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Vishay推出的新款10MBd低功耗光耦,供電電流低至5mA,電壓范圍2.7V至5.5V

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦,有助于工業(yè)應用節能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V,采用集電極開(kāi)路輸出,適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線(xiàn)系統。日前發(fā)布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測器邏輯門(mén)結合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
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Vishay IHPT-1411AF-ABA觸控反饋執行器榮獲AspenCore全球電子成就獎

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其經(jīng)過(guò)AEC-Q200認證的IHPT-1411AF-ABA觸控反饋執行器獲得2023年度AspenCore全球電子成就獎(World Electronics Achievement Award)“年度高性能被動(dòng)電子/分立器件獎”。該器件適用于LCD顯示屏、觸摸屏和觸摸開(kāi)關(guān)面板等各種12 V車(chē)載應用。器件采用小型兩件式結構,帶安裝孔,便于安裝和直接操作,具有高沖擊脈沖和振動(dòng)傳遞能力,可在嘈雜的環(huán)境下提供清晰的觸覺(jué)反饋。由電子技術(shù)領(lǐng)域
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Vishay推出SuperTan鉭殼液鉭電容器,抗沖擊和耐振動(dòng)能力達到高可靠性應用H級標準

美國芯片公司Vishay將收購安世半導體紐波特晶圓廠(chǎng)

  • 11月8日,美國芯片公司Vishay Intertechnology和安世半導體(Nexperia)宣布,雙方已經(jīng)達成協(xié)議,Vishay將以1.77億美元現金收購Nexperia位于英國南威爾士紐波特的晶圓制造廠(chǎng)和相關(guān)業(yè)務(wù)。紐波特晶圓廠(chǎng)交易需接受英國政府審查,并符合第三方購買(mǎi)權和慣例成交條件,預計將于2024年第一季度完成。資料顯示,紐波特晶圓廠(chǎng)是一家200mm半導體晶圓廠(chǎng),經(jīng)過(guò)汽車(chē)認證,主要供應汽車(chē)市場(chǎng)。占地28英畝,是英國規模最大的半導體制造廠(chǎng)。Vishay總裁兼首席執行官Joel Smejkal表示
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貿澤聯(lián)手Vishay推出全新電子書(shū)探討支持新一代工業(yè)4.0的技術(shù)

  • 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與Vishay聯(lián)手推出全新電子書(shū)《The Next Generation of Industry 4.0》(新一代工業(yè)4.0),分析了支持新一代工業(yè)4.0解決方案的技術(shù)和元件。書(shū)中,Vishay和貿澤深入探討了為全球工廠(chǎng)帶來(lái)變革的自動(dòng)化浪潮,以及這種浪潮背后起到支持作用的關(guān)鍵解決方案。本電子書(shū)收錄了四篇詳細的專(zhuān)題文章,介紹了支持新一代工業(yè)應用的數字元件,此外還包含一張展望未來(lái)工業(yè)5.0的實(shí)用信息圖。
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使用鉭電容器的引爆系統與傳統雷管對比有何優(yōu)勢?

  • 與任何電子設備一樣,引爆系統需要內部電源為系統控制器 (MCU) 供電并為點(diǎn)火電容充電。為了確保正確定時(shí)、可靠引爆,需要使用電容器作引爆元件的儲能器件。與其他電容技術(shù)相比,模塑鉭 (MnO2) 電容器能夠儲存電荷(低漏電流),能量密度高,是電子引爆系統的理想選擇,可留出更多時(shí)間,釋放更大電壓確保正確起爆。對于開(kāi)發(fā)和制造電子引爆系統以滿(mǎn)足采礦應用需求的公司,本文將為大家介紹鉭電容器技術(shù)的優(yōu)勢。對于現代引爆系統來(lái)說(shuō),模塑鉭 (MnO2) 電容器具有兩個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)。首先,與鋁電解電容器不同,它們具有這些小型系統所
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功率逆變器應用采用寬帶隙半導體器件時(shí),柵極電阻選型注意事項

  • 本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢,以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開(kāi)關(guān)損耗,開(kāi)關(guān)損耗會(huì )被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成電路噪聲。為了減少電路噪聲,需要認真考慮柵極電阻的選擇,從而不必延長(cháng)死區時(shí)間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時(shí)的考慮因素,如脈沖功率、脈沖時(shí)間和溫度、穩定性、寄生電感等。同時(shí),將和大家探討不同類(lèi)型的柵極電阻及其在該應用中的優(yōu)缺點(diǎn)。寬帶隙半導體器件的優(yōu)勢設計出色功效的電子應用時(shí),需要考慮使用新型高性能氮化鎵 (G
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Vishay推出業(yè)內先進(jìn)的小型6A、20A和25A降壓穩壓器模塊,提高POL轉換器功率密度

