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Mini LED需求強勁 三星加碼三安光電Mini LED產(chǎn)能
- 據業(yè)內人士透露，三星電子幾乎訂購了中國LED外延片和芯片制造商三安光電位于廈門(mén)的Mini LED產(chǎn)能，以確保其將在2018年第三季度推出的大尺寸高端液晶電視背光芯片供應。 消息人士稱(chēng)，三星已經(jīng)為此次芯片供應預付了1683萬(wàn)美元。 中國LED芯片制造商華燦光電和廈門(mén)乾照光電也已開(kāi)始了MicroLED和Mini LED技術(shù)的研發(fā)，而中國的LED封裝服務(wù)提供商佛山國星光電則于2018年3月初設立了MicroLED和Mini LED研究中心，以便在2020年能夠封裝0.5-1.0mm的Mini
- 關(guān)鍵字： 三安光電 Mini LED
大尺寸TV等領(lǐng)域 Mini LED或有機會(huì )與OLED競爭
- 根據TrendForce光電研究最新“新型顯示技術(shù)成本”報告，由于Mini LED作為L(cháng)CD背光的架構與現行LCD顯示器的LED背光架構相仿，在設計上并無(wú)太大改變，因此也被廠(chǎng)商寄予厚望，希望其可成為Micro LED量產(chǎn)前的過(guò)渡產(chǎn)品。但不論是手機或電視等消費性電子產(chǎn)品，Mini LED勢必將直接面對來(lái)自OLED的競爭，短期而言，大尺寸電視及高階IT產(chǎn)品是Mini LED有機會(huì )與OLED一較高下的應用領(lǐng)域。 以電視來(lái)看，WitsView指出，由于OLED的印刷上色技術(shù)尚未成
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研華發(fā)布支持寬溫工作的超薄Mini-ITX主板AIMB-217
- 全球智能系統產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導廠(chǎng)商研華科技今天發(fā)布新型工業(yè)級無(wú)風(fēng)扇超薄Mini-ITX主板AIMB-217。該產(chǎn)品搭載最新Intel? Pentium?、Celeron?和Atom? N4200/N3350/x7-E3950處理器(ATOM第六代Apollo Lake)，相較于上一代產(chǎn)品而言CPU性能和顯示性能分別實(shí)現了30%和45%的顯著(zhù)提升。同時(shí)，AIMB-217還捆綁研華專(zhuān)屬WISE-PaaS/RMM軟件套件，可實(shí)現遠程設備管理。 AIMB-217的顯示性能已提升
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如何設計防反接保護電路？
- 如何設計防反接保護電路？-利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性，控制電路的導通和斷開(kāi)來(lái)設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。
- 關(guān)鍵字： mos
拯救EMI輻射超標，開(kāi)關(guān)電源能做點(diǎn)啥？
- 作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數字電路干擾源的位置較為清楚；開(kāi)關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數兆赫茲），主要的干擾形式是傳導干擾和近場(chǎng)干擾；而印刷線(xiàn)路板（PCB）走線(xiàn)通常采用手工布線(xiàn)，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
- 關(guān)鍵字： EMI 開(kāi)關(guān)電源 MOS
DC-DC電路當中同步與非同步的差異講解
- 在開(kāi)關(guān)電源電路設計當中，電流的轉換分為很多種。其中直流轉換是較常見(jiàn)的一種設計。通常稱(chēng)為DC-DC轉換，是指將一個(gè)電壓值轉化為另一個(gè)電壓值電能的裝置。直流轉換設計在開(kāi)關(guān)電源當中非常常見(jiàn)，也是新手接觸比較多一種電路設計，本篇文章將為大家介紹這種電路當中非同步與同步的區別。
- 關(guān)鍵字： DC-DC MOS 同步 開(kāi)關(guān)電源 非同步
為IC設計減少天線(xiàn)效應
- 如同摩爾定律所述，數十年來(lái)，芯片的密度和速度正呈指數級成長(cháng)。眾所周知，這種高速成長(cháng)的趨勢總有一天會(huì )結束，只是不知道當這一刻來(lái)臨時(shí)，芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規模集成電路(VLSI)中常見(jiàn)的多種效應變得原來(lái)越重要且難以控制，天線(xiàn)效應便是其中之一。
- 關(guān)鍵字： IC設計 天線(xiàn) 天線(xiàn)效應 充電損害 MOS
高手詳解，MOS及MOS驅動(dòng)電路基礎總結
- 在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。 下面是我對MOS及MOS驅動(dòng)電路基礎的一點(diǎn)總結，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅動(dòng)以及應用電路。 MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，
- 關(guān)鍵字： MOS MOS驅動(dòng)電路
恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務(wù)出售給中國公司
- 半導體行業(yè)的重組還在繼續。恩智浦半導體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營(yíng)分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導體等產(chǎn)品的標準產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)出售給中國的投資公司(英文發(fā)布資料)。 標準產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)2015年財年的銷(xiāo)售額為12億美元，約占恩智浦總銷(xiāo)售額(61億美元)的2成。該部門(mén)約有員工1.1萬(wàn)名，約為恩智浦總員工數量(4.5萬(wàn))的2.5成。 出售金額約為27.5億美元，購買(mǎi)方是北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“建廣資產(chǎn)”)與Wise Road Capital兩家
- 關(guān)鍵字： 恩智浦 MOS
【E問(wèn)E答】MOS管為什么會(huì )被靜電擊穿？
- MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高?！ §o電放電形成
- 關(guān)鍵字： MOS 擊穿
一種簡(jiǎn)單的防短路的保護方法
- 前段時(shí)間開(kāi)發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品，由單片機控制對負載供電，滿(mǎn)負載時(shí)基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個(gè)PWM信號控制MOS管，從而按要求調整工作電流。我們知道MOS管導通時(shí)內阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時(shí)上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來(lái)說(shuō)是一種效果不錯的器件?！ ‰m然MOS管導通內阻非常小，但所流過(guò)的電流也有最大限制，如果電流過(guò)大，比如外接負載短路，同樣會(huì )被燒毀。短路都是非正常工
- 關(guān)鍵字： 防短路 MOS
場(chǎng)效應晶體管的幾點(diǎn)使用知識
- 我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來(lái)說(shuō)對晶體場(chǎng)效應管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應管有其獨特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應晶體管的種類(lèi)很多，根據結構不同分為結型場(chǎng)效應管和絕緣柵型場(chǎng)效應管;絕緣柵型場(chǎng)效應管又稱(chēng)為金屬氧化物導體場(chǎng)效應管，或簡(jiǎn)稱(chēng)MOS場(chǎng)效應管. 1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應管擊穿 由于絕緣柵場(chǎng)效應管的輸入阻抗非常高，這本來(lái)是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來(lái)新的問(wèn)題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感應出來(lái)的
- 關(guān)鍵字： 場(chǎng)效應晶體管 MOS
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