Ramtron宣布提供高速串口F-RAM器件樣片
世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)宣布提供全新4-至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預認證樣片,新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應商的鐵電存儲器工藝制造,具有1萬(wàn)次 (1e12)的讀/寫(xiě)循環(huán)、低功耗和無(wú)延遲(NoDelay )寫(xiě)入特性。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/125115.htmFM25040C、FM25C160C和FM25640C分別是 4、16和 64Kb F-RAM存儲器,能夠以高達20MHz的總線(xiàn)速度進(jìn)行寫(xiě)操作,具有行業(yè)標準串行外設接口(SPI)。F-RAM存儲器陣列在接收到數據后,立即將數據寫(xiě)入存儲器,不同于需要數據輪詢(xún)的EEPROM和其它非易失性存儲器,F-RAM存儲器可以立即開(kāi)始下一個(gè)總線(xiàn)周期,這些特性使得Ramtron最新的串口F-RAM存儲器非常適合需要頻繁和快速寫(xiě)入的非易失性存儲器應用,包括工業(yè)控制和高速數據采集等應用。
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