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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ddr2-400

采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計

  • 采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計,本白皮書(shū)討論各種存儲器接口控制器設計所面臨的挑戰和 Xilinx 的解決方案,同時(shí)也說(shuō)明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過(guò)硬件驗證的參考設計來(lái)為您自己的應用(從低成本的 DDR SDRAM 應用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣的更
  • 關(guān)鍵字: 接口  控制器  設計  存儲器  SDRAM  Xilinx  FPGA  DDR2  采用  

Nufront第三代處理器采用Cadence接口IP解決方案

  • 全球電子設計創(chuàng )新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設計系統公司 (NASDAQ: CDNS),日前宣布Nufront(新岸線(xiàn))的NS115芯片組采用了Cadence可配置的DDR3/3L/LPDDR2存儲控制器與硬化PHY IP核,應用于其雙核ARM Cortex –A9移動(dòng)應用處理器。TSMC 40LP工藝, 32位DDR3/LPDDR2接口的數據傳輸速率最高可達800Mbps,并能提供對超薄筆記本、平板電腦和智能手機等產(chǎn)品至關(guān)重要的基于數據流量的自動(dòng)功耗管理。 Cadence 的DDR3/3L/LPDDR2 IP
  • 關(guān)鍵字: Cadence  DDR2  IP核  

一種矢量信號發(fā)生器設計與實(shí)現

  • 摘要:充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號的特點(diǎn),以FPGA為邏輯時(shí)序控制器,設計并實(shí)現了一種靈活、簡(jiǎn)單、低成本的矢量信號發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例,詳細介紹了矢量信號發(fā)生器的設計方案與實(shí)現過(guò)程,使用Verilog HDL描述并實(shí)現了DDR2 SDRAM的時(shí)序控制和FPGA的邏輯控制。
  • 關(guān)鍵字: DDR2 SDRAM  FLASH  201205  

StellamarXilinxXC3S400AN數字ADC音頻評估方案

  • Stellamar 公司的數字ADC采用Xilinx公司的 XC3S400AN FPGA,平均功耗低50%,面積低50%,非常低的工作電壓,高達14位的有效位,14位500Hz的SNR為90dB,數字典輸出,數字測試,過(guò)采樣,不會(huì )丟失碼,極低的失調漂移,能用在苛刻的環(huán)
  • 關(guān)鍵字: StellamarXilinxXC3  StellamarXilinxXC  S400  400    

可獲得400VP-P輸出的高電壓增強器電路功能及原理

  • 電路的功能OP放大器的輸出振幅幅值為正負10~30V,需要數百伏幅值的靜電激勵器或壓電器件就要使用專(zhuān)門(mén)的激勵放大器,也有采用由耐高壓晶體管組成的獨立電路的。本電路主要應用OP放大器的直流特性,在OP放大器后面增加
  • 關(guān)鍵字: VP-P  400  高電壓  電路功能    

高速圖像處理系統中DDR2-SDRAM接口的設計

  • 摘要:為了滿(mǎn)足高速圖像處理系統中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的,采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設計方法,提出一種基于VHDL語(yǔ)言的DDR2-SDRAM控制器的方案,針對高速圖像處理系統中的具體情況,在Xilinx的ML506開(kāi)發(fā)
  • 關(guān)鍵字: 接口  設計  DDR2-SDRAM  理系  圖像  處理  高速  

基于USB2.0和DDR2的數據采集系統設計

  • 摘要:采用DDR2SDRAM作為被采集數據的緩存技術(shù),給出了USB2.0與DDR2相結合的實(shí)時(shí)、高速數據采集系統的解決方...
  • 關(guān)鍵字: USB2.0  DDR2  數據采集  

基于Cyclone III FPGA的DDR2接口設計分析

  • DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě),即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發(fā)展而來(lái)的,能夠在時(shí)鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數據,可以在與SDRAM相同的總線(xiàn)時(shí)鐘頻率下達到更高的數據傳輸率。雖然DDR2和DDR一樣,都采用相同采樣方式進(jìn)行數據傳輸,但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統命令數據的能力。
  • 關(guān)鍵字: Cyclone  FPGA  DDR2  III    

