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躋身第三代半導體市場(chǎng) ST助力全球碳中和

　　隨著(zhù)第三代半導體的工藝越來(lái)越成熟和穩定，應用在工業(yè)和電動(dòng)汽車(chē)上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導體行業(yè)中的佼佼者，意法半導體同樣重視第三代半導體帶來(lái)的優(yōu)勢作用，推出了有關(guān)氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產(chǎn)品，有力地推動(dòng)了第三代半導體在電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域上的應用發(fā)展。2022年2月意法半導體召開(kāi)媒體交流會(huì )，介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下，如何通過(guò)創(chuàng )新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列，為世界控制碳排放做出貢獻?！　{查，工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%，就能節約95.6億千瓦時(shí)的能源。這意味著(zhù)節約了
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用于檢測裸硅圓芯片上少量金屬污染物的互補性測量技術(shù)

就產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)環(huán)境的清潔度而言，半導體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)要求很高的產(chǎn)業(yè)。金屬污染對芯片有害，所以應避免裸晶圓芯片上有金屬污染。本文的研究目的是交流解決裸硅圓芯片上金屬污染問(wèn)題的經(jīng)驗，介紹如何使用互補性測量方法檢測裸硅圓芯片上的少量金屬污染物并找出問(wèn)題根源，解釋從多個(gè)不同的檢測方法中選擇適合方法的難度，以及用壽命測量技術(shù)檢測污染物對熱處理的依賴(lài)性。前言本文旨在解決硅襯底上的污染問(wèn)題，將討論三種不同的金屬污染。第一個(gè)是鎳擴散，又稱(chēng)為快速擴散物質(zhì)[1]，它是從晶圓片邊緣上的一個(gè)污點(diǎn)開(kāi)始擴散的金屬污染。第二個(gè)是鉻污染，
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導入NFC卷標功能實(shí)作全球連網(wǎng)香水首見(jiàn)現身

Phantom是全球第一款連網(wǎng)香水，噴頭內裝有ST25TV02K近場(chǎng)通信（NFC）標簽，讓Paco Rabanne可為顧客提供獨特功能。運作機制其實(shí)很簡(jiǎn)單：使用者將手機靠近瓶身，就會(huì )跳出通知并傳送一個(gè)連結網(wǎng)址。瓶身做成機器人形狀，有如顧客進(jìn)入香水世界及相關(guān)服務(wù)的門(mén)戶(hù)。目前Paco Rabanne提供顧客一份播放列表，里面有特定日期或月份的排行榜暢銷(xiāo)歌曲。舉例來(lái)說(shuō)，顧客可以找出歷年來(lái)自己生日時(shí)所有流行曲目。該公司還提供一款機器人形狀的IG貼紙，為自拍增添天馬行空的創(chuàng )意。Paco Rabanne已在8月時(shí)全球
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適用于電池供電設備的熱感知高功率高壓板

電池供電馬達控制方案為設計人員帶來(lái)多項挑戰，例如，優(yōu)化印刷電路板熱效能至今仍十分棘手且耗時(shí)；但現在，應用設計人員可利用現代化電熱仿真器輕松縮短上市時(shí)間。如今，電池供電馬達驅動(dòng)解決方案通?？捎脴O低的工作電壓提供數百瓦的功率。在此類(lèi)應用中，為確保整個(gè)系統的效能和可靠性，必須正確管理馬達驅動(dòng)設備的電流。事實(shí)上，馬達電流可能會(huì )超過(guò)數十安培，導致變流器內部耗散功率提升。為變流器組件施加較高的功率將會(huì )導致運作溫度升高，效能下降，如果超過(guò)最額定功率，甚至會(huì )突然停止運作。優(yōu)化熱效能同時(shí)縮小大小，是變流器設計過(guò)程中的重要一
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ST與Sierra Wireless合作簡(jiǎn)化加速物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機方案部署