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型6 A、20 A和25 A microBRICK? 同步降壓穩壓器---SiC967、SiC931和SiC951,用來(lái)提高負載點(diǎn)(POL)轉換器的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiC967、SiC931和SiC951采用10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm封裝,占位面積和高度均小于市場(chǎng)上此類(lèi)器件,輸入電壓范圍4.5 V至60 V。日前發(fā)布的穩壓器模塊比其他解決方案小69%,每款模塊集成兩個(gè)高性
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Vishay推出具有業(yè)內先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E,提高通信、工業(yè)和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%,同時(shí)導通電阻與柵極電荷乘積下降59%,該參數是650?V MOSFET在功率轉換應用中的重要優(yōu)值系數(FOM)。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉換過(guò)程,涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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Vishay推出具有調制載波輸出功能,適用于代碼學(xué)習應用的微型紅外傳感器模塊

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款適用于遙控系統的新系列微型紅外(IR)傳感器模塊---雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000。Vishay Semiconductors 雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000具有調制載波輸出功能,適用于代碼學(xué)習應用,供電電壓范圍2.0 V至5.5 V,3.3 V下典型功耗低至0.35 mA。日前發(fā)布的器件配置內部設計的新型IC,旨在確保長(cháng)期供貨并縮短交貨期,
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貿澤提供品類(lèi)豐富的Vishay汽車(chē)級產(chǎn)品

  • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 供應多款Vishay針對汽車(chē)應用設計的產(chǎn)品。Vishay制定了自己的汽車(chē)級標準,目標是盡可能杜絕缺陷、事故和故障。該標準納入了汽車(chē)行業(yè)的關(guān)鍵質(zhì)量管理措施和健全的設計政策,在開(kāi)發(fā)新品和改良現有產(chǎn)品時(shí)采用了失效模式和影響分析 (FMEA) 方法。Vishay汽車(chē)級標準的要求涵蓋了設計、認證和制造,同時(shí)也用于持續改善公司的產(chǎn)品和工藝。只有滿(mǎn)足這些要求的元件,才能在數據手冊中使用汽車(chē)級認證標志。
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Vishay推出業(yè)內先進(jìn)的標準整流器與TVS二合一解決方案

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)內先進(jìn)的標準整流器與瞬變電壓抑制器(TVS)二合一器件---R3T2FPHM3,為汽車(chē)應用提供新型表面貼裝解決方案。Vishay General Semiconductor R3T2FPHM3采用氧化物平面芯片結設計和共陰極電路配置,將3 A,600 V標準整流器和200 W TRANSZORB??TVS組合在小型FlatPAK 5 x 6封裝中。日前發(fā)布的器件工作溫度?-55 °C 至?+17
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Vishay推出基于VCSEL的新款高性能反射式光傳感器

  • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年8月9日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出用于工業(yè)、計算機、消費和移動(dòng)應用領(lǐng)域的新型反射式光傳感器--- VCNT2030。與上一代解決方案相比,Vishay Semiconductors的VCNT2030更加節省空間,同時(shí)擁有更高的電流傳輸比(CTR)、更遠的傳感距離和更低的功耗,從而提高了性能。該產(chǎn)品配置了垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)和硅光電晶體管,采用1
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Vishay推出額定電流高達7A的新款60V、100V和150V TMBS整流器

  • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年7月6日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出五款新系列60 V、100 V和150 V表面貼裝溝槽式MOS勢壘肖特基(TMBS?)整流器---VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153,這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤(pán)DFN3820A封裝。VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153額定電流7 A,達到業(yè)界先進(jìn)水
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Vishay推出首款采用Power DFN系列DFN3820A封裝的200 V FRED Pt Ultrafast整流器

  • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年6月21日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出四款新系列200 V FRED Pt? 超快恢復整流器---1 A VS-1EAH02xM3、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3,這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤(pán)DFN3820A封裝。這四款新器件為商業(yè)、工業(yè)和車(chē)載應用提供節省空間的高效解決方案,每種產(chǎn)品都有V
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