瓷片電容、獨石電容、陶瓷電容的區別

　　獨石電容、瓷片電容、陶瓷電容都是常見(jiàn)的電容元器件之一，獨石電容比較穩定，問(wèn)溫漂系數小，電容值可以做到1uF，壽命長(cháng)，等效直流電阻小，價(jià)格稍貴。

　　瓷片電容的高頻特性好，但電容值最大只能做到0.1uF。瓷片電容也屬于陶瓷電容的一種，陶瓷電容是總稱(chēng)。瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫燒結后作為電極而成的電容器。通常用于高穩定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。

　　而陶瓷電容用用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤(pán)作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。

　　瓷片電容：

　　瓷片電容（ceramiccapacitor）是一種用陶瓷材料作介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫燒結后作為電極而成的電容器。通常用于高穩定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。

　　優(yōu)點(diǎn)：穩定，絕緣性好，耐高壓

　　缺點(diǎn)：容量比較小

　　獨石電容：

　　獨石電容是多層陶瓷電容器的別稱(chēng)，英文名稱(chēng)monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor， 簡(jiǎn)稱(chēng)MLCC，根據所使用的材料，可分為三類(lèi)。

　　一類(lèi)為溫度補償類(lèi)NPO電介質(zhì)這種電容器電氣性能最穩定，基本上不隨溫度、電壓、時(shí)間的改變，屬超穩定型、低損耗電容材料類(lèi)型，適用在對穩定性、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。

　　二類(lèi)為高介電常數類(lèi)X7R電介質(zhì)由于X7R是一種強電介質(zhì)，因而能制造出容量比NPO介質(zhì)更大的電容器。這種電容器性能較穩定，隨溫度、電壓時(shí)間的改變，其特有的性能變化并不顯著(zhù)，屬穩定電容材料類(lèi)型，使用在隔直、耦合、傍路、濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。

　　三類(lèi)為半導體類(lèi)Y5V電介質(zhì)這種電容器具有較高的介電常數，常用于生產(chǎn)比容較大、標稱(chēng)容量較高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩定性較X7R差，容量、損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感，主要用在電子整機中的振蕩、耦合、濾波及旁路電路中。

　　特點(diǎn)：溫度特性好，頻率特性好。一般電容隨著(zhù)頻率的上升，電容量呈現下降的規律，獨石電容下降比較少，容量比較穩定。

　　陶瓷電容：

　　陶瓷電容用用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤(pán)作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內〉。