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超低靜態(tài)電流LDO穩壓器最佳選型詳解

  • 靜態(tài)電流差異及其對電池使用時(shí)間的影響  下面將更密切地審視數據表中的靜態(tài)電流規格與實(shí)際測量結果的比 ...
  • 關(guān)鍵字: 超低  靜態(tài)電流  LDO  穩壓器  

超低靜態(tài)電流LDO穩壓器最佳選型詳解(一)

  • 電子應用設計人員現今面臨的一項極重要挑戰是將電子系統能耗降至最低。為了達到此目的,大多數系統利用不同的 ...
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圣邦推出IQ低至1.7μA的高壓LDO-SGM2200/SGM2300

  • 圣邦微電子(SG MICRO)于2012年推出極限耐壓高達32V的高壓LDO SGM2200系列。該系列產(chǎn)品可正常工作在26.4V輸入電壓范圍內,靜態(tài)功耗低至1.7μA,額定輸出電流為50mA,可廣泛用于各種電池供電或需要極低待機電流的電子產(chǎn)品中。
  • 關(guān)鍵字: 圣邦  封裝  SGM2200  LDO  

基于CPLD的服務(wù)機器人視覺(jué)系統軟硬件設計

  •   隨著(zhù)計算機科學(xué)和自動(dòng)控制技術(shù)的發(fā)展,越來(lái)越多的不同種類(lèi)的智能機器人出現在工廠(chǎng)、生活當中,機器人視覺(jué)系 ...
  • 關(guān)鍵字: CMOS  智能機器人  視覺(jué)系統  

羅姆高頻元器件和模塊技術(shù)系列一

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
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低壓差線(xiàn)性穩壓器(LDO)的噪音問(wèn)題解析(二)

  • 典型電路中參考噪聲的控制  放大參考噪聲  TI TPS74401 LDO 用于測試和測量。表 1 列出了常見(jiàn)配置參 ...
  • 關(guān)鍵字: 低壓差  線(xiàn)性穩壓器  LDO  

低壓差線(xiàn)性穩壓器(LDO)的噪音問(wèn)題解析(一)

  • 引言  隨著(zhù)通信信道的復雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統的要求和期望也不斷提高。這些通信系統高 ...
  • 關(guān)鍵字: 低壓  差線(xiàn)性  穩壓器  LDO  

中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

  •   中芯國際宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展,首款背照式CMOS成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功,在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標志著(zhù)中芯國際自主開(kāi)發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶圓工藝核心技術(shù)接近成熟,步入產(chǎn)業(yè)化階段,更好地滿(mǎn)足高端智能移動(dòng)終端的需要。該技術(shù)將于2013年與客戶(hù)伙伴進(jìn)行試產(chǎn)。   背照式CMOS成像傳感芯片工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)的成功,有助于中芯國際進(jìn)一步拓展晶圓代工業(yè)務(wù),支持國內外客戶(hù)500萬(wàn)像素以上高分辨率智能手機用圖像傳感芯片、以及高性能視頻影像傳感芯片
  • 關(guān)鍵字: 中芯國際  傳感芯片  CMOS  

LDO 噪聲詳解

  • LDO 噪聲詳解,引言隨著(zhù)通信信道的復雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統的要求和期望也不斷提高。這些通信系統高度依賴(lài)于高性能、高時(shí)鐘頻率和數據轉換器器件,而這些器件的性能又非
  • 關(guān)鍵字: ldo  噪聲  線(xiàn)性穩壓器  

LDO噪聲詳解

  • 引言隨著(zhù)通信信道的復雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統的要求和期望也不斷提高。這些通信系統高度依賴(lài)于高性能、高時(shí)鐘頻率和數據轉換器器件,而這些器件的性能又非常依賴(lài)于系統電源軌的質(zhì)量。當使用一個(gè)高噪
  • 關(guān)鍵字: LDO  詳解    

中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

  • 中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際",紐約證交所代碼:SMI,香港聯(lián)交所代碼:981),中國規模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路代工廠(chǎng),日前宣布在背照式 CMOS 成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展,首款背照式 CMOS 成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功,在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。
  • 關(guān)鍵字: 中芯國際  CMOS  

羅姆全新突破車(chē)載半導體領(lǐng)域的電源IC技術(shù)

  • 如今,全球主要的汽車(chē)制造商為了應對環(huán)境問(wèn)題,都在規劃HEV和EV的開(kāi)發(fā)與擴大投入。然而,由于EV以電池和電機為主動(dòng)力,在現階段,與燃油動(dòng)力車(chē)相比,行駛距離較短,要實(shí)現普及還存在諸多課題。因此,以歐洲已普及的高效低油耗柴油發(fā)動(dòng)機為基礎,在其上附加混合動(dòng)力系統的柴油混合動(dòng)力的開(kāi)發(fā)日益進(jìn)步。
  • 關(guān)鍵字: 羅姆  電源IC  LDO  

基于LDO線(xiàn)性穩壓器的開(kāi)關(guān)電源設計

  • 電源是各種電子設備必不可缺少的組成部分,電源的性能直接關(guān)系到電子設備的技術(shù)指標及能否安全可靠地工作。目...
  • 關(guān)鍵字: LDO  線(xiàn)性穩壓器  開(kāi)關(guān)電源  

一種結構簡(jiǎn)單的低功耗振蕩器電路設計

  • 摘要:給出了一種結構簡(jiǎn)單的低功耗振蕩器電路的設計方法,該電路由RC充放電回路、偏置電路組成。與傳統振蕩器電路相比,該電路具有精度高、電路結構簡(jiǎn)單以及輸出占空比可調等優(yōu)點(diǎn)。采用0.35 mu;m BCD工藝并利用Cad
  • 關(guān)鍵字: 振蕩器電路  低功耗  RC振蕩器  CMOS  

低功耗LNA設計

  • 摘要:為了應對低功耗電路設計要求,提出了一個(gè)在低功耗要求下CMOS低噪聲放大器的設計方法。使用該方法在0.18μm CMOS集成工藝下,設計一款低噪聲放大器,并在A(yíng)DS中進(jìn)行前仿真。
  • 關(guān)鍵字: CMOS  放大器  LNA  201212  
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