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微光CMOS圖像傳感器讀出電路設計
- 當前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著(zhù)CMOS工藝及電路設計技術(shù)的發(fā)展，微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過(guò)采用專(zhuān)項技術(shù)，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開(kāi)了CMOS圖像傳感器在微光領(lǐng)域應用的序幕。隨著(zhù)對微光CMOS圖像傳感器研究的進(jìn)一步深入，在不遠的未來(lái)，微光CMOS圖像傳感器的性能將達到夜視應用要求，在微光器件領(lǐng)域占據重要地位。 讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測器微弱的電流、電壓或電阻變化轉換成后續信號處理電路
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器
風(fēng)雨欲來(lái)，CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)變局已現
- CMOS影像感測器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機大幅成長(cháng)，未來(lái)則可望在汽車(chē)、醫療和安控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長(cháng)率將高達10.6%?？春么艘簧虣C，中小型CIS晶片商正競相展開(kāi)技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴大市場(chǎng)占有率。 CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色，眾家廠(chǎng)商為卡位新商機，可謂八仙過(guò)海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現今CIS市場(chǎng)應用大宗，但汽車(chē)、醫療和安全監控等新興應用需求已
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器
CMOS影像傳感器市場(chǎng)釀重整，汽車(chē)/醫療/安全監控新商機浮現
- CMOS影像感測器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機大幅成長(cháng)，未來(lái)則可望在汽車(chē)、醫療和安控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長(cháng)率將高達10.6%?？春么艘簧虣C，中小型CIS晶片商正競相展開(kāi)技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴大市場(chǎng)占有率。 CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色，眾家廠(chǎng)商為卡位新商機，可謂八仙過(guò)海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現今CIS市場(chǎng)應用大宗，但汽車(chē)、醫療和安全監控等新興應用需求已
- 關(guān)鍵字： 傳感器 CMOS
“中芯國際”大力研發(fā)下一代CMOS邏輯工藝
- 近日，中國內地集成電路晶圓代工企業(yè)—中芯國際集成電路制造有限公司，與全球領(lǐng)先的信息和通信解決方案供應商華為、微電子研究中心之一比利時(shí)微電子研究中心(imec)、國際無(wú)晶圓半導體廠(chǎng)商Qualcomm Incorporated的附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京簽約，宣布共同投資中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司，開(kāi)發(fā)下一代CMOS邏輯工藝。 中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司由中芯國際控股，華為、imec、Qualcomm各占
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 CMOS
IBM以標準CMOS制程打造三五族FinFET
- 整體半導體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標準CMOS制程技術(shù)來(lái)達成以上目標。 上個(gè)月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù)，現在該公司有另一個(gè)研究團隊則是聲稱(chēng)發(fā)現了更好的方法，采用標準塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實(shí)其可行性。 IBMResearch先進(jìn)功能材料部門(mén)經(jīng)理、CMOS專(zhuān)家JeanFompeyr
- 關(guān)鍵字： IBM CMOS
有關(guān)混合信號的技術(shù)方案及應用文獻，包括示波器、信號調節器等
- 混合信號，一種說(shuō)法是未來(lái)的系統將是大型的混合信號系統，它所占的比例將會(huì )增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說(shuō)法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數位晶片，將來(lái)的ASICs會(huì )用到多達一千五百萬(wàn)個(gè)邏輯們，而類(lèi)比和混合信號電路將會(huì )被留在晶片之外。 RF和混合信號設計的藝術(shù)與科學(xué) 設計和生產(chǎn)混合信號IC不是件易事，尤其是包含RF功能時(shí)尤為如此。之所以存在如此大規模獨立的模擬和分立IC市場(chǎng)，是因為模擬與數字IC相結合不是一個(gè)簡(jiǎn)單、明了的過(guò)程。模擬和RF設計一直被認為是&l
- 關(guān)鍵字： ASICs CMOS
手機RF和混合信號集成設計
