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Solid Sands與Rapita Systems建立合作.致力于解決C++標準庫的代碼覆蓋率分析需求
- Solid Sands和Rapita Systems宣布，兩家公司已達成戰略合作伙伴關(guān)系，以開(kāi)發(fā)改進(jìn)C++標準庫的代碼覆蓋率分析中，傳統工具無(wú)法完全支援的部分。這次合作源于雙方共同客戶(hù)提出的針對C++標準庫進(jìn)行大規模代碼覆蓋率分析的需求。通過(guò)雙方的交流，一致認可了深化安全關(guān)鍵應用市場(chǎng)的測試解決方案的可能性?！皳覀兯?，我們是第一個(gè)嘗試對C++標準庫進(jìn)行大規模覆蓋分析的公司?！盨olid Sands首席技術(shù)官Marcel Beemster說(shuō)道?！霸谶@次分析中，我們發(fā)現C++標準庫中有相當大一部份是用于僅被
- 關(guān)鍵字： Solid Sands Rapita Systems C++標準庫 代碼覆蓋率分析
納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K
- 納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅動(dòng)NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務(wù)器電源等多種GaN應用場(chǎng)景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅動(dòng)芯片，專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)E?mode（增強型）GaN 開(kāi)關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內部集成了高壓半橋驅動(dòng)器和兩顆650V耐壓的GaN開(kāi)關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅動(dòng)電流2A/-4A 03.&n
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基于安森美半導體高頻率準諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據相當大的空間，而市場(chǎng)對于高功率密度的需求也正日益增高。過(guò)去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng )新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現今的尺寸規格下，硅材料已無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來(lái)的5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、機器人，以及再生能源至數據中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來(lái)實(shí)現更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
- 關(guān)鍵字： 安森美 NCP1342 PD QR 高頻率 GaN
四維圖新旗下杰發(fā)科技與IAR Systems達成戰略合作
- 中國上?！?022年12月27日——嵌入式開(kāi)發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導者 IAR Systems宣布，其最新發(fā)布的IAR Embedded Workbench for Arm 9.32.1版本已全面支持四維圖新旗下杰發(fā)科技全系列車(chē)規級MCU芯片，幫助中國汽車(chē)行業(yè)開(kāi)發(fā)者打造強大的嵌入式開(kāi)發(fā)解決方案，助力汽車(chē)行業(yè)創(chuàng )新。雙方將基于協(xié)議共同建立合作伙伴聯(lián)盟，以期加速業(yè)務(wù)發(fā)展。圖：杰發(fā)科技與IAR Systems達成戰略合作IAR Embedded Workbench for Arm為杰發(fā)科技MCU芯片提供完整的開(kāi)發(fā)
- 關(guān)鍵字： 四維圖新 杰發(fā)科技 IAR Systems
基于安森美半導體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據相當大的空間，而市場(chǎng)對于高功率密度的需求也正日益增高。過(guò)去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng )新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現今的尺寸規格下，硅材料已無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來(lái)的5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、機器人，以及再生能源至數據中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來(lái)實(shí)現更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
- 關(guān)鍵字： 安森美 有源鉗位 NCP1568 GaN PD電源 適配器
世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案
- 安森美GAN_Fet驅動(dòng)方案(NCP51820)。 數十年來(lái)，硅來(lái)料一直統治著(zhù)電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開(kāi)始改變。由開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問(wèn)題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現的兩個(gè)化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
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英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能
- 【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統一Type-C連接器為各種移動(dòng)和電池供電設備供電的主流標準。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標準中，擴展功率范圍（EPR）規格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統一化和大功率容量再加上低系統成本的小外型尺寸已成為推動(dòng)適配器和充電器市場(chǎng)發(fā)展的主要驅動(dòng)力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
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IAR Systems 與嘉楠科技達成合作，支持RISC-V內核高精度AI芯片
- 中國上?！?022年11月23日——嵌入式開(kāi)發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導者 IAR Systems 與領(lǐng)先的端側 AI 芯片研發(fā)供應商嘉楠科技 (NASDAQ: CAN) 今天共同宣布，IAR Systems 最新推出的 Embedded Workbench for RISC-V 3.11.1版本已支持嘉楠勘智K510芯片，助力開(kāi)發(fā)雙核RISC-V 64位 AI 端側推理芯片。IAR Embedded Workbench for RISC-V是一個(gè)完整的C/C++編譯器和調試器工具鏈，將嵌入式開(kāi)發(fā)者所需的一切
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基于安森美半導體NCP1342驅動(dòng)GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案
- 此電源設計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時(shí)輸出時(shí)，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡(jiǎn)化設計理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿(mǎn)足EMI又導熱好！通標變壓器設計，21V效率最高達到93%,驅動(dòng)與MOS均采用美國安森美半導體技術(shù)！?場(chǎng)景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術(shù)優(yōu)勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構，COST
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西門(mén)子收購 Avery Design Systems，進(jìn)一步擴展集成電路驗證解決方案
- · 此項收購進(jìn)一步擴展西門(mén)子企業(yè)級驗證平臺，將 Avery Design Systems的驗證協(xié)議和合規性測試套件產(chǎn)品添加至平臺之中?！?nbsp;客戶(hù)可以在仿真、硬件模擬和原型設計的周期內利用西門(mén)子的驗證方案優(yōu)化質(zhì)量并縮短上市時(shí)間。西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日簽署對 Avery Design Systems 公司的收購協(xié)議。Avery Design Systems 總部位于美國馬塞諸塞州的圖克斯伯里，是一家獨立于仿真的驗證 IP 供應商。收購后 Avery Desig
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格芯獲得3000萬(wàn)美元政府基金研發(fā)GaN芯片
- 據外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠(chǎng)商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬(wàn)美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠(chǎng)研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無(wú)線(xiàn)基礎設施、電動(dòng)汽車(chē)、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱(chēng)，電動(dòng)汽車(chē)的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來(lái)需求。格芯總裁兼首席執行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
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IAR Systems RISC-V功能安全版開(kāi)發(fā)工具支持最新的SiFive汽車(chē)解決方案
- 嵌入式開(kāi)發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導者 IAR Systems?持續為 SiFive 的 RISC-V 車(chē)用 CPU IP 提供解決方案：IAR Systems 旗下的 IAR Embedded Workbench? for RISC-V 支持最新的 SiFive 車(chē)用 E6-A 和 S7-A 產(chǎn)品系列，以滿(mǎn)足信息娛樂(lè )、連接和 ADAS 等汽車(chē)應用的需求。IAR 的完整開(kāi)發(fā)工具鏈幫助 OEM 和供應商的嵌入式軟件開(kāi)發(fā)人員充分利用 RISC-V 提供的能效、簡(jiǎn)單性、安全性和靈活性。由于 RISC-V 在所有產(chǎn)品中
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GaN IC縮小電機驅動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、 機器人和無(wú)人機的上市時(shí)間
- EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動(dòng)系統的性能、續航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動(dòng)器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì )導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì )影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器
- 關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
功率GaN RF放大器的熱考慮因素
- 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著(zhù)與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場(chǎng)中獲得應用。其中許多應用需要很長(cháng)的使用壽
- 關(guān)鍵字： Wolfspeed 放大器 GaN
gan systems介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條gan systems!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan systems的理解，并與今后在此搜索gan systems的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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