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ufs 4.1 文章 進(jìn)入ufs 4.1技術(shù)社區
集邦咨詢(xún)：受惠需求回溫及產(chǎn)能調節，第二季NAND Flash合約價(jià)跌幅略有收斂
- Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機換機周期延長(cháng)、蘋(píng)果新機銷(xiāo)售不如預期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類(lèi)NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉為供過(guò)于求以來(lái)跌幅最劇的一季?！ ≌雇诙?，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經(jīng)第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供應商
- 關(guān)鍵字： NAND UFS SSD
關(guān)于NAND閃存大科普
- 在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀(guān)念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣??！ 」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或寫(xiě)入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng )新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì )表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著(zhù)PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
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NAND閃存大科普
- 在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀(guān)念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣??！ 」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或寫(xiě)入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng )新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì )表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著(zhù)PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
- 關(guān)鍵字： NAND UFS
LPDDR5、UFS 3.0存儲介紹：我們何時(shí)能用上？
- 相較于處理器芯片，存儲性能這些年在智能手機上的重要性也開(kāi)始逐漸凸顯。據Android Authority總結，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存儲卡將會(huì )成為新一輪旗艦智能機將要占領(lǐng)的技術(shù)之制高點(diǎn)?！ 【唧w來(lái)說(shuō)，LPDDR5的速度將達到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC廠(chǎng)商Synopsys透露的，LPDDR5將引入WCK差分時(shí)鐘，類(lèi)似于GDDR5，從而在不增加引腳的情況下提升頻率?！ 〈送?，LPDDR5還將引入
- 關(guān)鍵字： LPDDR5 UFS 3.0
三星不再霸權！美光強勢殺入UFS 2.1手機閃存
- 2月26日，美光發(fā)布了專(zhuān)為安卓旗艦機打造的UFS 2.1標準閃存，容量設計為64GB、128GB和256GB。 顆粒選用TLC，3D 64層堆疊，美光強調基于人工智能技術(shù)進(jìn)行了APP打開(kāi)、運行有關(guān)的性能優(yōu)化。 由于是第二代3D閃存，美光稱(chēng)性能提升了50%。 單Die面積59.341mm2，32GB，號稱(chēng)業(yè)內最小。因此，在同樣芯片面積下的總容量翻番。 新閃存將于今春發(fā)貨，2018年下半年開(kāi)始出現在智能機中。 由于此前，UFS2.1能穩定供貨的只有三星和東芝，導致價(jià)格較高，美
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UFS 3.0進(jìn)軍車(chē)用儲存 三星256GB Flash量產(chǎn)
- 三星電子(Samsung Electronics)于2018年2月宣布最新256GB嵌入式通用快閃儲存(embedded Universal Flash Storage, eUFS) 2.1解決方案已開(kāi)始量產(chǎn)， 是業(yè)界首款將固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )(JEDEC)的UFS 3.0標準導入汽車(chē)應用的儲存設備。 三星電子在2017年9月宣布首款128GB eUFS技術(shù)有所突破之后，于近日發(fā)布量產(chǎn)256GB eUFS 2.1車(chē)用內存。 該儲存設備將為下一代駕駛輔助系統(ADAS)、車(chē)用娛樂(lè )系統與儀表板應用帶來(lái)更好的
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TrendForce：2018年NAND Flash價(jià)格有望縮減10%-20%
- TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash價(jià)格有機會(huì )走跌，下半年需求回升，可能再次供不應求，預估2018年NANDFlashASP(平均銷(xiāo)售單價(jià))將較2017年縮減10%-20%。 相對而言，TrendForce預計，2018年DRAM產(chǎn)能擴增效益有限，價(jià)格趨勢與供給狀況持續看漲、看緊。 TrendForce表示，就移動(dòng)存儲來(lái)看，智能手機應用的存儲零組件價(jià)格從2016年第三季開(kāi)始不斷攀升，以主流規格而言，到今年第四季價(jià)格平均上升40%，不僅影響各大品牌在智能手機的
- 關(guān)鍵字： UFS NANDFlash
群聯(lián)UFS新芯片獲高通和海思認證
- NAND Flash解決方案供應商群聯(lián)9、10月連續兩月份的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)出貨量都破歷史新高，上月更達到100萬(wàn)組的水準，另一個(gè)好消息是，群聯(lián)在下一代的嵌入式快閃存儲器新款的UFS芯片PS8313上，已經(jīng)通過(guò)手機芯片大廠(chǎng)高通(Qualcomm)和海思等智能手機芯片平臺的測試，新產(chǎn)品布局有成。 群聯(lián)今年全力沖刺SSD和嵌入式存儲器解決方案eMMC產(chǎn)品線(xiàn)，繼9月SSD出貨量突破90萬(wàn)片后，10月再創(chuàng )新高達100萬(wàn)片水準。 以第3季表現來(lái)看，群聯(lián)第3季獲利創(chuàng )下單季歷史新高，主要是受惠多項主流
- 關(guān)鍵字： UFS 海思
UFS 3.0曝光：2666MB/s速度 快到飛起
- 智能手機體驗優(yōu)秀與否，除了處理器芯片，閃存芯片也是一大影響因素，目前手機上常搭載的閃存有UFS 2.1、UFS 2.0及eMMC 5.1等標準。其中UFS標準于2011年誕生，升級到2.0版本是在2013年，2.1版本則是在2016年發(fā)布的，而近日據網(wǎng)友爆料其下一代標準3.0也已經(jīng)在研發(fā)了。 根據網(wǎng)友爆料使用的圖片顯示，UFS 3.0的速度最高達2666MB/s，較UFS 2.1最高1333MB/s的速度整整快了一倍。 除了快到飛起的速度外，USF 3.0占據的
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ADAS帶動(dòng)車(chē)用內存升級 除錯機制成決勝關(guān)鍵
- 車(chē)內信息娛樂(lè )系統(IVI)越來(lái)越普及，先進(jìn)駕駛輔助系統(ADAS)、無(wú)人駕駛技術(shù)亦逐漸成熟，車(chē)載系統突飛猛進(jìn)造就日益龐大的數據處理需求，所需內存容量、輸出/入帶寬不得不隨之升級。 不僅如此，車(chē)用儲存組件相較3C電子等一般應用，更須考慮車(chē)輛要求之極高可靠性、安全性，進(jìn)一步納入完善的硬/韌體除錯與實(shí)時(shí)反饋等相應機制。 內存控制芯片主力供貨商慧榮(SMI)產(chǎn)品企劃部項目經(jīng)理胡文基表示，從早期所用之SD卡、光罩式ROM、PATA/SATA硬盤(pán)等演進(jìn)至今，目前車(chē)載系統是以16G起跳之內嵌式多媒體記憶卡(e
- 關(guān)鍵字： ADAS UFS
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