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Vishay發(fā)布高性能單通道和雙通道負載開(kāi)關(guān)

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新的可在1.1V~5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負載開(kāi)關(guān)--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414,器件在1.2V下的低開(kāi)關(guān)導通電阻能夠提高效率,150μs的典型受控軟啟動(dòng)斜率能夠限制涌入電流,使受控的啟動(dòng)過(guò)程更加平滑,從而將開(kāi)關(guān)噪聲降至最小?!?/li>
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Vishay榮獲TTI Asia的優(yōu)秀供應商獎

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd榮獲TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的優(yōu)秀供應商獎。Vishay是全球最大的分立半導體和無(wú)源電子器件制造商之一,TTI是全球領(lǐng)先的授權分銷(xiāo)商,專(zhuān)門(mén)從事無(wú)源、連接器、機電產(chǎn)品和分立器件的分銷(xiāo)?!?/li>
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Vishay發(fā)布業(yè)內首款采用3232外形尺寸的電感器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款I(lǐng)HLP?低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11,該器件在同類(lèi)器件當中首次采用3232外形尺寸。IHLP-3232DZ-11的占位面積為8.3mm x 8.8mm,高度僅有4.0mm,低至1.35m?的最大DCR和從0.22μH至47.0μH的標準感值可提供系統所需的高效率。
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Vishay提供免費Joule School在線(xiàn)脈沖能量計算器

  •   Vishay宣布,在Vishay網(wǎng)站上推出可幫助設計者為其應用選擇合適的繞線(xiàn)電阻的免費在線(xiàn)脈沖能量計算器。   Vishay新的Joule School在線(xiàn)脈沖能量計算器使設計者能夠確定在其應用中在電阻上通過(guò)的脈沖能量。計算器非常適合為承受容性充電/放電或閃電浪涌等大脈沖應用來(lái)選擇合適的繞線(xiàn)電阻,包括電話(huà)塔、雷達系統、風(fēng)車(chē)、焊接機、測試設備和電源等。   Joule School簡(jiǎn)單易用,設計者可以從三種脈沖類(lèi)型中選擇一種進(jìn)行計算,包括矩形脈沖、容性充電/放電脈沖和指數衰減脈沖。在選擇完脈沖類(lèi)型后
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Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝,具有業(yè)內最低的導通電阻,以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積,即優(yōu)值系數。   40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7m?和2.2m?,在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最
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Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝,具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。   
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  SiA923EDJ  

Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用0.6mm超低外形的熱增強Thin PowerPAK? SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內,新的SiA444DJT實(shí)現了N溝道MOSFET當中業(yè)內最低的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導通電阻?!?/li>
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Vishay推出增強型PLT系列精密低TCR薄膜電阻

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出增強型PLT系列精密低TCR薄膜電阻,將容差降至±0.01%。在-55℃~+125℃的溫度范圍內,這些器件具有低至±5ppm/℃的標準TCR。   
  • 關(guān)鍵字: Vishay  薄膜電阻  

Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術(shù),在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內最低的導通電阻。
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Vishay推出超長(cháng)使用壽命新款鋁電容器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新系列螺旋式接線(xiàn)柱功率鋁電容器---104 PHL-ST。該款電容器在+105℃下的使用壽命長(cháng)達5000小時(shí),在+105℃下的額定紋波電流高達34.8A,提供從35mm x 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸。   
  • 關(guān)鍵字: Vishay  鋁電容器  

Vishay推出可滿(mǎn)足更低電壓需求的紅外接收器

  •   Vishay Intertechnology, Inc.宣布,為其TSOP 紅外系列接收器中的10種產(chǎn)品推出新的“V”低壓電源選項,擴充其光電子產(chǎn)品組合,以滿(mǎn)足電池供電的消費產(chǎn)品對更低工作電壓的需求。在低至2V的電源電壓和+5℃~+85℃的溫度范圍內工作時(shí),V系列器件始終能夠保持穩定的靈敏度等級。   在采用2節堿性電池的應用中,以160mA負載工作3小時(shí),電池的典型放電曲線(xiàn)會(huì )從3V降到2.5V。這意味著(zhù)只能在2.5V電壓下工作的標準接收器將停止工作。而一個(gè)典型非線(xiàn)性電池
  • 關(guān)鍵字: Vishay  紅外接收器  V系列  

Vishay推出新款儀表分流電阻

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款Power Metal Strip儀表分流電阻--- WSMS2908,在業(yè)內首次采用可直接焊到PCB板上的傳感引線(xiàn),無(wú)需昂貴的柔性引線(xiàn)。在2908尺寸的封裝內,WSMS2908實(shí)現了3W功率和100 μΩ的極低阻值。   
  • 關(guān)鍵字: Vishay  WSMS2908  

利用低門(mén)限電壓延長(cháng)電池壽命

  •         降低能量消耗、延長(cháng)電池壽命,這是每個(gè)工程師在設計便攜式電子產(chǎn)品時(shí)努力的目標。電池技術(shù)的進(jìn)步非常緩慢,所以便攜式產(chǎn)品的設計者把延長(cháng)電池壽命的重點(diǎn)放在電源管理上。多年以來(lái),從事電源管理業(yè)務(wù)的半導體制造商盡力跟上終端系統用戶(hù)的需求。越來(lái)越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新,這些產(chǎn)品需要峰值性能,要求設計者在設備的物理尺度內實(shí)現盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開(kāi)發(fā)具有比傳統鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術(shù),但還遠不能滿(mǎn)
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Vishay推出國防領(lǐng)域的高可靠性模擬復用器

  •   日前,長(cháng)期為軍工和航天客戶(hù)提供高可靠性分立IC器件的供應商VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出8通道單端模擬復用器高可靠性DG408,擴充其按照MIL-PRF-38535規范進(jìn)行篩選的模擬開(kāi)關(guān)和復用器系列。   
  • 關(guān)鍵字: Vishay  模擬復用器  

Vishay發(fā)布具有極高輻射強度的新款紅外發(fā)射器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布, 推出采用拋物線(xiàn)型透鏡實(shí)現±3°極窄半強角的新款850nm紅外發(fā)射器--- VSLY5850,擴充其光電子產(chǎn)品組合?;讵毺氐谋砻姘l(fā)射器芯片技術(shù),VSLY5850在100mA驅動(dòng)電流下可提供高達600mW/sr的輻射強度、55mW的光功率和10ns的開(kāi)關(guān)時(shí)間。  
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