都是干貨，關(guān)于汽車(chē)DC/DC電源和EMI的討論

　　本文作者為建宇兄，是MPS的高級電源工程師，在第一期EMC群聊分享了《關(guān)于DC/DC電源和EMI的討論》，我就材料進(jìn)行了整理和補充。

　　1)DC/DC噪聲源特性

　　DC/DC的噪聲的影響三個(gè)參數主要為

　　占空比Duty：占空比上升導致噪聲幅度上升

　　開(kāi)關(guān)頻率Fs：是的噪聲衰減變在頻譜上延伸了，開(kāi)關(guān)頻率一般我們可以分為幾個(gè)大類(lèi)

　　20～100Khz：電感較大引起的成本、尺寸基本讓低頻設計慢慢不是一種選擇。

　　100～550Khz：主要的選擇選擇

　　開(kāi)關(guān)頻率主要對電感大小、效率、RE/CE的特性影響比較大

　　上升時(shí)間Tr

　　備注：開(kāi)關(guān)頻率的影響其實(shí)很大，不僅僅是EMC的效果，在不同的案子里面可以得到不同的影響關(guān)系，如《Choosing the optimum switching frequency of your DC/DC converter》所示：

　　2)如下面的案子所示

　　2.1)這是一個(gè)典型的BuckBoost的電源電路，沒(méi)有病必需要過(guò)CISPR25 Class 3

　　2.2 初測結果

　　2.3 整改措施

　　2.3.1 原理分析

　　兩個(gè)開(kāi)關(guān)環(huán)路中含有非連續的大電流環(huán)路是最主要的噪聲源

　　增加Vin和Vss電容可以減少高頻環(huán)路的電流

　　2.3.2 頻率選擇

　　噪聲分量和電流大小，環(huán)路面積和頻率成正比，和距離成反比

　　以下依次為不同頻率的效果對比(120、240和400Khz)，深紫色為抖頻的效果

　　2.3.2 開(kāi)關(guān)速度的優(yōu)化

　　2.3.3 布局優(yōu)化影響

　　在布局上盡可能將C14(Vin-Vss電容)放在續流二極管和MOSFET邊上減少高頻環(huán)路面積

　　以下是實(shí)物照片

　　補充一些相關(guān)的材料，除開(kāi)芯片廠(chǎng)家的努力，我們能加入的設計手段主要包括：

　　1)輸入濾波優(yōu)化

　　RSIL filter 5μH 100nF 50Ω

　　2)輸出濾波優(yōu)化

　　3)Snubber電路

　　小結：

　　1)感謝建宇兄的案例總結，我們可以定量和定性的看這些參數的選擇對實(shí)際試驗的結果

　　2)這個(gè)的設計，需要打通原理、計算、功能試驗和實(shí)際驗證的環(huán)路