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nor閃存
nor閃存 文章 進(jìn)入nor閃存技術(shù)社區
ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多電平單元NOR閃存
- ST推出了一個(gè)采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產(chǎn)品?；诘谒拇嚯娖絾卧?MLC)技術(shù)，65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現有的90nm PR系列NOR閃存，為客戶(hù)升級現有系統提供了一條捷徑，同時(shí)還提高了存儲密度和產(chǎn)品性能。 為滿(mǎn)足移動(dòng)應用市場(chǎng)對高分辨相機、多媒體內容和快速聯(lián)網(wǎng)的需求，新的65nm PR系列閃存的突發(fā)讀取速度達到133MHz，編程速度達到1.0-MB/s，支持深關(guān)斷睡眠模式，采用1.8V電源電壓。這個(gè)先進(jìn)的NOR閃存系列產(chǎn)品與LPSDRAM、L
- 關(guān)鍵字： 65nm NOR閃存 ST 單片機 多電平單元 裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 嵌入式系統
nor閃存介紹
flash閃存是非易失存儲器，可以對稱(chēng)為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。任何flash器件的寫(xiě)入操作只能在空或已擦除的單元內進(jìn)行，所以大多數情況下，在進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫(xiě)為0。
由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執行一個(gè)寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間為5s，與此相反，擦除NAND器件是 [ 查看詳細 ]
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