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對單片機系統可行的EMS技術(shù)方法

EMC電磁兼容性包括EMI(interference)和EMS(susceptibility)，也就是電磁干擾和電磁抗干擾。用于生產(chǎn)現場(chǎng)的單片用系統，易受各種電磁干擾的侵襲，直接影響到
關(guān)鍵字： EMS技術(shù) EMI 單片機

數字電路PCB設計中的EMI控制技術(shù)

　　1 EMI 的產(chǎn)生及抑制原理　　EMI 的產(chǎn)生是由于電磁干擾源通過(guò)耦合路徑將能量傳遞給敏感系統造成的。它包括經(jīng)由導線(xiàn)或公共地線(xiàn)的傳導、通過(guò)空間輻射或通過(guò)近場(chǎng)耦合三種基本形式。EMI 的危害表現為降低傳輸信號質(zhì)量，對電路或設備造成干擾甚至破壞，使設備不能滿(mǎn)足電磁兼容標準所規定的技術(shù)指標要求。　　為抑制EMI，數字電路的EMI 設計應按下列原則進(jìn)行：　　* 根據相關(guān)EMC/EMI 技術(shù)規范，將指標分解到單板電路，分級控制。　　* 從EMI 的三要素即干擾源、能量耦合途徑和敏感系統這三個(gè)方面
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數字電路PCB設計中的EMI控制技術(shù)

　　隨著(zhù)IC 器件集成度的提高、設備的逐步小型化和器件的速度愈來(lái)愈高，電子產(chǎn)品中的EMI問(wèn)題也更加嚴重。從系統設備EMC /EMI 設計的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，在設備的PCB 設計階段處理好EMC/EMI 問(wèn)題，是使系統設備達到電磁兼容標準最有效、成本最低的手段。本文介紹數字電路PCB 設計中的EMI 控制技術(shù)。　　1 EMI 的產(chǎn)生及抑制原理　　EMI 的產(chǎn)生是由于電磁干擾源通過(guò)耦合路徑將能量傳遞給敏感系統造成的。它包括經(jīng)由導線(xiàn)或公共地線(xiàn)的傳導、通過(guò)空間輻射或通過(guò)近場(chǎng)耦合三種基本形式。EMI 的危害表現為降
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都是干貨，關(guān)于汽車(chē)DC/DC電源和EMI的討論

　　本文作者為建宇兄，是MPS的高級電源工程師，在第一期EMC群聊分享了《關(guān)于DC/DC電源和EMI的討論》，我就材料進(jìn)行了整理和補充。　　1)DC/DC噪聲源特性　　DC/DC的噪聲的影響三個(gè)參數主要為　　　　占空比Duty：占空比上升導致噪聲幅度上升　　開(kāi)關(guān)頻率Fs：是的噪聲衰減變在頻譜上延伸了，開(kāi)關(guān)頻率一般我們可以分為幾個(gè)大類(lèi) 　　20～100Khz：電感較大引起的成本、尺寸基本讓低頻設計慢慢不是一種選擇。　　100～550Khz：主要的選擇選擇　　
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數字電路PCB設計中的EMI控制技術(shù)

　　1 EMI 的產(chǎn)生及抑制原理　　EMI 的產(chǎn)生是由于電磁干擾源通過(guò)耦合路徑將能量傳遞給敏感系統造成的。它包括經(jīng)由導線(xiàn)或公共地線(xiàn)的傳導、通過(guò)空間輻射或通過(guò)近場(chǎng)耦合三種基本形式。EMI 的危害表現為降低傳輸信號質(zhì)量，對電路或設備造成干擾甚至破壞，使設備不能滿(mǎn)足電磁兼容標準所規定的技術(shù)指標要求。　　為抑制EMI，數字電路的EMI 設計應按下列原則進(jìn)行：　　* 根據相關(guān)EMC/EMI 技術(shù)規范，將指標分解到單板電路，分級控制。　　* 從EMI 的三要素即干擾源、能量耦合途徑和敏感系統這三個(gè)方面
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合理選擇電容器來(lái)實(shí)現高性能的EMI濾波

