EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
cmos+dps
cmos+dps 文章 進(jìn)入cmos+dps技術(shù)社區
淺談設計PCB時(shí)抗ESD的方法
- 來(lái)自人體、環(huán)境甚至電子設備內部的靜電對于精密的半導體芯片會(huì )造成各種損傷,例如穿透元器件內部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏的PN結;短路正向偏置的PN結;熔化有源器件內部的焊接線(xiàn)或鋁線(xiàn)。為了消除靜電釋放(ESD)對電子設備的干擾和破壞,需要采取多種技術(shù)手段進(jìn)行防范。 在PCB板的設計當中,可以通過(guò)分層、恰當的布局布線(xiàn)和安裝實(shí)現PCB的抗ESD設計。在設計過(guò)程中,通過(guò)預測可以將絕大多數設計修改僅限于增減元器件。通過(guò)調整PCB布局布線(xiàn),能夠很好
- 關(guān)鍵字： PCB ESD CMOS
基于CMOS圖像傳感器的指紋識別設計
- 引 言 CMOS圖像傳感器是近年來(lái)得到快速發(fā)展的一種新型固態(tài)圖像傳感器。它將圖像傳感部分和控制電路高度集成在同一芯片里，體積明顯減小、功耗也大大降低，滿(mǎn)足了對高度小型化、低功耗成像系統的要求。與傳統的CCD圖像傳感器相比，CMOS圖像傳感器還具有集成度高、控制簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此隨著(zhù)CMOS集成電路工藝的不斷進(jìn)步和完善，CMOS圖像傳感器已經(jīng)廣泛應用于各種通用圖像采集系統中。同時(shí)作為一種PC機與外圍設備間的高速通信接口，USB具有許多突出的有點(diǎn)： 連接簡(jiǎn)便，可熱插拔，無(wú)需定位及運行安裝
- 關(guān)鍵字： CMOS USB CPLD
十個(gè)電荷泵的設計方案以及經(jīng)典應用案例
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： 電荷泵 CMOS DC-DC 圖像傳感器 鎖相環(huán)芯片
一種0.1-1.2GHz的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片設計
- 設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開(kāi)關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內的測試結果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。 目前，全球無(wú)線(xiàn)通信系統正處于快速發(fā)展進(jìn)程中，無(wú)線(xiàn)通信“行業(yè)專(zhuān)網(wǎng)”系統也正處于飛速發(fā)展的黃金時(shí)期。我國無(wú)線(xiàn)通信行業(yè)專(zhuān)網(wǎng)所用頻點(diǎn)和帶寬種類(lèi)繁多，其頻率 主要集中在0.1-1.2GHz。各專(zhuān)網(wǎng)使用不同的頻點(diǎn)、射頻帶寬和信號帶寬，標
- 關(guān)鍵字： CMOS 射頻無(wú)線(xiàn)收發(fā)芯片 RFID
東芝新CMOS振蕩器提供全球最高等級精確度
- 東京—東芝公司今天宣布，該公司已開(kāi)發(fā)出一款采用標準CMOS技術(shù)制造的原型參考時(shí)鐘振蕩器，該振蕩器達到了全球最高等級精確度。這款新設備用于代替傳統的晶體振蕩器，將為電子設備的微型化提供支持。 東芝將于6月13日在夏威夷檀香山舉辦的2014年超大規模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì )(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上展示這項振蕩器技術(shù)。 近年來(lái)，對于作為電子產(chǎn)品復雜功能來(lái)源的電子組件的微型化要求已經(jīng)擴及振蕩器，激發(fā)了對超小型振蕩器的興趣。
- 關(guān)鍵字： 東芝 CMOS 振蕩器
英飛凌推出最小的天線(xiàn)調諧專(zhuān)用開(kāi)關(guān)
- 英飛凌科技股份公司針對射頻前端擴大高效集成電路解決方案產(chǎn)品組合，推出一款天線(xiàn)調諧專(zhuān)用開(kāi)關(guān)。新款天線(xiàn)調諧開(kāi)關(guān)(Aperture tuning)對提升4G智能手機和平板電腦的終端用戶(hù)體驗助益匪淺。該新產(chǎn)品從根本上優(yōu)化天線(xiàn)特性，在相關(guān)的LTE頻帶上可讓運行中的數據率達到最高水平。BGS1xGN10系列開(kāi)關(guān)采用市面上最小封裝，這對新一代智能手機和其他便攜式設備等空間受限的應用而言至關(guān)重要。此外，該系列進(jìn)一步降低電流消耗，延長(cháng)此類(lèi)設備的待機和工作時(shí)間?！ 〔捎糜w凌射頻CMOS開(kāi)關(guān)技術(shù)的天線(xiàn)調諧專(zhuān)用開(kāi)關(guān)有利于開(kāi)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 BGSA14GN10 CMOS
英飛凌面向智能電話(huà)和平板電腦的射頻開(kāi)關(guān)出貨量突破10億大關(guān) Bulk RF CMOS技術(shù)實(shí)現最快增速
- 英飛凌科技股份公司近日宣布，其用于智能電話(huà)和平板電腦的射頻開(kāi)關(guān)的出貨量已經(jīng)突破10億大關(guān)。這凸顯了英飛凌作為發(fā)展速度最快的射頻開(kāi)關(guān)領(lǐng)先供應商之一的地位。預計，今后數年，隨著(zhù)新一代智能電話(huà)和平板電腦集成越來(lái)越多的LTE頻段，射頻開(kāi)關(guān)需求將呈兩位數增長(cháng)?！ ‰S著(zhù)4G/LTE手機可支持的工作頻段和運行模式越來(lái)越多，其射頻前端部件設計日益復雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應用之外，天線(xiàn)開(kāi)關(guān)也是射頻前端至關(guān)重要的主要組件。這些天線(xiàn)開(kāi)關(guān)要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線(xiàn)的發(fā)射(TX)/接收(RX)通道，要
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 LTE CMOS
RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器
