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Diodes 推出全新OR'ing 控制器
- Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時(shí)間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機應用中，實(shí)現更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。 Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權表示，傳統上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關(guān)系。如果用典型正向電壓低于100mV的導通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
飛兆半導體的柵極驅動(dòng)器提高汽車(chē)的燃油效率
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員提供一系列能夠提升汽車(chē)應用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開(kāi)發(fā)出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統，從而提高燃油效率。這些柵極驅動(dòng)器在高邊和橋驅動(dòng)器應用中驅動(dòng) MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統和電機控制。與市場(chǎng)上同類(lèi)器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA)，容許設計人員優(yōu)化系統和擴大工作范圍。這些產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： Fairchild 柵極驅動(dòng)器 MOSFET IGBT
業(yè)內最低導通電阻MOSFET
- Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內最低的導通電阻。 現有的同類(lèi) SO-8 封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Diodes自保護式MOSFET節省85%的占板空間
- Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節省了85%的占板空間。 雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類(lèi)較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對極小值。 ZXMS
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXMS6004FF
IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： InternationalRectifier HEXFET MOSFET
基于漏極導通區特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程
- 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀(guān)明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導通區特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 漏極 導通 開(kāi)關(guān)過(guò)程
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