　　本文將重點(diǎn)討論多層陶瓷電容器，包括表面貼裝和引腳兩種類(lèi)型。討論如何計算這些簡(jiǎn)單器件的阻抗和插入損耗之間的相互關(guān)系。文中還介紹了一些改進(jìn)型規格的測試，如引線(xiàn)電感和低頻電感，另外，還給出了等效電路模型。這些模型都是根據測得的數據導出的，還介紹了相關(guān)的測試技術(shù)。針對不同的制造工藝，測試了這些寄生參數，并繪制出了相應的阻抗曲線(xiàn)。　　長(cháng)期以來(lái)，一直使用旁路和去耦電容來(lái)減小PCB上產(chǎn)生的各種噪聲，也。由于成本相對較低，使用容易，還有一系列的量值可選用，電容器常常是電路板上用來(lái)減小電磁干擾(EMI)的主要器件。
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開(kāi)關(guān)電源外圍應用電路設計

　　隨著(zhù)各行各業(yè)不斷涌現出新的企業(yè)，市場(chǎng)的競爭越來(lái)越大，如何在保證產(chǎn)品質(zhì)量的前提下，減少產(chǎn)品成本，已經(jīng)成為每個(gè)企業(yè)的新課題。下面就根據電子產(chǎn)品應用環(huán)境，來(lái)對如何設計一個(gè)恰到好處的開(kāi)關(guān)電源外圍電路作簡(jiǎn)單介紹?！　≡趪H標準IEC61000中對電子類(lèi)產(chǎn)品根據應用環(huán)境分成了三類(lèi)： 1類(lèi)是居住、商業(yè)和輕工業(yè)環(huán)境; 2類(lèi)是工業(yè)環(huán)境;3類(lèi)是測量、控制和實(shí)驗室用的電設備。使用較少，這里不做贅述?！　∮糜?類(lèi)的電子產(chǎn)品對電磁抗擾度的要求就相對較低，對傳導輻射要求比較高;而2類(lèi)產(chǎn)品卻恰好相反，對電磁抗擾
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物聯(lián)網(wǎng)電子產(chǎn)品設計中的低成本EMI/EMC預一致性測試

針對物聯(lián)網(wǎng)設備在無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)中的EMI/EMC問(wèn)題，本文以基于USB接口的RSA306實(shí)時(shí)頻譜分析儀進(jìn)行EMI預一致性分析測試為例，就如何進(jìn)行IoT的EMI/EMC測試進(jìn)行分析。
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) EMI EMC 實(shí)時(shí)頻譜分析儀 EMI預一致性分析測試 201605

ESD/EMI/EMC電路設計技巧 ——電磁干擾的屏蔽方法

　　電磁兼容是指“一種器件、設備或系統的性能，它可以使其在自身環(huán)境下正常工作并且同時(shí)不會(huì )對此環(huán)境中任何其他設備產(chǎn)生強烈電磁干擾?！睂τ跓o(wú)線(xiàn)收發(fā)設備來(lái)說(shuō)，采用非連續頻譜可部分實(shí)現 EMC 性能，但是很多有關(guān)的例子也表明 EMC 并不總是能夠做到。例如在筆記本電腦和測試設備之間、打印機和臺式電腦之間以及蜂窩電話(huà)和醫療儀器之間等都具有高頻干擾，我們把這種干擾稱(chēng)為電磁干擾(EMI)?！　?、EMC 問(wèn)題來(lái)源　　所有電器和電子設備工作時(shí)都會(huì )有間歇或連續性電壓電流變化
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出色模擬工程師必備系列(一)：電磁干擾(EMI)

　　以上我們介紹了電磁干擾的一些分類(lèi)，下面我們介紹如何來(lái)抑制電磁干擾　　電磁干擾的定義，是指由外部噪聲和無(wú)用電磁波在接收中所造成的騷擾。一個(gè)系統或系統內某一線(xiàn)路受電磁干擾程度可以表示為如下關(guān)系式：　　N=G×C/I 　　G：噪聲源強度; 　　C：噪聲通過(guò)某種途徑傳到受干擾處的耦合因素; 　　I：受干擾電路的敏感程度。　　G、C、I這三者構成電磁干擾三要素。電磁干擾抑制技術(shù)就是圍繞這三要素所采取的各種措施，歸納起來(lái)就是三條：一、抑制電磁干擾源;二、切斷電磁干擾耦合途徑;三、降低
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【E課堂】濾波器選擇需注意的十個(gè)問(wèn)題