- 專(zhuān)注于為無(wú)線(xiàn)連接和蜂窩移動(dòng)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)創(chuàng )新型下一代射頻(RF)解決方案的領(lǐng)先無(wú)晶圓半導體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)絡(luò )(WLAN)應用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)?！ FX241最新加入RFaxis瞄準快速增長(cháng)的無(wú)線(xiàn)接入點(diǎn)(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(guān)(HGW)、熱點(diǎn)(Hotspot)等無(wú)線(xiàn)基礎設施市場(chǎng)的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內的目前市場(chǎng)上
- 關(guān)鍵字： RFaxis RF CMOS
德國開(kāi)發(fā)出可耐高溫的新型微芯片
- 在地熱生產(chǎn)和石油生產(chǎn)過(guò)程中溫度通常會(huì )超過(guò)200℃，高于設備所用的傳統微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統研究所(IMS)的研究人員近日開(kāi)發(fā)出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達300℃的溫度下也能正常工作。 傳統的CMOS芯片有時(shí)能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會(huì )迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實(shí)施持續冷卻，但是很難實(shí)現。此外，市場(chǎng)上也存在專(zhuān)門(mén)的高溫芯片，但是尺寸過(guò)大(最小尺寸也達1微米)。 IMS開(kāi)發(fā)的微芯片尺寸僅有0
- 關(guān)鍵字： 微芯片 CMOS
一種低電壓、低功耗模擬電路設計簡(jiǎn)介
- 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設備。由于未來(lái)CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì )遠低于現有標準，于是采用襯底驅動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動(dòng)技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開(kāi)。襯底驅動(dòng)MOS晶體管的原理類(lèi)似于結型場(chǎng)效應晶體管，也就是一個(gè)耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
- 關(guān)鍵字： MOS CMOS
卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬(wàn)顆
- 作為專(zhuān)注在WiFi、藍牙、GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應商，卓勝微電子今日宣布，公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現了我們產(chǎn)品的卓越性能?！弊縿傥㈦娮涌偨?jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機市場(chǎng)的領(lǐng)先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng )新和品質(zhì)有著(zhù)不懈追求，同時(shí)它對合作伙伴也有著(zhù)非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力?！? 卓勝微電子的GPS
- 關(guān)鍵字： 卓勝微電子 CMOS
卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆
- 2014年5月5日，作為專(zhuān)注在WiFi，藍牙，GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應商，卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機市場(chǎng)的領(lǐng)先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng )新和品質(zhì)有著(zhù)不懈追求，同時(shí)它對合作伙伴也有著(zhù)非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力。” 卓勝微電子的G
- 關(guān)鍵字： GPSLNA 卓勝 RF CMOS
分析師預測2019年MRAM市場(chǎng)可達21億美元
- 市場(chǎng)研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場(chǎng)感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來(lái)因為取代DRAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場(chǎng)營(yíng)收規?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長(cháng)至21億美元;期間的復合年平均成長(cháng)率(CAGR)估計為50%。
- 關(guān)鍵字： MRAM CMOS
cmos+dps介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cmos+dps!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos+dps的理解，并與今后在此搜索cmos+dps的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos+dps的理解，并與今后在此搜索cmos+dps的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
cmos+dps電路
cmos+dps相關(guān)帖子
cmos+dps資料下載
cmos+dps專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473