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cmos+dps 文章 進(jìn)入cmos+dps技術(shù)社區
AMD明年啟用28nm CMOS工藝
- AMD公司高級副總裁兼首席技術(shù)官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經(jīng)采用臺積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續采用相同工藝，海島系列GPU已經(jīng)進(jìn)入樣品試生產(chǎn)階段，在2012年年底開(kāi)始生批量生產(chǎn)，在2013年第一季度正式發(fā)布。 在評論異構系統架構(HSA)聯(lián)盟，是否用來(lái)應對英特爾和NVIDI
- 關(guān)鍵字： ARM CMOS
聯(lián)電與星國微電子開(kāi)發(fā)TSV技術(shù)
- 聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布，將合作進(jìn)行應用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術(shù)開(kāi)發(fā)，透過(guò)這項技術(shù)，包括智慧手機、數位相機與個(gè)人平板電腦等行動(dòng)電子產(chǎn)品，里面所采用的數百萬(wàn)像素影像感測器，都可大幅提升產(chǎn)品效能、降低成本、體積減少。 聯(lián)電指出，市場(chǎng)上對于持續縮小像素，又能兼顧效能的需求，日益增強，帶動(dòng)CMOS影像感測技術(shù)興起，而背面照度式技術(shù)則普遍被視為能夠讓微縮到微米級大小的像素，仍保有優(yōu)異效能的解決方案。 聯(lián)電指出，這次專(zhuān)案目標，希望提影像感測器靈敏度，支援更
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)華 CMOS 微電子
IMEC探討10nm以下制程變異
- 在可預見(jiàn)的未來(lái)，CMOS技術(shù)仍將持續微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節點(diǎn)后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時(shí)舉行的IMEC Technology Forum上表示。 明天的智慧系統將會(huì )需要更多的運算能力和儲存容量，這些都遠遠超過(guò)今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動(dòng)了我們對晶片微縮技術(shù)的需求。 在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續推動(dòng)晶片微縮。在10nm之后，或許還
- 關(guān)鍵字： IMEC CMOS 10nm
基于DSP內嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： PLL DSP CMOS 環(huán)形振蕩器
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