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巧焊場(chǎng)效應管和CMOS集成電路
- 焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì )感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(cháng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿(mǎn)意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應管。
- 關(guān)鍵字： CMOS 焊 場(chǎng)效應管 集成電路
威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器
- 威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術(shù)時(shí)代業(yè)內首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。 USB3.0(即超速USB)的最大數據傳輸速度可達5Gbps，是現有USB2.0設備傳輸速度的10倍;此外，該技術(shù)還能提高外部設備與主機控制器之間的互動(dòng)功能，包括能耗管理上的重要改進(jìn)。 VIA VL810由威盛集團全資子公司VIA Labs研發(fā)，它實(shí)現在一個(gè)USB接口上連接多個(gè)設備從而擴展了計算機的USB性能。一個(gè)輸出接口及四個(gè)輸入接口不僅支持高
- 關(guān)鍵字： 威盛 USB3.0 CMOS
IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)
- IBM研究人員開(kāi)發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節點(diǎn)。 在IEDM會(huì )議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱(chēng)該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(cháng)，非常適合于低功耗應用。除了場(chǎng)效應管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。 該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng )新，包括源漏摻雜外延淀積(無(wú)需離子注入)，以及提高的源漏架構。 該技術(shù)部分依賴(lài)于近期SOI晶圓供應商推出了硅膜厚度為6nm的S
- 關(guān)鍵字： IBM CMOS 22nm SOC
東芝20nm級體硅CMOS工藝獲突破
- 東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導體技術(shù)會(huì )議上宣布，其20nm級CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破，開(kāi)啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規模集成電路設備的大門(mén)，成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級CMOS工藝。東芝表示，他們通過(guò)對晶體管溝道的摻雜材料進(jìn)行改善，實(shí)現了這次突破。 在傳統工藝中，由于電子活動(dòng)性降低，通常認為體硅(Bulk)CMOS在20nm級制程下已經(jīng)很難實(shí)現。但東芝在溝道構造中使用了三層材料，解決了這一問(wèn)題，成功實(shí)現了20nm級的體硅CMOS。這三層材料
- 關(guān)鍵字： 東芝 CMOS 20nm
美國半導體協(xié)會(huì )副總裁解讀國際技術(shù)路線(xiàn)圖
- 創(chuàng )新與變革是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主旋律。集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展到今天，不斷表現出新的趨勢和特征：一方面繼續專(zhuān)注于CMOS技術(shù)，沿著(zhù)摩爾定律前進(jìn)(moreMoore’s);另一方面，產(chǎn)品多功能化(morethanMoore’s)趨勢日益明顯。國際半導體技術(shù)路線(xiàn)圖(ITRS)是被業(yè)界廣泛認同的對未來(lái)15年內半導體研發(fā)需求的最佳預測。在國際金融危機沖擊半導體產(chǎn)業(yè)、半導體技術(shù)變化更加迅速、產(chǎn)業(yè)競爭更加激烈的狀況下，ITRS會(huì )對半導體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)做出怎樣的指導和預測?在日前舉辦的ICCHINA20
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 CMOS 半導體
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