<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> gan systems

功放為智能手機提供最佳效率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字: 智能手機  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

“主流GaN”的發(fā)展和未來(lái)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字: GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng )新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管,從而提高效率和可靠性。
  • 關(guān)鍵字: 科銳  放大器  GaN  

技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件(一)

  • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源...
  • 關(guān)鍵字: SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受應力的影響,一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監測溫度和晶片曲率,制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片,并將這些芯片安裝到器件中,使得內量子效率接近40%。硅襯底在
  • 關(guān)鍵字: GaN  LED  分析    

ViXS Systems與高通創(chuàng )銳訊開(kāi)發(fā)下一代家庭網(wǎng)絡(luò )媒體網(wǎng)關(guān)

  • ViXS Systems今日宣布,其正在與高通創(chuàng )銳訊合作開(kāi)發(fā)n-Screen家庭多媒體網(wǎng)關(guān)平臺,這一平臺可以在廣泛使用的任何家庭網(wǎng)絡(luò ),包括Wi-Fi、Multimedia over Coax Alliance (同軸電纜多媒體聯(lián)盟MoCA)、HomePlug電力線(xiàn)和以太網(wǎng)上,將多條高清數據流無(wú)縫傳送到移動(dòng)和固定屏幕設備中。
  • 關(guān)鍵字: ViXS Systems  家庭網(wǎng)絡(luò )  n-Screen  

Touch Panel Systems擴充產(chǎn)品群

  •   日本Touch Panel Systems投產(chǎn)了5款帶觸摸面板的15~21.5英寸液晶顯示器新產(chǎn)品,以及帶觸摸面板的55英寸數字標牌用大尺寸液晶顯示器。   Touch Panel Systems對5款帶觸摸面板的15~21.5英寸液晶顯示器新產(chǎn)品的定位是,通過(guò)提供多種畫(huà)面尺寸和觸摸面板方式選項,廣泛滿(mǎn)足使用POS系統及Kiosk終端的店鋪及流通領(lǐng)域和待客服務(wù)領(lǐng)域的需求。此次投產(chǎn)了畫(huà)面尺寸為15英寸的“1515L”、17英寸的“1715L”、15.6英
  • 關(guān)鍵字: Touch Panel Systems  觸摸屏  液晶顯示器  

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著(zhù)的摻雜剖面結構及低阻值的p型GaN,那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者:Vla...
  • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當今社會(huì ),DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來(lái)說(shuō):英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
  • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開(kāi)始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

  • 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
  • 關(guān)鍵字: LED  GaN  MOSFET  

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問(wèn)世以來(lái),LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關(guān)鍵字: LED芯片  硅襯底  GaN    

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管,高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器,紫外光探測器,...
  • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  LED芯片    

GaN基量子阱紅外探測器的設計

  • 摘要:為了實(shí)現GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進(jìn)行了研究??紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應,通過(guò)設計適當的量子阱結構,利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
  • 關(guān)鍵字: 設計  探測器  紅外  量子  GaN  

一種S波段寬帶GaN放大器的設計

  • 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn),使其具有帶寬寬,高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn),使用了Agilent ADS等仿真軟件,進(jìn)行電路仿真設計,設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
  • 關(guān)鍵字: GaN  S波段  寬帶  放大器    

一種GaN寬禁帶功率放大器的設計

  • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強度等特點(diǎn),被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn),基于A(yíng)gilent ADS仿真軟件,利用負載/源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說(shuō)明了設計步驟并對放大器進(jìn)行了測試,數據表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內可實(shí)現功率超過(guò)15W,附加效率超過(guò)67%的輸出。實(shí)驗結果證實(shí),GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字: 設計  功率放大器  GaN  一種  
共355條 22/24 |‹ « 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 »

gan systems介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條gan systems!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對gan systems的理解,并與今后在此搜索gan systems的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>