ASIC原型驗證板DDR2 速率再攀高峰

  •   唐芯微電子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA單顆(MB3100-A5/8)和雙顆(D-MB3100A)原型驗證平臺半年來(lái)在用戶(hù)項目使用中,從性能、價(jià)格、穩定性來(lái)說(shuō)已得到了用戶(hù)的很高評價(jià),當然,唐芯微人還是不失抓住每一次售后機會(huì ),把握用戶(hù)提出的問(wèn)題和建議,配合用戶(hù)完成項目的同時(shí)對這款產(chǎn)品進(jìn)行一次次優(yōu)化修正,不但用戶(hù)對唐芯微電子售后服務(wù)有了更進(jìn)一步體會(huì ),而且幾項技術(shù)成果的突破也讓用戶(hù)刮目相看。
  • 關(guān)鍵字: ASIC  DDR2  

基于USB2_0和DDR2的數據采集系統設計與FPGA實(shí)現

  • 摘要: 采用DDR2 SDRAM作為被采集數據的緩存技術(shù), 給出了USB2.0與DDR2相結合的實(shí)時(shí)、高速數據采集系統的解決方案, 同時(shí)提出了對數據采集系統的改進(jìn)思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的實(shí)現方法。

    0 引
  • 關(guān)鍵字: DDR2  FPGA  USB  數據采集    

基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統設計與仿真

  • 基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統設計與仿真, 摘 要: 介紹了DDR2嵌入式系統的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具,并基于Hyperlyxn仿真工具對IBIS模型進(jìn)行仿真分析,給出了一個(gè)具體的DDR2嵌入式系統的設計過(guò)程和方法?! ‖F代電子設計和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展
  • 關(guān)鍵字: 設計  仿真  系統  嵌入式  Hyperlynx  DDR2  基于  

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計

  • 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計,  本白皮書(shū)討論各種存儲器接口控制器設計所面臨的挑戰和 Xilinx 的解決方案,同時(shí)也說(shuō)明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過(guò)硬件驗證的參考設計來(lái)為您自己的應用(從低成本的 DDR SDRAM 應用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
  • 關(guān)鍵字: 接口  控制器  設計  存儲器  SDRAM  Xilinx  FPGA  DDR2  基于  

基于BGA7127設計的400-2700MHz 0.5W高線(xiàn)性放大技術(shù)

  • 本文介紹了BGA7127主要特性和優(yōu)勢,功能方框圖以及920 MHz 到 960 MHz,1930 MHz 到 1990 MHz,2110 MHz 到 2170 MHz和2405 MHz 到 2485 MHz的應用電路及相應的材料清單。NXP公司的BGA7127是 400-2700MHz 0.5W高線(xiàn)性
  • 關(guān)鍵字: 線(xiàn)性  放大  技術(shù)  0.5W  400-2700MHz  BGA7127  設計  基于  

美光推出內存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本

  •   美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內存,支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動(dòng)™ 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場(chǎng)十分重要,因此,小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內存將成為該市場(chǎng)的 理想存儲解決方案。   美光的2Gb DDR2產(chǎn)品過(guò)渡到更先進(jìn)的 50 納米制程節點(diǎn), 反映出美光對市場(chǎng)所需的技術(shù)的承諾和持續投資。從1Gb升級到2Gb 的元件除了容量提
  • 關(guān)鍵字: 美光  50納米  DDR2  

鎂光開(kāi)始出貨50nm 2Gb DDR2 內存芯片

  •   鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片,主要面向平板電腦市場(chǎng)。   該芯片采用低電壓DDR2標準制造,可與英特爾開(kāi)發(fā)代號Oak Trail的Atom系統協(xié)同工作,容量方面,該芯片從512Mb到2Gb不等,可構成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內存條,實(shí)現8億MT/s傳輸能力。   得益于較小的制程,這款芯片可以工作在1.55V的低壓下,以降低系統的電源需求。   鎂光預計這種DD2存儲芯片將在2010年9月開(kāi)始出樣,年末之前量產(chǎn)出貨。
  • 關(guān)鍵字: 鎂光  50納米  DDR2  
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