EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
emi-rfi
emi-rfi 文章 進(jìn)入emi-rfi技術(shù)社區
電容感測:你應該選擇哪個(gè)架構?

- 電容感測在很多應用中大展拳腳,從接近度檢測和手勢識別,到液面感測。無(wú)論是哪種應用,電容感測的決定性因素都是根據一個(gè)特定的基準來(lái)感測傳感器電容值變化的能力。根據特定應用和系統要求的不同,你也許需要不同的方法來(lái)測量這個(gè)變化。在這篇博文章,我將介紹2個(gè)特定的架構類(lèi)型—開(kāi)關(guān)電容器電路和電感器-電容器LC諧振槽路—這是當前一種用于電容感測的電路?! ¢_(kāi)關(guān)電容器電路 圖1顯示的是針對電容感測的經(jīng)簡(jiǎn)化電路,它以電荷轉移為基礎;電路中的開(kāi)關(guān)執行采樣保持運行。在采樣之間,傳感器電感器上的電荷的變化會(huì )導致輸出電壓的變化
- 關(guān)鍵字: 電容 EMI
PowerLab 筆記:如何避免傳導 EMI 問(wèn)題

- 這里,我們先著(zhù)重討論當寄生電容直接耦合到電源輸入電線(xiàn)時(shí)會(huì )發(fā)生的情況?! ?.只需幾fF的雜散電容就會(huì )導致EMI掃描失敗。從本質(zhì)上講,開(kāi)關(guān)電源具有提供高 dV/dt 的節點(diǎn)。寄生電容與高 dV/dt 的混合會(huì )產(chǎn)生 EMI 問(wèn)題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時(shí),會(huì )有少量電流直接泵送至電源線(xiàn)?! ?.查看電源中的寄生電容。我們都記得物理課上講過(guò),兩個(gè)導體之間的電容與導體表面積成正比,與二者之間的距離成反比。查看電路中的每個(gè)節點(diǎn),并特別注意具有高 dV/dt 的節點(diǎn)。想想電路布局中該節點(diǎn)的表面積是多少,
- 關(guān)鍵字: EMI
手把手硬件電路詳細設計過(guò)程

- 獻給那些剛開(kāi)始或即將開(kāi)始設計硬件電路的人。時(shí)光飛逝,離俺最初畫(huà)第一塊電路已有3年。剛剛開(kāi)始接觸電路板的時(shí)候,與你一樣,俺充滿(mǎn)了疑惑同時(shí)又帶著(zhù)些興奮。在網(wǎng)上許多關(guān)于硬件電路的經(jīng)驗、知識讓人目不暇接。像信號完整性,EMI,PS設計準會(huì )把你搞暈。別急,一切要慢慢來(lái)。 1)總體思路。設計硬件電路,大的框架和架構要搞清楚,但要做到這一點(diǎn)還真不容易。有些大框架也許自己的老板、老師已經(jīng)想好,自己只是把思路具體實(shí)現;但也有些要自己設計框架的,那就要搞清楚要實(shí)現什么功能,然后找找有否能實(shí)現同樣或相似功能的參考電路
- 關(guān)鍵字: EMI BOM
如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

- 摘要: 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用,分析了MOSFET損耗特點(diǎn),提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。 關(guān)鍵詞:MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽(yáng)R3 一、引言 MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一,被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會(huì )引起更嚴重的EMI問(wèn)題,導致整個(gè)系統不能穩定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗
- 關(guān)鍵字: MOSFET EMI
高速PCB設計EMI之九大規則