意法半導體（ST）與全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)供貨商Sierra Wireless宣布合作協(xié)議，讓STM32微控制器（MCU）開(kāi)發(fā)社群能夠使用Sierra Wireless彈性的蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機和邊緣至云端解決方案。 STM32 MCU與Sierra Wireless彈性的全球蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機和邊緣至云端解決方案，簡(jiǎn)化物聯(lián)網(wǎng)設備部署。該協(xié)議可協(xié)助開(kāi)發(fā)者解決建立和部署物聯(lián)網(wǎng)解決方案所涉及的各種挑戰，包含裝置設計研發(fā)、蜂巢式網(wǎng)絡(luò )安裝和與云端服務(wù)聯(lián)機，以加速產(chǎn)品上市。意法半導體部門(mén)副總裁暨微控制器事業(yè)部總經(jīng)
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ST：以可持續方式為世界創(chuàng )新技術(shù)

ST以可持續方式為可持續世界創(chuàng )造技術(shù)，實(shí)際上，這并不是新鮮事，ST自1987 年成立時(shí)就開(kāi)始這樣做了。這個(gè)理念已深入我們的商業(yè)模式和企業(yè)文化 30余年，ST的創(chuàng )新技術(shù)讓客戶(hù)能夠因應各種環(huán)境和社會(huì )挑戰。意法半導體集團副總裁暨可持續發(fā)展負責人Jean-Louis CHAMPSEIX現今，新冠疫情還在世界各處肆虐，為加速推動(dòng)各種可持續發(fā)展行動(dòng)創(chuàng )造了條件，CTIMES特別訪(fǎng)問(wèn)了意法半導體集團副總裁暨可持續發(fā)展負責人Jean-Louis CHAMPSEIX，了解該公司可持續發(fā)展的策略。Jean-Louis指出，對
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Rosenberger與ST合作開(kāi)發(fā)獨特60GHz高速非接觸式連接器

意法半導體（STMicroelectronics）和Rosenberger合作，開(kāi)發(fā)非接觸式連接器，用于工業(yè)和醫療設備的超可靠近距離點(diǎn)對點(diǎn)全雙工數據交換。 Rosenberger創(chuàng )新的非接觸式連接器 RoProxCon利用意法半導體的60GHz射頻收發(fā)器ST60A2高速傳輸數據，不受連接器的移動(dòng)、震動(dòng)、旋轉和污物（濕氣和灰塵）之影響，若為傳統的插銷(xiāo)與插座則可能導致聯(lián)機故障。ST60A2兼具Bluetooth?藍牙低功耗和高數據傳輸速率，打造出不再受線(xiàn)纜羈絆的新型醫療和工業(yè)應用。Rosenberg
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ST和Exagan攜手開(kāi)啟GaN發(fā)展新章節

氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過(guò)去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專(zhuān)家和分析人士一直在預測，GaN功率開(kāi)關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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為技術(shù)找到核心多元化半導體持續創(chuàng )新

觀(guān)察2021年主導半導體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢，可以從新的半導體技術(shù)來(lái)著(zhù)眼?；旧习雽w技術(shù)可以分為三大類(lèi)，第一類(lèi)是獨立電子、計算機和通訊技術(shù)，基礎技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規模導入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。圖一 : 半導體的創(chuàng )新必須能轉化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠(chǎng)商與IBM 合作，正在開(kāi)發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會(huì )看到一種新的突破，因為他們最有可能轉向奈米片全環(huán)繞
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英特爾陳偉：AIoT時(shí)代的新思維

后疫情時(shí)代，當我們重新審視全球疫情，深刻領(lǐng)悟到這段特殊時(shí)期不僅加速了千行百業(yè)的數字化轉型進(jìn)程，更進(jìn)一步引發(fā)了數據的指數級爆發(fā)。與以往不同的是，如果說(shuō)“互聯(lián)網(wǎng)”時(shí)代的數據更多來(lái)源于互聯(lián)網(wǎng)用戶(hù)，那么在今天的“智聯(lián)網(wǎng)（AIoT）”時(shí)代，隨著(zhù)芯片、通信等科技的發(fā)展，萬(wàn)物被越來(lái)越多地鏈接起來(lái)，成為數據新的來(lái)源。本文作者：英特爾公司物聯(lián)網(wǎng)事業(yè)部副總裁、視頻事業(yè)部全球總經(jīng)理、中國區總經(jīng)理陳偉博士智能邊緣，驅動(dòng)未來(lái)業(yè)務(wù)增長(cháng)的核心引擎在這樣一個(gè)萬(wàn)物互聯(lián)的時(shí)代，云、5G 驅動(dòng)的連接、人工智能和智能邊緣四個(gè)“超級力量”已成
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重磅新品！研華EI-52邊緣智能系統搭載Intel第11代處理器，助您開(kāi)啟5G和AI應用時(shí)代

