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vd-mosfet 文章 進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區
基于場(chǎng)效應管的直流電機驅動(dòng)控制電路設計
- 1 引言 長(cháng)期以來(lái)，直流電機以其良好的線(xiàn)性特性、優(yōu)異的控制性能等特點(diǎn)成為大多數變速運動(dòng)控制和閉環(huán)位置伺服控制系統的最佳選擇。特別隨著(zhù)計算機在控制領(lǐng)域，高開(kāi)關(guān)頻率、全控型第二代電力半導體器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的發(fā)展，以及脈寬調制(PWM)直流調速技術(shù)的應用，直流電機得到廣泛應用。為適應小型直流電機的使用需求，各半導體廠(chǎng)商推出了直流電機控制專(zhuān)用集成電路，構成基于微處理器控制的直流電機伺服系統。但是，專(zhuān)用集成電路構成的直流電機驅動(dòng)器的輸出功率有限，不適合大功率直流電機驅動(dòng)需求
- 關(guān)鍵字： 直流電機 驅動(dòng) PWM MOSFET
Vishay推出 P通道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率 MOSFET 系列，該系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件，這些是采用此封裝類(lèi)型的業(yè)界首批具有上述額定電壓的器件。 日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用 PowerPAK SC-75 封裝的 -12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 單 p 通道功率 MOSFET。先前宣布推出的 SiB417DK 為首款 -8V 的此類(lèi)器件，目前此類(lèi)器件又
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET p 通道 功率
PAM推出內置MOSFET高壓30瓦LED驅動(dòng)器PAM2842
- PAM(Power Analog Microelectronics)推出內置MOSFET高壓30瓦的LED驅動(dòng)器,采用臺積電的雙極型CMOS-DMOS(BCD)工藝制成。具有從5.5V 到40V很寬的輸入電壓范圍，它是一個(gè)非常靈活的LED驅動(dòng)器,可以工作于升壓、降壓、升降壓（SEPIC）三種工作方式。它可以利用內置的MOSFET來(lái)驅動(dòng)10個(gè)3瓦的LED，或者30個(gè)1瓦的LED。由于它在很寬的電壓范圍內的恒流特性和95%以上的效率，使它不論是在輸入電壓跌落或很高的環(huán)境溫度時(shí)，都能正常工作。因為利用了臺積
- 關(guān)鍵字： 驅動(dòng)器 PAM MOSFET LED 臺積電
凌力爾特推出寬輸入電壓范圍同步降壓型DC/DC 控制器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出寬輸入范圍同步降壓型開(kāi)關(guān)穩壓器控制器 LTC3851，該器件驅動(dòng)所有 N 溝道功率 MOSFET 級并具有一致或比例跟蹤功能。4V 至 38V 的輸入范圍促成種類(lèi)繁多的應用，包括大多數中間總線(xiàn)電壓和電池化學(xué)組成。強大的片上 MOSFET 柵極驅動(dòng)器允許使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的輸出電壓范圍內產(chǎn)生高達 20A 的輸出電流，從而使 LTC3851 非常適合于負載點(diǎn)需求。應用包括汽車(chē)、工業(yè)、
- 關(guān)鍵字： 凌力爾特 穩壓器 控制器 MOSFET
Maxim推出2.2MHz、雙路輸出DC-DC轉換器
- Maxim Integrated Products推出能夠提供2A和1A輸出電流的雙路輸出、高開(kāi)關(guān)頻率DC-DC轉換器MAX5098A/MAX5099.轉換器直接采用汽車(chē)電池供電，集成了能承受高達80V瞬態(tài)電壓的拋負載保護電路，器件的工作電壓可低至4.5V，以適應冷啟動(dòng)情況。另外，器件具有可編程的200kHz至2.2MHz寬開(kāi)關(guān)頻率范圍，從而可以工作于A(yíng)M頻段以外的頻率?？煽康谋Ｗo特性和較寬開(kāi)關(guān)頻率范圍使MAX5098A/MAX5099成為高端設備、儀表盤(pán)顯示器和汽車(chē)廣播等汽車(chē)應用的理想選擇。
- 關(guān)鍵字： Maxim DC-DC 轉換器 MOSFET
中國電動(dòng)自行車(chē)消費需求減弱 沖擊半導體市場(chǎng)
- 據iSuppli公司，預計2008年中國市場(chǎng)電動(dòng)自行車(chē)出貨量將低于2007年，與2005年大增80%以及過(guò)去10年94%的復合年增長(cháng)率形成鮮明對比。2008年中國電動(dòng)自行車(chē)產(chǎn)量將達到2110萬(wàn)輛，營(yíng)業(yè)收入為29億美元。比2007年2130萬(wàn)的出貨量下降不到1%。這意味著(zhù)今年中國的多數電動(dòng)自行車(chē)廠(chǎng)商可能遭遇虧損。 圖 2004-2012年中國電動(dòng)自行車(chē)產(chǎn)量與預測 來(lái)源：iSuppli，2008年6月 中國電動(dòng)自行車(chē)廠(chǎng)商目前面臨更加不確定的消費者以及更加嚴格的政府法規。經(jīng)過(guò)10年