- 隨著(zhù)信號上升沿時(shí)間的減小及信號頻率的提高,電子產(chǎn)品的EMI問(wèn)題越來(lái)越受到電子工程師的關(guān)注,幾乎60%的EMI問(wèn)題都可以通過(guò)高速PCB來(lái)解決。以下是九大規則: 規則一:高速信號走線(xiàn)屏蔽規則 在高速的PCB設計中,時(shí)鐘等關(guān)鍵的高速信號線(xiàn),走線(xiàn)需要進(jìn)行屏蔽處理,如果沒(méi)有屏蔽或只屏蔽了部分,都會(huì )造成EMI的泄漏。建議屏蔽線(xiàn),每1000mil,打孔接地。 規則二:高速信號的走線(xiàn)閉環(huán)規則 由于PCB板的密度越來(lái)越高,很多PCB LAY
- 關(guān)鍵字: PCB EMI
GaN技術(shù)和潛在的EMI影響
- 1月出席DesignCon 2015時(shí),我有機會(huì )聽(tīng)到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專(zhuān)題演講,談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開(kāi)關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統測量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
- 關(guān)鍵字: GaN EMI
8種經(jīng)典汽車(chē)行駛行駛記錄儀方案設計,軟硬件協(xié)同
- 汽車(chē)行駛記錄儀,俗稱(chēng)汽車(chē)黑匣子,是對車(chē)輛行駛速度、時(shí)間、里程以及有關(guān)車(chē)輛行駛的其他狀態(tài)信息進(jìn)行記錄、存儲并可通過(guò)接口實(shí)現數據輸出的數字式電子記錄裝置。開(kāi)車(chē)時(shí)邊走邊錄像,同時(shí)把時(shí)間、速度、所在位置都記錄在錄像里,相當“黑匣子”。 基于MCU的無(wú)線(xiàn)行駛記錄儀硬軟件設計 本文在實(shí)現無(wú)線(xiàn)行駛記錄儀無(wú)線(xiàn)通信方案時(shí),選用基于Wi‐Fi通信模塊組成WLAN網(wǎng)絡(luò )實(shí)現記錄儀的無(wú)線(xiàn)通信。無(wú)線(xiàn)行駛記錄記錄儀可用于所有類(lèi)型車(chē)輛,特別適用于企事業(yè)單位,如:擁有大型車(chē)隊的物流公司、場(chǎng)站、機場(chǎng)、
- 關(guān)鍵字: SP2338 EMI
PCB設計技巧技術(shù)文獻集錦,包括布線(xiàn)、EMI、后期檢查等
- PCB( Printed Circuit Board),中文名稱(chēng)為印制電路板,又稱(chēng)印刷線(xiàn)路板,是重要的電子部件,是電子元器件的支撐體,是電子元器件電氣連接的載體。由于它是采用電子印刷術(shù)制作的,故被稱(chēng)為“印刷”電路板。 淺談PCB電磁場(chǎng)求解方法及仿真軟件 本文旨在工程描述一些電磁場(chǎng)求解器基本概念和市場(chǎng)主流PCB仿真EDA軟件,更為深入的學(xué)習可以參考計算電磁學(xué)相關(guān)資料。 PCB設計中的高頻電路布線(xiàn)技巧 PCB板層數越高,制造工藝越復雜,單位成本也就越高,這就
- 關(guān)鍵字: 布線(xiàn) EMI
如何解決多層PCB設計時(shí)的EMI
- 解決EMI問(wèn)題的辦法很多,現代的EMI抑制方法包括:利用EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑制零配件和EMI仿真設計等。本文從最基本的PCB布板出發(fā),討論PCB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設計技巧。 電源匯流排 在 IC的電源引腳附近合理地安置適當容量的電容,可使IC輸出電壓的跳變來(lái)得更快。然而,問(wèn)題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應的特性,這使得電容無(wú)法 在全頻帶上生成干凈地驅動(dòng)IC輸出所需要的諧波功率。除此之外,電源匯流排上形成的瞬態(tài)電壓在去耦路徑的電感兩端會(huì )形成電壓降,這些瞬態(tài)
- 關(guān)鍵字: PCB EMI
也來(lái)談?wù)凟MI和EMC電路中磁珠和電感的不同作用

- 磁珠和電感在解決EMI和EMC方面各與什么作用,首先我們來(lái)看看磁珠和電感的區別,電感是閉合回路的一種屬性,多用于電源濾波回路,而磁珠主要多 用于信號回路,用于EMC對策磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾,而電感用于這方面則側重于抑制傳導性干擾。磁珠是用來(lái)吸收超高頻信號,象一些RF電 路,PLL,振蕩電路,含超高頻存儲器電路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在電源輸入部分加磁珠,兩者都可用于處理EMC、EMI問(wèn)題。 磁 珠和電感在EMI和EMC電路中關(guān)鍵是是對高頻傳導干擾信號進(jìn)行抑制,也有抑制
- 關(guān)鍵字: EMI EMC 磁珠 電感
電子醫療設備EMI問(wèn)題減少的設計方法
- 設備設計者一直要求獲得具有更小封裝的SMPS。更小的EMI濾波器不僅能夠在電磁發(fā)射到達主線(xiàn)前有效的降低其量級,還能夠減少主線(xiàn)濾波器的體積。模塊 化的SMPS使設計者在設計醫療設備時(shí)具有更大的靈活性。在重新設計或升級過(guò)程中,可以使用更高功率級別模塊化SMPS替換原SMPS,而無(wú)需對支持 SMPS和設備的電氣機械系統進(jìn)行重新設計。 使用基底噪聲濾波器降低傳導發(fā)射量級 基底噪聲濾波器與傳導線(xiàn)濾波器的聯(lián)合之下,基底噪聲通過(guò)傳導線(xiàn)濾波器被導入地下,在基底噪聲進(jìn)入建筑設施接地系統前,它將被有效減少。這
- 關(guān)鍵字: EMI SMPS
汽車(chē)電子極近場(chǎng)EMI掃描技術(shù)方案

