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基于GaN的汽車(chē)應用的最新進(jìn)展是什么?

  • 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 越來(lái)越受歡迎,因為精明的消費者,尤其是在加利福尼亞州,認識到出色的加速性能的優(yōu)勢,例如,當紅綠燈變綠時(shí),汽油動(dòng)力汽車(chē)可能會(huì )被塵土甩砸。這是因為電動(dòng)機在駕駛員踩下油門(mén)的那一刻就會(huì )產(chǎn)生峰值扭矩。然而,與內燃機 (ICE) 汽車(chē)相比,電動(dòng)汽車(chē)的主要動(dòng)機是能源效率。EV 車(chē)載電池充電器EV1 的車(chē)載電池充電器 (OBC) 完全能夠為來(lái)自交流電網(wǎng)的高壓牽引電池充電(圖 1)。停放的車(chē)輛插入 EV 1 級和 2 級交流充電站之一,這些充電站出現在停車(chē)場(chǎng)、家庭、公司、購
  • 關(guān)鍵字: GaN  汽車(chē)應用  OBC  高壓 DC-DC轉換器  

基于 MHz 開(kāi)關(guān)頻率的器件助力實(shí)現 DC-DC 轉換器和 EMI 濾波器的小型化

  • 對于 DC-DC 電源轉換器而言,使系統小型化并提高整體功率密度的一種顯著(zhù)方法是通過(guò)更高頻率的開(kāi)關(guān)。然而,盡管開(kāi)關(guān)頻率超過(guò) 1.3 MHz 的系統具有潛在優(yōu)勢,但迫于技術(shù)挑戰,許多設計人員直到現在仍在使用較低的頻率,例如 100 kHz 或更低……。閱讀本文了解使用高密度電源模塊進(jìn)行設計如何改變這一現狀。談到電動(dòng)汽車(chē) (EV) ,所有 OEM 廠(chǎng)商都希望設計更輕、更小、更實(shí)惠的解決方案。此外,公用事業(yè)單位、監管機構和 OEM 廠(chǎng)商都在努力利用車(chē)輛與電網(wǎng) (V2G) 的連接實(shí)現與配電網(wǎng)絡(luò )的能源定期交換。從電
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從硅到碳化硅過(guò)渡,碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者?

  • 電力電子器件高度依賴(lài)于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數據中心,以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。圖1:硅器件(Si)與碳化硅(SiC)器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)?眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統硅技術(shù),基于雙極結型晶體管(B
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超薄型AC-DC電源,為BF等級的醫療和工業(yè)設備提供傳導、對流和風(fēng)扇冷卻選項

  • XP Power正式推出緊湊型、超薄款(25.4mm)AC-DC電源CCR系列,該產(chǎn)品具有靈活的冷卻選項和110W至420W的額定功率,可更有效地利用終端設備內的空間。該產(chǎn)品經(jīng)批準可用于醫療和工業(yè)應用,其高效率高功率密度模塊采用底板冷卻設計,即使在密封的外殼環(huán)境中,也能確保有效的熱管理和噪音敏感應用的安靜運行。這些功能使電源的壽命更長(cháng),需要更少的維護和服務(wù),從而可以顯著(zhù)降低總體擁有成本(TCO)。CCR系列符合IEC60601-1第4版的醫療應用標準,在4000VAC(2 x MOPPs)條件下提供初級至
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可以根據負載輕松而精確地進(jìn)行限流嗎

  • 在一些電源管理應用中,無(wú)論是要保護電源(例如,中間電路電壓需要過(guò)載保護以便能夠可靠地為其他系統部件提供電能),還是在故障情況下保護可能由于過(guò)流而造成損壞的負載,都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負載點(diǎn)穩壓器來(lái)滿(mǎn)足此要求時(shí),我們發(fā)現市面上具有可調限流功能的電壓轉換器很少見(jiàn)??烧{限流功能在采用外部電源開(kāi)關(guān)的控制器設計中更加常見(jiàn),而所有的集成解決方案很少提供此類(lèi)功能。而且,可調限流功能的精度通常不是很高。以外,DC-DC轉換器IC中的電流限制器一般只限制電源的電感電流,不會(huì )限制輸入或輸出電流。此類(lèi)集成
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原來(lái)為硅MOSFET設計的DC-DC控制器能否用來(lái)驅動(dòng)GaNFET?