- 關(guān)鍵字： 半導體 電動(dòng)自行車(chē) MOSFET 電池 200808
卓芯微電子推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品
- 卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強型場(chǎng)效應管采用高密度DMOS生產(chǎn)工藝，具有極低的導通電阻，并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開(kāi)啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝，同時(shí)具有極佳的反向漏電特性。 該兩款產(chǎn)品主要應用在充電電路，DC/DC 轉換器和LED控制電路。整個(gè)器件在正向導通時(shí)具有很低的正向壓降，不僅滿(mǎn)足使用USB接口進(jìn)行充電的要求，同時(shí)具有極低的功率耗散，提升整個(gè)系統的能效。 這兩款產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： MOSFET 卓芯微電子 充電電路 電源管理
汽車(chē)電子功率MOSFET技術(shù)
- 過(guò)去15到20年間，汽車(chē)用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話(huà)題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 汽車(chē)電子系統 系統功率
Maxim推出高壓、高速MOSFET驅動(dòng)器
- Maxim推出高壓、高速MOSFET驅動(dòng)器MAX15018/MAX15019，用于驅動(dòng)高邊和低邊n溝道MOSFET。器件具有高端(HS)引腳，允許高達125V的輸入電壓，該指標優(yōu)于競爭產(chǎn)品的105V電壓。MAX15018/MAX15019與工業(yè)標準的HIP2100IB和HIP2101IB引腳兼容，理想用于必須承受100V或更高瞬態(tài)電壓的電信電源產(chǎn)品中，保證足夠的安全裕量。 MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值電流，傳輸延遲僅為35ns (典型值)，驅動(dòng)器之間能夠保證2ns (
- 關(guān)鍵字： Maxim MOSFET 驅動(dòng)器 TTL
ST推出250A功率MOSFET 提高電機驅動(dòng)能效
- 意法半導體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統性能。 新產(chǎn)品STV250N55F3是市場(chǎng)上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線(xiàn)帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET，無(wú)裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點(diǎn)包括：開(kāi)關(guān)損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線(xiàn)源極連接配置還有助于
- 關(guān)鍵字： MOSFET ST 意法半導體 晶體管
性能差異化功率器件制造面臨多重挑戰
- 不同應用對功率半導體器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，這些新的需求又對功率半導體器件的生產(chǎn)工藝提出了種種新的挑戰。 天津中環(huán)半導體股份有限公司技術(shù)部部長(cháng)饒祖剛表示，性能不同的功率半導體器件滿(mǎn)足了差異化應用的需求，而這些不同功率半導體器件對制造工藝提出了多重挑戰。 功率器件要滿(mǎn)足差異化應用需求 功率半導體器件工作在大功率條件下，除了要具備低功耗的特點(diǎn)外，不同的應用還提出了一些新需求。例如，在電動(dòng)車(chē)、混合動(dòng)力汽車(chē)這樣的應用中，功率半導體器件需要
- 關(guān)鍵字： 功率半導體器件 低功耗 MOSFET
凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅動(dòng)器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4446，用來(lái)驅動(dòng)雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開(kāi)關(guān)。 這個(gè)強大的驅動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達 2.5A 的電流
- 關(guān)鍵字： 凌力爾特 MOSFET 驅動(dòng)器 轉換器
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