全球嵌入式產(chǎn)品及方案供應商研華科技榮幸地宣布推出新品 EI-52高性能邊緣智能系統。此款產(chǎn)品設計緊湊，搭載第 11 代Intel Core i5/i3/Celeron處理器，采用即插即用系統設計，為邊緣到云端互連和 5G & AI 解決方案而設計。它包括硬件和軟件集成包，內置Edge X Foundry 物聯(lián)網(wǎng)即插即用開(kāi)放軟件框架和研華的 WISE-DeviceOn 物聯(lián)網(wǎng)邊緣智能軟件。 EI-52賦能5G和AI應用，支持AIW 5G模塊、Wi-Fi套件、VEGA AI加速模塊和FaceView
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ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎長(cháng)跑35年第十代即將量產(chǎn)

意法半導體（ST）宣布，電機電子工程師學(xué)會(huì )（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng )新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數字開(kāi)關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿(mǎn)足高復雜度、大功率應用的需求。多年來(lái)，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤(pán)驅動(dòng)器、打印機和汽車(chē)系統等終端應用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導體Agrate工廠(chǎng)的實(shí)時(shí)／
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意法半導體發(fā)布面向高性能汽車(chē)應用的下一代MEMS加速度計

意法半導體 AIS2IH三軸線(xiàn)性加速度計為汽車(chē)防盜、遠程信息處理、信息娛樂(lè )、傾斜/側傾測量、車(chē)輛導航等非安全性汽車(chē)應用帶來(lái)更高的測量分辨率、溫度穩定性和機械強度，還為性能要求很高的新興汽車(chē)、醫療和工業(yè)應用鋪平了道路。借助意法半導體在MEMS技術(shù)和汽車(chē)技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，AIS2IH具有市場(chǎng)領(lǐng)先的可靠性，在-40oC至+115oC的寬工作溫度范圍內提供高性能的運動(dòng)測量功能。此外，新加速度計采用超低功耗技術(shù)和緊湊的LGA-12柵格陣列封裝，售價(jià)具有極高的市場(chǎng)競爭力。新產(chǎn)品有五個(gè)不同的工作模式：一個(gè)高性能模式(
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DC充電站：ST在功率與控制層面所遇到之挑戰

預計到2027年，全球電動(dòng)汽車(chē)充電站市場(chǎng)規模迅速擴展，而亞太地區電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量的迅速成長(cháng)推動(dòng)了全球電動(dòng)汽車(chē)充電站市場(chǎng)的成長(cháng)。意法半導體（ST）產(chǎn)品可支持此一市場(chǎng)／應用。本文介紹主要系統架構以及主要適用的ST產(chǎn)品。預計到2027年，全球電動(dòng)汽車(chē)充電站市場(chǎng)規模將從2020年估計的2,115,000個(gè)成長(cháng)至30,758,000個(gè)，復合年均成長(cháng)率高達46.6%。該報告的基準年為2019年，預測期為2020年至2027年。[1] 從地理位置來(lái)看，亞太地區（尤其是中國）電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量的迅速成長(cháng)推動(dòng)了全球電動(dòng)汽車(chē)充電站市場(chǎng)
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安謀中國發(fā)布全新“山?！盨12解決方案，持續鞏固AIoT安全生態(tài)

安謀中國今天發(fā)布面向 AIoT 系統的全棧安全解決方案“山?！盨12，包含硬件加解密引擎、安全軟件和安全服務(wù)三大部分，從芯片的安全 IP 層到云端安全應用和安全管理提供全鏈路的安全保護?！吧胶！盨12可以廣泛應用于智能手機、平板、智能電視及安防等行業(yè)，為多種安全解決方案如數字版權保護、AI 安全、身份認證等提供基礎安全能力?！吧胶！盨12由安謀中國自主研發(fā)，重點(diǎn)匹配基于A(yíng)rm? Cortex?-A和Cortex-R處理器的CPU，不僅能與Arm安全基礎架構形成系統協(xié)同，同時(shí)支持未來(lái)的 Arm 安全架構，從
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