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B0505LM-1W應用電路設計
- MORNSUN新出品的B0505LM-1W系列產(chǎn)品可以更好地應用在此方案中，這款隔離1000VDC的超小型、高可靠性的DC/DC轉換器，其輸入電壓為5V，輸出電壓為5V，功率為1W，圖1為該產(chǎn)品的一種典型應用電路。由于實(shí)現輸入與輸出之間
- 關(guān)鍵字： 電路設計 應用 B0505LM-1W
Ramtron推出64Kbit串口F-RAM存儲器樣片
- 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)宣布，現已在IBM的新生產(chǎn)線(xiàn)上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片。該新產(chǎn)品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件，以總線(xiàn)速率運行且無(wú)寫(xiě)入延遲，并支持高達1萬(wàn)億次 (1e12)的讀/寫(xiě)循環(huán)，這相比同等EEPROM器件高出100萬(wàn)倍。FM24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 μA (在100
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM存儲器
Ramtron出貨首批使用新IBM制造的F－RAM樣片
- Ramtron International Corporation(簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)宣布，現在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線(xiàn)上制造的首批預驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品，這些器件可為電子系統提供高性能非易失性數據采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無(wú)延遲(NoDelay?)寫(xiě)入、高讀/寫(xiě)耐用性及低功耗特性。
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM
Ramtron出貨首批用新IBM生產(chǎn)線(xiàn)制造的F-RAM樣片
- 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation(簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)宣布，現在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線(xiàn)上制造的首批預驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品，這些器件可為電子系統提供高性能非易失性數據采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無(wú)延遲(NoDelay)寫(xiě)入、高讀/寫(xiě)耐
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM樣片
Ramtron和奧地利微電子公司合作提供MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器套件
- 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬IC設計商與生產(chǎn)商奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評測第三代數據豐富自動(dòng)識別應用的MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器套件。Ramtron的MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器評測套件在德國慕尼黑electronica 2010展會(huì )上首次展出。
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM RFID
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