摘要：分析了Gilbert結構有源雙平衡混頻器的工作機理，以及混頻器的轉換增益、線(xiàn)性度與跨導、CMOS溝道尺寸等相關(guān)電路參數間的關(guān)系，并據此使用ADS軟件進(jìn)行設計及優(yōu)化。在采用TSMC 0．25mu;m CMOS工藝，射頻信號為2．
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設計 平衡 CMOS ADS 采用
1 引言 鋰電池產(chǎn)品以高能量密度、長(cháng)循環(huán)壽命、快速充放電、高電池電壓、工作溫度范圍廣、無(wú)記憶等優(yōu)異特性占據了市場(chǎng)很大份額。然而，鋰電池產(chǎn)品在充放電過(guò)程中的過(guò)充電、過(guò)放電、放電過(guò)電流及其它異常狀態(tài)(例如
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保護 電路設計 電池 聚合物 CMOS 工藝 基于
為數億部數碼相機提供SOC解決方案的全球領(lǐng)先供應商卓然公司﹝納斯達克證券交易所代碼：ZRAN﹞日前宣布，其高度集成的COACH 14數碼相機處理器平臺可用于3D、全高清視頻、混合型及單電數碼相機。
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卓然 CMOS COACH 14
手機高級功率放大器解決方案的新領(lǐng)軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機用 CMOS 發(fā)射模塊，該模塊是世界上最經(jīng)濟的高性能模塊。利用體效應互補金屬氧化物半導體工藝自身的可擴展性，AdaptiveRF 體系結構可融合高度集成的派生功能，包括交換機和復合濾波器，可不斷大幅降低前端產(chǎn)品的成本、體積和功耗。
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Amalfi CMOS
LDO是一種微功耗的低壓差線(xiàn)性穩壓器，它具有極低的自有噪聲和較高的電源抑制比(PSRR)。SGM2007高性能低壓差線(xiàn)...
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LDO PSRR RF電路
CCD和CMOS是當前主要的兩項成像技術(shù)，它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景，就當前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機應依據適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術(shù)，便能使圖像監控達到預期的效果。另外，還可看到，C
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分析 技術(shù) 主要 CMOS CCD
摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結構功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設計方案，使用CMOS工藝設計了兩級全差分放大電路，在此基礎上設計輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò )
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CMOS 共源共柵 功率放大器 方案
摘要：傳統基準電路主要采用帶隙基準方案，利用二級管PN結具有負溫度系數的正向電壓和具有正溫度系數的VBE電壓得出具有零溫度系數的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VT
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CMOS VTH 電壓基準
摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對四利PMOS管基準電壓源進(jìn)行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時(shí)的電路參數和仿真結果。
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仿真 分析 電壓 基準 CMOS
在系統中，微控制器必須與在不同的電源電壓運作外圍設備進(jìn)行通信。這種設計思路，介紹了如何為低功率負載，一個(gè)...
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綠色 LED LDO 穩壓器
艾克賽利(Accelicon)，器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(huì )(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì )上介紹業(yè)內最新BSIM-IMG模型的應用情況。
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艾克賽利 CMOS
摘要：片上系統射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過(guò)分析和對比各類(lèi)功率放大器的特點(diǎn)，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設計2．4 GHz WLAN全集成線(xiàn)性功率放大器。論文中設計的功率放大器采用不同結構的兩級放大
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4GHz CMOS 35 集成
圖1中電路會(huì )根據一個(gè)脈沖，切換一個(gè)DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個(gè)瞬動(dòng)開(kāi)關(guān)至步進(jìn)電壓信號發(fā)生器，一個(gè)差分脈沖轉換器，一個(gè)繼電器驅動(dòng)器，以及一個(gè)繼電器線(xiàn)圈?！ ∷矂?dòng)開(kāi)關(guān)提供驅動(dòng)電路的步進(jìn)電壓信
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研究 電路 CMOS 繼電器
1 引言 隨著(zhù)集成電路規模的發(fā)展， 電子設備的體積、重量和功耗越來(lái)越小， 這對電源電路的集成化、小型化及電源管理性能提出了越來(lái)越高的要求。而隨著(zhù)片上系統（ SOC） 的不斷發(fā)展， 單片集成的LDO 線(xiàn)性穩壓器的應
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穩壓 電路設計 線(xiàn)性 LDO 寬頻 功耗
我們發(fā)現日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統的本體硅晶體管。最終，通過(guò)構成一個(gè)由多層系統-電路-器件電源管理生態(tài)系統構成的底層，晶體管的創(chuàng )新將會(huì )繼續在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統
cmos-ldo介紹
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