- 導讀: 汽車(chē)廠(chǎng)商往往采用最新的消費電子系統來(lái)體現與其他廠(chǎng)商汽車(chē)的差異化,該系統必須在各種苛刻的條件下都能正常工作。動(dòng)力系統、安全系統和其它汽車(chē)控制系統也都有同樣的要求,一旦出現故障,這些系統會(huì )導致更加嚴重的后果。 汽車(chē)廠(chǎng)商往往采用最新的消費電子系統來(lái)體現與其他廠(chǎng)商汽車(chē)的差異化,該系統必須在各種苛刻的條件下都能正常工作。動(dòng)力系統、安全系統和其它汽車(chē)控制系統也都有同樣的要求,一旦出現故障,這些系統會(huì )導致更加嚴重的后果。 汽車(chē)電子系統對于供應商提供的芯片和印制電路板的電磁輻射特別敏感。因此,SA
- 關(guān)鍵字: EMI EMI
EMI濾波器設計中的干擾特性和阻抗特性

- 隨著(zhù)電子技術(shù)的發(fā)展,電磁兼容性問(wèn)題成為電路設計工程師極為關(guān)注和棘手的問(wèn)題。 根據多年的工程經(jīng)驗,大家普遍認為電磁兼容性標準中最重要的也是最難解決的兩個(gè)項目就是傳導發(fā)射和輻射發(fā)射。為了滿(mǎn)足傳導發(fā)射限制的要求,通常使用電磁干擾(EMI)濾波器來(lái)抑制電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導噪聲。但是怎么選擇一個(gè)現有的濾波器或者設計一個(gè)能滿(mǎn)足需要的濾波器?工程師表現得很盲目,只有憑借經(jīng)驗作嘗試。首先根據經(jīng)驗使用一個(gè)濾波器,如果不能滿(mǎn)足要求再重新修改設計或者換另一個(gè)新的濾波器。因此,要找到一個(gè)合適的EMI濾波器就成為一個(gè)費時(shí)且高成本
- 關(guān)鍵字: EMI 濾波器
EMI 輻射信號強度解析
- 需要距離輻射源多遠才能使輻射信號不干擾系統呢?要想知道這個(gè)問(wèn)題的答案,需要思考下面兩個(gè)問(wèn)題:1)輻射源的輻射能量大小;2)系統的 EMI 保護電路性能如何。本文中,我們將首先討論第一個(gè)問(wèn)題。 呈輻射狀的電磁干擾 (EMI) 信號會(huì )從輻射源傳播至某個(gè)接收單元。根本而言,這些信號的功率或者電壓強度在“觸及”敏感的電路時(shí),取決于發(fā)送器的功率/天線(xiàn)增益以及輻射源和接收器之間的距離(請參見(jiàn)圖 1)。 圖 1 輻射源和接收器之間的 EMI 電場(chǎng)和功率
- 關(guān)鍵字: EMI
淺談集成電路對EMI設計的影響
- 電磁兼容設計通常要運用各項控制技術(shù),一般來(lái)說(shuō),越接近EMI源,實(shí)現EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成電路芯片是EMI最主要的能量來(lái)源,因此,如果能夠深入了解集成電路芯片的內部特征,可以簡(jiǎn)化PCB和系統級設計中的EMI控制。 在考慮EMI控制時(shí),設計工程師及PCB板級設計工程師首先應該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類(lèi)型、偏置電壓和芯片的:工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI、刀1)等都對電磁干擾有很大的影響。下面將著(zhù)重探討IC對EMI控制的影響。 集成電路EMl來(lái)源 PC
- 關(guān)鍵字: 集成電路 EMI
emi-rfi介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條emi-rfi!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對emi-rfi的理解,并與今后在此搜索emi-rfi的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對emi-rfi的理解,并與今后在此搜索emi-rfi的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
熱門(mén)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
