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cmos+dps 文章 進(jìn)入cmos+dps技術(shù)社區
CMOS模擬開(kāi)關(guān)的選擇與典型應用
- 一、前言:早期的模擬開(kāi)關(guān)大多工作于plusmn;20V 的電源電壓,導通電阻為幾百歐姆,主要用于模擬信號與數字控制的接口,近幾年,集成模擬開(kāi)關(guān)的性能有了很大的提高,它們可工作在非常低的電源電壓,具有較低的導通電
- 關(guān)鍵字: CMOS 模擬開(kāi)關(guān) 典型
用于CMOS圖像傳感器的流水線(xiàn)ADC設計及其成像驗證
- 摘要:在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中,除需關(guān)注其噪聲外,目前數字化也是它的一個(gè)重要的研究和設計方向,設計了...
- 關(guān)鍵字: 流水線(xiàn)ADC CMOS 圖像傳感器 Labview
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結構設計(二)
- 3 仿真分析及具體設計結果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結構的設計中,一種常見(jiàn)的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結構。其原理如下:主要利用結構中的RC延遲作用,一般T=RC被設計為100ns-1000ns之間,而
- 關(guān)鍵字: VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結構設計
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護結構的有效設計是CMOS集成電路可靠性設計的重要任務(wù)之一,其ESD結構與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān),隨著(zhù)IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,特征尺寸越來(lái)越小,管子的柵氧層厚度越來(lái)越
- 關(guān)鍵字: VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
cmos+dps介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對cmos+dps的理解,并與今后在此搜索cmos+dps的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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