- 一直以來(lái)，蜂窩電話(huà)都使用超外差接收器和發(fā)射器。但是，隨著(zhù)對包含多標準(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模終端的需求不斷增長(cháng)，直接轉換接收器和發(fā)射器架構變得日趨流行。在過(guò)去十年中，集成電路技術(shù)取得長(cháng)足發(fā)展，使得在單一芯片上集成各種不同的RF、混合信號和基帶處理功能成為可能。 一個(gè)典型的蜂窩收發(fā)器(見(jiàn)圖)包括RF前端、混合信號部分和實(shí)際的基帶處理部分。就接收器而言，通常的架構選擇包括直接轉換到直流、極低中頻(IF)和直接采樣。直接轉換到直流的方法會(huì )受直流偏移和低頻噪音干擾，而低IF可以減
- 關(guān)鍵字： RF 混合信號
RF和混合信號設計的藝術(shù)與科學(xué)
- 在過(guò)去的幾十年中，混合信號集成電路(IC)設計一直是半導體行業(yè)最令人興奮、且在技術(shù)上最具挑戰的設計之一。在這期間，盡管半導體行業(yè)取得了不少的進(jìn)步，但是一個(gè)永恒不變的需求是保證我們所處的模擬世界能夠與可運算的數字世界實(shí)現無(wú)縫對接，當前無(wú)處不在的移動(dòng)環(huán)境和迅速崛起的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)“再創(chuàng )新”的要求尤為如此。 當今全球半導體的市場(chǎng)份額約為3，200億美元，數字和存儲器IC約占這個(gè)市場(chǎng)的三分之二。摩爾定律(Moore‘s Law)和先進(jìn)的CMOS處理技術(shù)驅動(dòng)著(zhù)這些IC
- 關(guān)鍵字： RF 混合信號
基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路
- 當前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(cháng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會(huì )帶來(lái)一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會(huì )增加器件面積進(jìn)而增加柵電容，脈沖控制信號會(huì )通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
- 關(guān)鍵字： CMOS 模擬開(kāi)關(guān)
NRAM已準備好進(jìn)軍市場(chǎng)？
- 美國記憶體技術(shù)開(kāi)發(fā)商Nantero最近宣布進(jìn)行新一輪融資，并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發(fā)性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱(chēng)Nano-RAM)，已經(jīng)準備好取代企業(yè)應用或消費性應用市場(chǎng)上的儲存級記憶體。 Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬(wàn)美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執行長(cháng)Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話(huà)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示，NRAM是以碳奈
- 關(guān)鍵字： NRAM，CMOS
CMOS電容式微麥克風(fēng)設計
- 隨著(zhù)智能手機的興起，對于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來(lái)越受到大家的重視，近年來(lái)廣泛應用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統的駐極體式麥克風(fēng)(ECM)，電容式微機電麥克風(fēng)采用硅半導體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實(shí)現模擬或數字微機電麥克風(fēng)元件，以及制造微型化元件，非常適合應用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對CMOS微機電麥克風(fēng)的設計與制造進(jìn)行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導入麥克風(fēng)的差異。 電容式微麥克風(fēng)原理
- 關(guān)鍵字： CMOS
基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路
- 當前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(cháng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會(huì )帶來(lái)一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會(huì )增加器件面積進(jìn)而增加柵電容，脈沖控制信號會(huì )通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
- 關(guān)鍵字： CMOS 模擬開(kāi)關(guān)
實(shí)現模擬/RF設計復用？ADI實(shí)驗室電路開(kāi)始大顯身手
- 在電子設計中，模擬/RF設計一直是最讓設計師頭疼的部分，傳統上，模擬射頻器件供應商一般只提供器件的datasheet以及若干參考設計，但 是，要讓器件運轉正常，設計師需要更多實(shí)際電路的評估和測試，這方面需要時(shí)間和經(jīng)驗的積累，也是非常耗費精力財力的，有沒(méi)有什么辦法讓設計師可以加快這方 面的設計呢?或者能實(shí)現模擬射頻電路的復用?ADI的實(shí)驗室電路給出了一些探索。 “ADI的實(shí)驗室電路不同于參考設計，是更接近實(shí)際應用的 電路?！盇DI電路工程師胡生富在接受電子創(chuàng )新網(wǎng)采訪(fǎng)時(shí)表示，
- 關(guān)鍵字： ADI RF
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對rf-cmos的理解，并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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