Ramtron出貨首批用新IBM生產(chǎn)線(xiàn)制造的F-RAM樣片

        世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation(簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)宣布，現在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線(xiàn)上制造的首批預驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品，這些器件可為電子系統提供高性能非易失性數據采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無(wú)延遲(NoDelay)寫(xiě)入、高讀/寫(xiě)耐用性及低功耗特性。

        Ramtron公司首席執行官 Eric Balzer稱(chēng)：“發(fā)布FM24C04C和FM24C16C樣片是Ramtron新代工服務(wù)項目的重要里程碑。這些預驗證芯片符合所有數據表規范和公司嚴格質(zhì)量標準的要求，現在這批樣片可以提供給客戶(hù)做產(chǎn)品評測。在測試完成后，我們將會(huì )提供其它樣片，包括3V I2C和3V及5V SPI產(chǎn)品。”

        FM24C04C和FM24C16C采用串行I2C接口，工作電流為100µA(100kHz下典型值)，總線(xiàn)運行頻率最高可達1MHz。這些器件適用于工業(yè)控制、計量、醫療、軍事、游戲和計算應用及其它領(lǐng)域，可作為4和16Kb串行EEPROM存儲器的直接替代產(chǎn)品。FM24C04C和FM24C16C均采用工業(yè)標準8腳SOIC封裝，工作溫度范圍是工業(yè)級的-40°C至+85°C。

        Ramtron公司FM24CxxC產(chǎn)品的單字節寫(xiě)入速度比EEPROM快200倍。此外，相比記錄新數據之前需要5至10毫秒寫(xiě)入延遲的EEPROM器件，這些器件具有無(wú)延遲特性，能夠以標準總線(xiàn)速度寫(xiě)入。FM24C04C和FM24C16C具有1萬(wàn)億個(gè)寫(xiě)入周期，而EEPROM只有100萬(wàn)個(gè)寫(xiě)入周期。相比同類(lèi)非易失性存儲器產(chǎn)品，它們具有極低的工作電流。