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凌力爾特推出高速同步MOSFET驅動(dòng)器LTC4447
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4447，該器件用來(lái)在同步整流轉換器拓撲中驅動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅動(dòng)器加上功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器，就可組成一個(gè)完整的高效率同步穩壓器，該穩壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉換器。 LTC4447 在一個(gè) 4V 至 6.5V 的電壓范圍內對上端和下端 MOSFET 柵極進(jìn)行軌至軌驅動(dòng)，并可從一個(gè)高達 38V 的電
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Vishay推出新型20V P 通道TrenchFET? 功率 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝，具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時(shí)業(yè)界最低的導通電阻。 隨著(zhù)便攜式電子設備的體積越來(lái)越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會(huì )極大減少。為實(shí)現消費者對用電池做電源的電子設備的更長(cháng)運行時(shí)間的期望，
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凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅動(dòng)器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4446，用來(lái)驅動(dòng)雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開(kāi)關(guān)。 這個(gè)強大的驅動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達 2.5A 的電流
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Linear推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅動(dòng)器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4446，用來(lái)驅動(dòng)雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開(kāi)關(guān)。 這個(gè)強大的驅動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達 2.5A 的電流
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凌力爾特推出60V高壓側電流檢測 DC/DC 轉換器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 60V、高壓側電流檢測 DC/DC 轉換器 LT3755，該器件為驅動(dòng)大電流 LED而設計。4.5V 至 40V 的輸入電壓范圍使其適用于多種應用，如汽車(chē)、工業(yè)和建筑照明。LT3755 使用外部 N 溝道 MOSFET，可以用標稱(chēng) 12V 的輸入驅動(dòng)多達 14 個(gè) 1A 的白光 LED，提供超過(guò) 50W 的功率。該器件具高壓側電流檢測，能夠用在升壓、降壓、降壓-升壓或 SEPIC 和反激式拓撲中。LT3755 在升壓模
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Maxim推出內置MOSFET開(kāi)關(guān)的8串白光LED (WLED)驅動(dòng)器
- Maxim推出內置MOSFET開(kāi)關(guān)的8串白光LED (WLED)驅動(dòng)器MAX17061。器件采用內部開(kāi)關(guān)型電流模式升壓控制器驅動(dòng)LED陣列，最多可驅動(dòng)8串并聯(lián)的LED (每串可連接10個(gè)LED)。為保證均勻的LED亮度，每串LED采用一個(gè)電流源驅動(dòng)，各串之間的電流均衡精度可達±1.5%。另外，MAX17061還提供一路DPWM信號，用于精確控制WLED亮度。該DPWM信號可通過(guò)PWM接口、SMBus™兼容接口、或這兩者同時(shí)進(jìn)行控制。DPWM信號的頻率由外部電阻設置，進(jìn)一步增加
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汽車(chē)電子功率MOSFET
- 過(guò)去15到20年間，汽車(chē)用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話(huà)題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車(chē)電子系統中常遇到的掉載和系統能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現象。且封裝很簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247封裝。電動(dòng)車(chē)窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應用已逐漸成為大多數汽車(chē)的標配，在設計中需要類(lèi)似的功率器件。在這期間，隨著(zhù)電機、螺線(xiàn)管和燃油噴射器日益普及，車(chē)用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。 今天的汽車(chē)電子系統已開(kāi)創(chuàng )了功率器件的新時(shí)代。本文將介紹和討論幾種推動(dòng)汽車(chē)
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使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計算應用的高功耗問(wèn)題
- 對于主板設計師來(lái)說(shuō)，要設計處理器電壓調節模塊(VRM)來(lái)滿(mǎn)足計算機處理器永無(wú)止境的功率需求實(shí)在是個(gè)大挑戰。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續追隨摩爾(Moore)定律。 在過(guò)去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅動(dòng)高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時(shí)，電流切換速率要求也有相當大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
- 關(guān)鍵字： MOSFET VRM 英特爾 低功耗 芯片 PWB
瑞薩科技發(fā)布RQA0010和RQA0014高頻功率MOSFET器件
- 2008年5月26日,瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高頻功MOSFET，以實(shí)現業(yè)界最高功效級別*1 和IEC61000-4-2的4級ESD標準*2 的高可靠性。這些器件適用于手持式無(wú)線(xiàn)設備發(fā)射器的功率放大器。 這兩種產(chǎn)品可以放大轉換為高頻的音頻信號，以發(fā)射規定的輸出功率，并將該功率傳送給天線(xiàn)。1 W輸出的RQA0010的將從2008年8月開(kāi)始在日本提供樣品，0.25 W輸出的RQA0014樣品將于9月開(kāi)始提供。 這兩種產(chǎn)品具有以下特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩科技 MOSFET 無(wú)線(xiàn)設備 發(fā)射器 功率放大器
高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng )新 英飛凌專(zhuān)家詳解提升能效秘笈
- 環(huán)境污染、溫室效應、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類(lèi)生存的難題已經(jīng)使全球有識之士認識到節能減排提高能效是未來(lái)科學(xué)技術(shù)活動(dòng)一項長(cháng)期的任務(wù)。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開(kāi)關(guān)電源高級市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個(gè)時(shí)髦詞匯，更是一個(gè)全球挑戰！”如何應對這項挑戰？各個(gè)半導體紛紛從半導體器件入手，幫助系統公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來(lái)動(dòng)作頻頻，近日，英飛凌公司高調發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 半導體 OptiMOS MOSFET 導通電阻 CanPAK封裝 DirectFET封裝 電源管理
運用MOSFET實(shí)現完美安全系統
- 車(chē)上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動(dòng)馬達，許多組件的多元應用，不僅提供了各式各樣的高負載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車(chē)所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車(chē)上電子系統的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，才能避免組件發(fā)生故障，降低電子系統所造成損害。 另外，在一般汽車(chē)行駛的情況下，一旦出現了車(chē)上的組件出現故障狀況，將導致汽車(chē)上的電路系統發(fā)生短路，或電源無(wú)法供電。在遠程傳感器中采用車(chē)用金屬氧化半導體場(chǎng)效晶體管（Metal
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MOSFET開(kāi)關(guān)軌跡線(xiàn)的示波器重現方法
- MOSFET的開(kāi)關(guān)軌跡線(xiàn)是判斷MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開(kāi)關(guān)電源的性...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 損耗 開(kāi)關(guān) 動(dòng)態(tài) 截至 飽和
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