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連續或脈沖輸出功率可調LD驅動(dòng)電源設計
- 基于負反饋原理穩定輸出電流，設計一種寬范圍連續或脈沖輸出功率穩定可調的半導體激光器驅動(dòng)電源。該電源使用晶體管作為開(kāi)關(guān)，從而縮短脈沖寬度，增加帶負載能力。選用現有大規模集成電路，設計力求簡(jiǎn)單、實(shí)用、低成本及高性能。實(shí)驗結果表明，該驅動(dòng)電源工作穩定，可以驅動(dòng)波長(cháng)范圍在650～980nm的通用半導體激光器，輸出功率在0～300mW范圍內可調，連續或脈沖輸出形式可通過(guò)輸入端控制選取，可廣泛用于對半導體激光驅動(dòng)電源體積要求較小的應用中。
- 關(guān)鍵字： 驅動(dòng) 電源 設計 LD 可調 脈沖 輸出 功率 連續
F-RAM與BBSRAM功能和系統設計之比較
- 引言 高性能和環(huán)保是當前技術(shù)創(chuàng )新的兩大要求。二者共同推動(dòng)半導體元器件的發(fā)展，同時(shí)也為全球眾多企業(yè)和消費者所耳熟能詳。 若系統設計需要采用半導體存儲器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠(chǎng)自動(dòng)化和電信到計量和醫療技術(shù)的每一種應用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設計考慮事項。
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM BBSRAM
B0505LM-1W應用電路
- MORNSUN新出品的B0505LM-1W系列產(chǎn)品可以更好地應用在此方案中，這款隔離1000VDC的超小型、高可靠性的DC/DC轉換器，其輸入電壓為5V，輸出電壓為5V，功率為1W，圖1為該產(chǎn)品的一種典型應用電路。由于實(shí)現輸入與輸出之間
- 關(guān)鍵字： 電路 應用 B0505LM-1W
Ramtron發(fā)布具射頻功能之無(wú)線(xiàn)存儲器MaxArias
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation日前宣布，現正向數個(gè)行業(yè)的客戶(hù)提供首款MaxArias™無(wú)線(xiàn)存儲器產(chǎn)品的beta測試樣品。Ramtron的MaxArias™無(wú)線(xiàn)存儲器產(chǎn)品將無(wú)線(xiàn)存取功能與其非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性特性相結合，能夠在廣泛的應用領(lǐng)域中，實(shí)現創(chuàng )新性數據采集功能。 Ramtron首個(gè)無(wú)線(xiàn)存儲器系列稱(chēng)作MaxArias WM71
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM MaxArias 無(wú)線(xiàn)存儲器
Ramtron推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA，進(jìn)一步擴大其符合AEC-Q100汽車(chē)標準要求的F-RAM存儲器系列陣容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存儲器，可在-40°C至+125°C的Grade 1汽車(chē)溫度范圍工作，是Ramtron不斷增長(cháng)的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100標準的汽車(chē)存儲器產(chǎn)品的新成員。
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM 存儲器 FM25L16-GA
關(guān)于V系列F-RAM的技術(shù)說(shuō)明
- 全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation的兩款具有高速讀/寫(xiě)性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線(xiàn)制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設接口(SPI)的FM25V02。兩款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業(yè)標準8腳SOIC封裝，具有快速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay)寫(xiě)入、幾
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM FM24V02 FM25V02 200909
Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲服務(wù)器及主機總線(xiàn)適配卡 (HBA card) 等應用。 與nvSRAM相比，FM14C88的讀寫(xiě)速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標準300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay™)
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM 儲存器 FM14C88 RAID
Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣，具有較高的讀寫(xiě)速度和較低的工作電壓，其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，并采用業(yè)界標準28腳SOIC封裝，具有快速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay™) 寫(xiě)入、無(wú)乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數及低功耗特點(diǎn)。FM28V020可用于工業(yè)控制、
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM FM28V020 非易失性鐵電存儲器
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