　　近期接觸幾位技術(shù)工程師朋友在選用濾波器，發(fā)現了不少有意思的問(wèn)題，才發(fā)現波平浪靜處水最險。于是下文就為大家介紹濾波器選擇時(shí)需要注意的問(wèn)題?！　?、如果未經(jīng)過(guò)對儀器的EMI、EMS指標測試就選定了濾波器，基本上屬于“盲人騎瞎馬、夜半臨深池”的主兒;　　2、如果機器上選擇的是一個(gè)市面上買(mǎi)來(lái)的通用濾波器，這個(gè)濾波器基本上是可以不加的;　　3、濾波器8分定制、2分通用才算比較靠譜?！　∠麓私Y論的原因是因為最近遇到的好幾起事情，都加了濾波器，但傳導就是不過(guò)，最后還是根據測試結果給設計了個(gè)濾波器樣品，一裝上ok才算
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EMI濾波器設計中干擾特性和阻抗特性

　　根據多年的工程經(jīng)驗，大家普遍認為電磁兼容性標準中最重要的也是最難解決的兩個(gè)項目就是傳導發(fā)射和輻射發(fā)射。為了滿(mǎn)足傳導發(fā)射限制的要求，通常使用電磁干擾(EMI)濾波器來(lái)抑制電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導噪聲。但是怎么選擇一個(gè)現有的濾波器或者設計一個(gè)能滿(mǎn)足需要的濾波器?工程師表現得很盲目，只有憑借經(jīng)驗作嘗試。首先根據經(jīng)驗使用一個(gè)濾波器，如果不能滿(mǎn)足要求再重新修改設計或者換另一個(gè)新的濾波器。因此，要找到一個(gè)合適的EMI濾波器就成為一個(gè)費時(shí)且高成本的任務(wù)?！　‰娮酉到y產(chǎn)生的干擾特性　　解決問(wèn)題首先要了解電子系統產(chǎn)生的總干擾
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怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能

　　一、引言　　MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會(huì )引起更嚴重的EMI問(wèn)題，導致整個(gè)系統不能穩定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時(shí)需要兼顧模塊電源的EMI性能?！　《?、開(kāi)關(guān)管MOSFET的功耗分析　　　　MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅動(dòng)
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尋找EMC對策，關(guān)鍵在于實(shí)際產(chǎn)品與理論相結合

　　現在，受到EMC(電磁兼容性)問(wèn)題困擾的技術(shù)人員越來(lái)越多。這是因為隨著(zhù)產(chǎn)品向多功能化、高功能化和高速化發(fā)展，EMC對策的難度也與日俱增。車(chē)載電子產(chǎn)品稱(chēng)得上是一個(gè)典型的代表。對此，日本Qualtec可靠性測試中心所長(cháng)前野剛指出：“只要掌握了訣竅，就能找到EMC解決方法。”圍繞EMC對策當前的課題和對策的重點(diǎn)，前野所長(cháng)接受了記者采訪(fǎng)。　　——聽(tīng)說(shuō)以車(chē)載電子產(chǎn)品為代表，對于最近的電子產(chǎn)品，很多電路設計人員都在為EMC對策犯愁。首先請您用外行也能理解的語(yǔ)言，
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注意 SEPIC 耦合電感回路電流 —— 第 1 部分

　　在不要求主級電路和次級電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時(shí)，SEPIC 是一種非常有用的拓撲。在要求短路電路保護時(shí)，我們可以使用它來(lái)代替升壓轉換器。SEPIC 轉換器的特點(diǎn)是單開(kāi)關(guān)工作和連續輸入電流，從而帶來(lái)較低的電磁干擾 (EMI)。這種拓撲(如圖 1 所示)可使用兩個(gè)單獨的電感(或者由于電感的電壓波形類(lèi)似)，因此還可以使用一個(gè)耦合電感，如圖所示。因其體積和成本均小于兩個(gè)單獨的電感，耦合電感頗具吸引力。其存在的缺點(diǎn)是標準電感并非總是針對全部可能的應用進(jìn)行優(yōu)化。　　
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