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vishay intertechnology 文章 進(jìn)入vishay intertechnology技術(shù)社區
Vishay安規電容-汽車(chē)EMI解決方案的優(yōu)質(zhì)選擇
- 在汽車(chē)電子化進(jìn)程中，電磁干擾（EMI）是亟待攻克的難題。Vishay車(chē)用X/Y安規電容應運而生，為汽車(chē)電子系統保駕護航。它具有高耐壓性能，能應對汽車(chē)電氣復雜工況，降低故障風(fēng)險，提升行車(chē)安全。來(lái)源：VishayY2安規電容在電路中起著(zhù)重要作用，主要包括以下幾個(gè)方面?：1.??電氣隔離和安全保護2.??抑制電磁干擾（EMI）?3.??降低過(guò)電壓風(fēng)險?4.??符合安全標準???Vishay作為全球領(lǐng)先安規電容器制造商，相當重視安規產(chǎn)品的可靠性和壽命。在選擇 Y
- 關(guān)鍵字： Vishay 安規電容 EMI
Vishay HV 系列高壓 MLCC 賦能工業(yè)應用
- 隨著(zhù)現代工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，產(chǎn)品對高性能電子元件的需求日益增加。高壓多層陶瓷電容器（HV MLCC）因其優(yōu)越的電氣性能、體積小、可靠性高等特點(diǎn)，廣泛應用于各類(lèi)工業(yè)設備中。Vishay的 HV 系列高壓 MLCC 是這一領(lǐng)域的佼佼者，本文將探討其在工業(yè)中的應用及優(yōu)勢。產(chǎn)品特性(如圖表所示)：HV MLCC 圖表，來(lái)源：Vishay? 高額定電壓：500 VDC - 8 kVDC? 封裝尺寸：1206 至 4044（英制）? 串聯(lián)電極設計：提供高可靠性? NME 系統和濕法工藝：
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Vishay推出新款精密薄膜MELF電阻，可減少系統元器件數量，節省空間，簡(jiǎn)化設計并降低成本
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，通過(guò)AEC-Q200認證的0102、0204和0207封裝薄膜MELF電阻推出提高阻值范圍的精密版器件--- MMU 0102、MMA 0204和MMB 0207。Vishay Beyschlag 的這三款器件的溫度系數（TCR）低至 ± 15 ppm/K，公差僅為 ± 0.1 %，阻值高達10 MW，滿(mǎn)足各種應用高穩定性和高可靠性的要求。與之前的薄膜MELF電阻產(chǎn)品相比，日前發(fā)布的器件阻值顯著(zhù)提高。例如，TCR為 ± 25 pp
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Vishay全集成接近傳感器榮獲2024年度中國IoT創(chuàng )新獎和2024年度EE Awards亞洲金選獎
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公司的VCNL36828P全集成接近傳感器榮獲兩項行業(yè)大獎。器件分別獲得2024年度中國IoT創(chuàng )新獎的“IoT年度產(chǎn)品獎”以及2024年度 EE Awards亞洲金選獎的“年度最佳傳感器獎”。IoT創(chuàng )新獎?dòng)深I(lǐng)先的電子科技媒體《電子發(fā)燒友網(wǎng)》主辦，已連續成功舉辦八屆，旨在表彰過(guò)去一年推出的對物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)產(chǎn)生深遠影響的產(chǎn)品和技術(shù)。EE Awards亞洲金選獎?dòng)扇蚣夹g(shù)電子領(lǐng)域最大的媒體集團AspenCore主辦，旨在表彰為亞洲電子行業(yè)的
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Vishay推出應用于對安全要求極高的電子系統的新款1 Form A固態(tài)繼電器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款1 Form A固態(tài)繼電器---VOR1060M4，該器件采用薄形SOP-4封裝，提供600 V負載電壓和3750 VRMS隔離電壓。Vishay? VOR1060M4旨在為儲能、工業(yè)和移動(dòng)應用提供快速開(kāi)關(guān)，可提供0.3 ms的快速導通時(shí)間（典型值）和2 nA的低漏電流。日前發(fā)布的這款光隔離器件采用先進(jìn)的紅外發(fā)射器和光電二極管，導通時(shí)間快，非常適合對安全要求極高的應用。固態(tài)繼電器的漏電流較低，使器件可在敏感的低電
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Vishay推出采用TO-263（D2PAK）封裝，具有多脈沖處理能力的車(chē)規級表面貼裝厚膜功率電阻器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出TO-263（D2PAK）封裝新型車(chē)規級表面貼裝厚膜功率電阻器---D2TO35M。Vishay Sfernice D2TO35M通過(guò)AEC-Q200認證，具有多脈沖處理能力，25 °C殼溫下功率耗散達35 W，適用于各種汽車(chē)應用。日前發(fā)布的器件功率耗散和穩定性均優(yōu)于標準TO-263（D2PAK）封裝器件，適用于多脈沖和重復脈沖條件下使用。電阻器25 °C下1000次脈沖最大阻值偏移為2%，100 000次脈沖阻值偏移小于5
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Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢復整流器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車(chē)級器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復整流器平臺陣容。1 A 和 2 A 整流器針對工業(yè)和汽車(chē)應用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類(lèi)器件中，不僅在反向恢復電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現了權衡，還提供了更低的結電容和更短恢復時(shí)間。日前發(fā)
