技術(shù)策源地。我院始終以芯片研制為核心技術(shù)，擁有光刻、離子注入、膜片腐蝕等芯片制造技術(shù)，擁有全套芯片制造設備，并廣泛運用于航天，航空，船舶等領(lǐng)域。
擴散硅壓力敏感芯片

HB2103系列敏感芯片 
特點(diǎn)

• 閉合，半開(kāi)，全開(kāi)硅電阻電橋連接形式。

• 恒流激勵，靈敏度溫度自補償功能。

• 反向PN結電隔離構造，玻璃絕緣襯片。

• 適用于表壓，絕壓，差壓，負壓測量。

• 覆蓋100kPa~100MPa所有常用量程

技術(shù)指標 芯片尺寸（μm）2050*2050，2450*2450，3340*3340；工作溫度：-45℃~+100℃（可定制特殊溫度)過(guò)載能力：2倍基準量程(＜10MPa);1.5倍基準量程（≥10MPa）橋路電阻：5（1±20%）KΩ；4（1±20%）KΩ；3.3（1±20%）KΩ滿(mǎn)量程輸出：≥60mV線(xiàn)性度：±0.25%FS零點(diǎn)溫度影響：±0.1%FS/℃滿(mǎn)量程溫度影響：±0.1%FS/℃供電電源：恒流1mA、1.5mA或恒壓5VDC 聯(lián)系我們

沈陽(yáng)儀表科學(xué)研究院有限公司
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