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RF MEMS和軟件無(wú)線(xiàn)電
- 隨著(zhù)LTE多頻多模智能手機時(shí)代的來(lái)臨,新一代智能手機要求在2G、3G模式基礎上增加支持LTE模式及相應的工作頻段 ...
- 關(guān)鍵字: RF MEMS 軟件 無(wú)線(xiàn)電
華虹宏力和矽??萍悸?lián)合發(fā)力MEMS傳感器市場(chǎng)
- 世界領(lǐng)先的8英寸晶圓代工廠(chǎng)之一,上海華虹宏力半導體制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹宏力”)和上海矽??萍加邢薰?以下簡(jiǎn)稱(chēng)“矽??萍肌?共同宣布,雙方已結為戰略合作伙伴,聯(lián)合開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)新一代MEMS傳感器。雙方合作生產(chǎn)的首款產(chǎn)品,擁有自主知識產(chǎn)權的AMR磁傳感器QMC6983,已于今日成功上市,成為矽??萍己腿A虹宏力發(fā)力MEMS傳感器市場(chǎng)的開(kāi)端。該款產(chǎn)品是矽??萍蓟贖oneywell公司AMR磁感應技術(shù)自主研發(fā)的第一款三軸單芯片磁傳感器產(chǎn)品。 該款產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: MEMS 傳感器
上海自貿區解除游戲機銷(xiāo)售禁令 紅外LED廠(chǎng)受惠
- 隨著(zhù)上海自貿區掛牌時(shí)間的臨近,本周自貿熱卷土重來(lái):龍頭股外高橋及陸家嘴連續收出兩個(gè)漲停板,且漲勢有向縱深方向擴散的跡象。此前,市場(chǎng)人士就已獲悉,允許國外企業(yè)在華銷(xiāo)售游戲機將是上海自貿區藍圖的一部分;本月23日晚間,百視通發(fā)布的與微軟在上海自貿區組建合資公司的公告,更是令自貿區相關(guān)游戲機概念的炒作熱潮一觸即發(fā),百視通昨日就強勢漲停。 分析人士表示,百視通與微軟在上海自貿區設立合資公司的舉措表明,實(shí)行了十三年的游戲機禁令將在上海自貿區正式終結;在此背景下,預計與游戲機生產(chǎn)相關(guān)的軟硬件公司,如水晶光電
- 關(guān)鍵字: 紅外LED CMOS
銅柱凸點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流
- 銅柱凸點(diǎn)和微焊點(diǎn)將改變倒裝芯片的市場(chǎng)和供應鏈。之所以這樣說(shuō),是因為除了移動(dòng)產(chǎn)品用處理器和內存外,其他CMOS半導體也需要在比現在更小的芯片面積上實(shí)現更多的I/O個(gè)數以及更高的帶寬,并采取更好的散熱措施。 目前全球倒裝芯片市場(chǎng)規模為200億美元,以年增長(cháng)率為9%計算,到2018年將達到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中,銅柱凸點(diǎn)式封裝的年增長(cháng)率將達到19%。到2014年,已形成凸點(diǎn)的晶圓中將有50%使用銅柱凸點(diǎn),從數量上來(lái)說(shuō),銅柱凸點(diǎn)式封裝將占到倒裝芯片封裝市場(chǎng)的2/3。
- 關(guān)鍵字: CMOS 倒裝芯片
無(wú)錫建成國內最先進(jìn)MEMS智能傳感器孵化器

- 近日從位于無(wú)錫新區的中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng )新園獲悉,針對當前國內傳感器研發(fā)技術(shù)力量不足,由江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心、無(wú)錫微納產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司和華潤微電子等三方共建的國內首個(gè)完備MEMS智能傳感器公共技術(shù)平臺目前已進(jìn)入實(shí)際運行階段。依托該平臺技術(shù)輻射,多家國內頂尖研發(fā)機構和企業(yè)已入駐,成為當地物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的重要引擎。 MEMS(微機電系統)被認為是繼微電子之后又一個(gè)對國民經(jīng)濟和軍事具有重大影響的技術(shù)領(lǐng)域,具有體積小、功耗低、性能穩定等優(yōu)點(diǎn),也是物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)鏈中的最核心環(huán)節。今年2月,工信部發(fā)文明確將微型智能傳
- 關(guān)鍵字: MEMS 智能傳感器
ASM高級技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰
- 高介電常數(High-k) 金屬閘極應用于先進(jìn)互補式金氧半導體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰是什么? 高介電常數/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進(jìn)是用來(lái)解決標準SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問(wèn)題。雖然使用高介電常數介電質(zhì)能夠持續縮減等效氧化物厚度(EOT),整合這些材料需對NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件,NMOS元件必須使用低工作函數金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數金屬。即便有許多種金屬可供挑選,但其中僅有少數具有穩定的
- 關(guān)鍵字: ASM CMOS
cmos-mems介紹
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