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nor閃存
nor閃存 文章 進(jìn)入nor閃存技術(shù)社區
美光為下一代超高速串行NOR閃存解決方案開(kāi)疆拓土
- 美光科技有限公司(Micron Technology, Inc. 納斯達克股票代碼:MU)今天宣布推出Twin-Quad串行NOR閃存產(chǎn)品系列,為客戶(hù)提供兩倍于市場(chǎng)現有四輸入/輸出(quad-I/O)解決方案的遷移路徑。同時(shí),美光正在與華邦電子合作,讓美光下一代高性能串行NOR閃存解決方案具備開(kāi)放標準多源采購特性,滿(mǎn)足新興汽車(chē)、工業(yè)和消費者應用對于互聯(lián)的需求。 WebFeet Research首席執行官Alan Niebel表示:“串行NOR閃存是物聯(lián)網(wǎng)的核心,因為它既被用作存儲連接
- 關(guān)鍵字: 美光 高速串行 NOR閃存
Spansion主要拓展在華的串行NOR閃存研發(fā)業(yè)務(wù)
- Spansion公司宣布正全力拓展在華設計和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)業(yè)務(wù),公司將重點(diǎn)研發(fā)具有成本優(yōu)勢的串行NOR閃存解決方案,這些方案將針對適用于中國和全球市場(chǎng)的特定應用。Spansion近日收購了隆智半導體的部分資產(chǎn)后,將在鎮江和上海設立新的研發(fā)中心,運用隆智半導體的設計人才加強Spansion在華研發(fā)優(yōu)勢。 Spansion已在中國組建系統和軟件工程團隊長(cháng)達七年。鎮江和上海中心將重點(diǎn)研發(fā)低密度串行閃存產(chǎn)品。Spansion成立研發(fā)中心旨在發(fā)揮本土工程人才優(yōu)勢——并開(kāi)發(fā)廣泛的系統解決方
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Spansion攜手飛思卡爾開(kāi)發(fā)全新存儲擴展模塊
- NOR閃存提供商Spansion公司日前宣布將與飛思卡爾(Freescale)公司合作,針對飛思卡爾塔式系統(Freescale Tower System)開(kāi)發(fā)全新存儲擴展模塊。該模塊為系統工程師在進(jìn)行原型設計時(shí)提供更多靈活性,使其更好地應對不斷擴展的嵌入式應用,包括工廠(chǎng)自動(dòng)化、工業(yè)電腦、醫療設備、銷(xiāo)售點(diǎn)(POS)和機器人。Spansion的外設模塊將增強塔式系統的代碼和數據存儲能力,為如今越來(lái)越多使用二維和三維圖形的電子設備提供支持。
- 關(guān)鍵字: Spansion Freescale NOR閃存
Spansion攜手飛思卡爾構建存儲開(kāi)發(fā)平臺
- 業(yè)內領(lǐng)先的NOR閃存提供商Spansion公司(NYSE: CODE)今日宣布將與飛思卡爾(Freescale)公司合作,針對飛思卡爾塔式系統(Freescale Tower System)開(kāi)發(fā)全新存儲擴展模塊。該模塊為系統工程師在進(jìn)行原型設計時(shí)提供更多靈活性,使其更好地應對不斷擴展的嵌入式應用,包括工廠(chǎng)自動(dòng)化、工業(yè)電腦、醫療設備、銷(xiāo)售點(diǎn)(POS)和機器人。Spansion的外設模塊將增強塔式系統的代碼和數據存儲能力,為如今越來(lái)越多
- 關(guān)鍵字: Spansion Freescale NOR閃存
汽車(chē)和消費電子將成NOR閃存新的增長(cháng)點(diǎn)
- 2011年我們的NOR閃存市場(chǎng)將持續增長(cháng)。我們看到對NOR閃存的需求在計算機和通信、汽車(chē)和工業(yè)、消費和游戲等嵌入式市場(chǎng)將保持繼續增加。新的應用還包括提供智能電網(wǎng)支持的基礎設施,以及機器對機器(M2M)無(wú)線(xiàn)模塊等應用也會(huì )有對NOR閃存有越來(lái)越大的需求。大部分嵌入式應用會(huì )使用更高質(zhì)量、可靠性的NOR閃存。系統編碼和數據的整合對于這些應用系統的性能至關(guān)重要,不允許任何出錯。尤其對于機頂盒這類(lèi)注重保護客戶(hù)IP的產(chǎn)品,安全性也是一個(gè)重要考量。
- 關(guān)鍵字: NOR閃存 汽車(chē)電子
nor閃存介紹
flash閃存是非易失存儲器,可以對稱(chēng)為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。任何flash器件的寫(xiě)入操作只能在空或已擦除的單元內進(jìn)行,所以大多數情況下,在進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的,而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫(xiě)為0。
由于擦除NOR器件時(shí)是以64~128KB的塊進(jìn)行的,執行一個(gè)寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間為5s,與此相反,擦除NAND器件是 [ 查看詳細 ]
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