  • 問(wèn)題沒(méi)有專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)GaNFET的控制器時(shí),如何使用GaNFET設計四開(kāi)關(guān)降壓-升壓DC-DC轉換器?回答眾所周知,GaNFET比較難驅動(dòng),如果使用原本用于驅動(dòng)硅(Si) MOSFET的驅動(dòng)器,可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅動(dòng)電壓和一些小型保護電路,可以為四開(kāi)關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅動(dòng)。簡(jiǎn)介在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中,氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術(shù),有望進(jìn)一步提高功率、開(kāi)關(guān)速度以及降低開(kāi)關(guān)損
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DC-DC電源設計要點(diǎn)

  • DC-DC轉換器可以實(shí)現各種電壓電平的高效電源轉換和供電,但是隨著(zhù)需求的不斷上升,需要更高功率密度更高效率以及更小的尺寸,DC-DC轉換的PCB設計就更為重要了。下面說(shuō)一說(shuō)DC-DC轉換器 PCB設計的一些要點(diǎn):走線(xiàn)長(cháng)度在高頻轉換器中,承載高速開(kāi)關(guān)信號的走線(xiàn)長(cháng)度對于保持信號完整性和降低EMI至關(guān)重要。較長(cháng)的走線(xiàn)可以充當天線(xiàn)并輻射電磁能量,可能會(huì )對其他組件或電路造成干擾,此外,較長(cháng)的走線(xiàn)可能會(huì )引起延遲、信號反射、寄生效應,從而導致轉換器效率和穩定性降低。因此走線(xiàn)長(cháng)度應該盡可能短,尤其是對于高速時(shí)鐘和數據時(shí)鐘
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DC-DC電源管理芯片效率測試,確保高效能與可靠性的關(guān)鍵步驟

  • DC-DC電源管理芯片在現代電子設備中扮演著(zhù)至關(guān)重要的角色,從便攜式電子產(chǎn)品到工業(yè)控制系統,其應用范圍廣泛。為了確保這些設備的高效能與可靠性,對DC-DC電源管理芯片進(jìn)行效率測試顯得尤為重要。本文將詳細探討DC-DC電源管理芯片效率測試的目的及其在實(shí)際應用中的重要性。什么是DC-DC電源管理芯片效率測試DC-DC電源管理芯片效率測試是指通過(guò)實(shí)驗手段測量轉換器在不同工作條件下的效率,即輸出功率與輸入功率的比值。效率測試不僅包括測量標準工作狀態(tài)下的效率,還涉及在不同負載條件、溫度環(huán)境以及輸入電壓變化情況下的性
  • 關(guān)鍵字: DC-DC  電源管理芯片  效率測試  

DC-DC電源效率測試,確保高效能與可靠性的關(guān)鍵步驟

  • _____DC-DC電源轉換器在現代電子設備中扮演著(zhù)至關(guān)重要的角色,從便攜式電子產(chǎn)品到工業(yè)控制系統,其應用范圍廣泛。為了確保這些設備的高效能與可靠性,對DC-DC電源進(jìn)行效率測試顯得尤為重要。本文將詳細探討DC-DC電源效率測試的目的及其在實(shí)際應用中的重要性。什么是DC-DC電源效率測試DC-DC電源效率測試是指通過(guò)實(shí)驗手段測量轉換器在不同工作條件下的效率,即輸出功率與輸入功率的比值。效率測試不僅包括測量標準工作狀態(tài)下的效率,還涉及在不同負載條件、溫度環(huán)境以及輸入電壓變化情況下的性能評估。分別測試電路的輸
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上傳原理圖和PCB圖,請教為什么DC-DC電源紋波大?

