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降壓式DC/DC轉換器的MOSFET選擇
- 同步整流降壓式DC/DC轉換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結構?？刂破魃a(chǎn)商會(huì )在數據資料中給出參數齊全的應用電路，但用戶(hù)的使用條件經(jīng)常與典型應用電路不同，要根據實(shí)際情況改變功率MOSFET的參數。 對功率MOSFET的要求 同步整流降壓式DC/DC轉換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅動(dòng)MOSFET的控制器及外接開(kāi)關(guān)管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因為它們能滿(mǎn)足DC/DC轉換器在輸入電壓、開(kāi)關(guān)頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。 圖
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
Zetex 高電壓MOSFET導通電阻最大僅150mΩ
- Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預偏置供應電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強化型N信道器件，可用于簡(jiǎn)單的線(xiàn)性調節器，在起動(dòng)階段為脈沖寬度調變(PWM)集成電路供應所需電壓，然后在轉換器完全激活后關(guān)掉。相比于其它倚賴(lài)電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎的解決方案有助改善系統效率和減省起動(dòng)時(shí)間。 Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導線(xiàn)
- 關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 高電壓 電阻 電位器
IR推出100V集成MOSFET解決方案
- 為PoE應用節省80%的占位空間 國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFET MOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內，可滿(mǎn)足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡(jiǎn)稱(chēng)PoE）應用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡(luò )和通信基礎設施系統的IEEE802.3af標準，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線(xiàn)器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個(gè)獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當于節省了80%的空間，或相當于典型48端口電路板中3
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 解決方案
MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能
- 一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿(mǎn)足負載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應要求。 與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著(zhù)一場(chǎng)重大的變革。如今，并在可以預見(jiàn)的未來(lái)，開(kāi)關(guān)速度正在逐步成為負載點(diǎn)（POL）電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1V或以下且對時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開(kāi)關(guān)速度是滿(mǎn)足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
- 關(guān)鍵字： MOSFET 模擬IC 電源
新型IGBT/MOSFET驅動(dòng)模塊SKHI22A/B
- SKHI22A/B是德國西門(mén)康（SEMIKRON）公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅動(dòng)模塊。
- 關(guān)鍵字： SKHI22A/B 模塊 驅動(dòng) IGBT/MOSFET 新型
基于SG3525A的太陽(yáng)能逆變電源設計
- 摘 要：本文主要介紹了SG3525A在研制太陽(yáng)能逆變電源中的應用，其脈沖波形隨設計線(xiàn)路的不同而產(chǎn)生不同的結果，從而解決了隨機燒毀功率管的技術(shù)問(wèn)題。關(guān)鍵詞：SG3525A；逆變電源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個(gè)課題的具體技術(shù)問(wèn)題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，用太陽(yáng)能為蓄電池充電，然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶(hù)使用。在研制過(guò)程中，有時(shí)隨機出現燒毀大功率管的現象，本文對這一現象給出了解決方案。圖1 SG35
- 關(guān)鍵字： MOSFET-90N10 SG3525A 逆變電源 模擬IC 電源
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