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Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200 V FRED Pt超快恢復整流器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車(chē)級器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復整流器平臺陣容。1 A 和 2 A 整流器針對工業(yè)和汽車(chē)應用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類(lèi)器件中，不僅在反向恢復電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現了權衡，還提供了更低的結電容和更短恢復時(shí)間。日前發(fā)
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Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢復整流器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車(chē)級器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復整流器平臺陣容。1 A 和 2 A 整流器針對工業(yè)和汽車(chē)應用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類(lèi)器件中，不僅在反向恢復電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現了權衡，還提供了更低的結電容和更短恢復時(shí)間。日前發(fā)
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Vishay新款150V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計算應用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導通電阻降低了68.3 %，導通電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數（FOM）降低了1
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
Vishay推出適用于惡劣環(huán)境的緊湊型密封式SMD微調電阻器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出最新TS7系列單圈表面貼裝式陶瓷微調電阻器。TS7的微調器采用6.7 mm x 7 mm的緊湊尺寸，高度為5 mm，非常適合惡劣環(huán)境中需要優(yōu)化電路板空間的應用。TS7系列旨在支持自動(dòng)化裝配和設置流程，提高生產(chǎn)效率，同時(shí)縮短時(shí)間并降低成本。微調電阻器完全密封，可承受標準電路板清洗處理，從而在嚴苛的工業(yè)、消費和通信環(huán)境中確保器件的可靠性。TS7系列在+70 °C時(shí)的額定功率為0.5 W，可采用頂部和側面兩種調節方式，可靈活地滿(mǎn)足多
- 關(guān)鍵字： Vishay SMD 微調電阻器
Vishay推出的新款高能浪涌限流PTC熱敏電阻，可提高有源充放電電路性能
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列新型浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL高能系列器件最大能量吸收能力達340 J，比高環(huán)境溫度下競品器件高五倍，在25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理能力，可提高汽車(chē)和工業(yè)應用中有源充放電電路的性能。日前發(fā)布的熱敏電阻R25阻值為150 W至1.5 kW，可實(shí)現更高效率，并處理高達1200 VDC的最高電壓。器件在更高環(huán)境溫度下的能量吸收
- 關(guān)鍵字： Vishay 浪涌限流 熱敏電阻 充放電電路
Vishay的采用延展型SO-6封裝的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅動(dòng)器實(shí)現緊湊設計、快速開(kāi)關(guān)和高壓
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用緊湊、高隔離延展型SO-6封裝的最新IGBT和MOSFET驅動(dòng)器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值輸出電流分別達3 A和4 A，工作溫度高達+125 °C，傳播延遲低至200 ns。今天發(fā)布的光耦合器包含一個(gè)AlGaAs LED（該LED通過(guò)光學(xué)耦合方式連接到具有功率輸出級的集成電路，用于太陽(yáng)能逆變器和微逆變器）、交流和無(wú)刷直流工業(yè)電機控制逆變器，以及用于U
- 關(guān)鍵字： Vishay IGBT驅動(dòng)器 MOSFET驅動(dòng)器
Vishay推出通過(guò)AEC-Q102認證，負載電壓達100V的業(yè)內先進(jìn)的1FormA固態(tài)繼電器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內先進(jìn)的1 Form A固態(tài)繼電器--- VORA1010M4，該器件通過(guò)AEC-Q102認證，負載電壓達100 V。Vishay Semiconductors VORA1010M4采用薄型SOP-4封裝，典型導通和關(guān)斷時(shí)間達到業(yè)內出色的0.1 ms，工作溫度可達+125 °C。日前發(fā)布的光隔離器件集成關(guān)斷電路提高關(guān)斷速度，先進(jìn)的紅外發(fā)射器和光電二極管組合陣列實(shí)現快速導通。固態(tài)繼電器具有出色的開(kāi)關(guān)性能，是安全關(guān)鍵性應用的理想
- 關(guān)鍵字： Vishay 1FormA 固態(tài)繼電器
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