  • 網(wǎng)友eefishing問(wèn)題:一個(gè)DC-DC電源轉換,紋波有點(diǎn)大,上傳原理圖和PCB圖用AOZ1050PI設計的一款DC-DC電源轉換,輸入9~18V,輸出1.2V,AOZ1050開(kāi)關(guān)頻率500KHz,現在用示波器測得輸出大概有100mV,Vp-p在485KHz左右的紋波。請問(wèn)各位專(zhuān)家:1 這個(gè)指標的紋波是否在設計許可的范圍之內?在一般情況下,DC-DC電源轉換的紋波在一個(gè)什么范圍內可以認為是正常的?2 從原理圖和PCB圖上,這個(gè)設計是否還能夠進(jìn)一步優(yōu)化降低紋波?還請指出。敬請各位斧正。網(wǎng)友mituone的
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DC-DC電源布局布線(xiàn)技巧

  • 在開(kāi)關(guān)電源的設計中,PCB布局設計與電路設計同樣重要。合理的布局可以避免電源電路引起的各種問(wèn)題。不合理的布局可能導致輸出和開(kāi)關(guān)信號疊加引起噪聲增加、調節性能惡化、穩定性欠佳等。采用恰當的布局可以避免這些問(wèn)題的發(fā)生。1.DC-DC的環(huán)流圖24-1:開(kāi)關(guān)元件Q1導通時(shí)的電流路徑如圖24-1的紅色線(xiàn)表示開(kāi)關(guān)元件Q1導通時(shí)流過(guò)的主要電流和路徑以及方向。Cbypass是高頻用去耦電容器,CIN是大容量電容器。開(kāi)關(guān)元件Q1導通的瞬間,流過(guò)急劇的電流,其大部分由Cbypass提供,其次由CIN提供,緩慢變化的電流則由輸
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羅姆的EcoSiC?被應用于科索3.5kW輸出 AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”

  • 全球知名半導體制造商羅姆生產(chǎn)的EcoSiC?產(chǎn)品——SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”),被日本先進(jìn)電源制造商COSEL CO., LTD. (以下簡(jiǎn)稱(chēng)“科索”)生產(chǎn)的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用。強制風(fēng)冷型“HFA系列”和傳導散熱型“HCA系列”均搭載了羅姆的SiC MOSFET和SiC SBD,從而實(shí)現了最大94%的工作效率?!癏CA系列”于2023年開(kāi)始量產(chǎn)和銷(xiāo)售,“HFA系列”于2024年開(kāi)始量產(chǎn)和銷(xiāo)售。在工業(yè)設備領(lǐng)域,有各種需
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科索3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC?

  • 全球知名半導體制造商羅姆生產(chǎn)的EcoSiC?產(chǎn)品——SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”),被日本先進(jìn)電源制造商COSEL CO., LTD. (以下簡(jiǎn)稱(chēng)“科索”)生產(chǎn)的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用。強制風(fēng)冷型“HFA系列”和傳導散熱型“HCA系列”均搭載了羅姆的SiC MOSFET和SiC SBD,從而實(shí)現了最大94%的工作效率?!癏CA系列”于2023年開(kāi)始量產(chǎn)和銷(xiāo)售,“HFA系列”于2024年開(kāi)始量產(chǎn)和銷(xiāo)售。?在工業(yè)設備領(lǐng)
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可實(shí)現更高功率密度的基于GaN的反激式轉換器

  • Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器,進(jìn)一步壯大其不斷擴展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專(zhuān)為基于GaN的反激式轉換器而設計,用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用。?NEX806xx/NEX808xx是準諧振/多模反激式控制器,可在寬VCC范圍(10-83V)下工作,而NEX81801/NEX81802是自適應同步整流控制器。這些IC可與N
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如何使用GaNFET設計四開(kāi)關(guān)降壓-升壓DC-DC轉換器?

  • 在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中,氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術(shù),有望進(jìn)一步提高功率、開(kāi)關(guān)速度以及降低開(kāi)關(guān)損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當前市場(chǎng)上充斥著(zhù)大量不同的Si MOSFET驅動(dòng)器,而新的GaN驅動(dòng)器和內置GaN驅動(dòng)器的控制器還需要幾年才能面世。除了簡(jiǎn)單的專(zhuān)用GaNFET驅動(dòng)器(如 LT8418)外,市場(chǎng)上還存在針對GaN的復雜降壓和升壓控制器(如LTC7890, LTC7891)。 目前的
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ac-dc介紹

交流/直流。一般指電源的規格是交流輸入直流輸出,屬于開(kāi)關(guān)電源分類(lèi)中的一種。 AC=Alternating Current.DC=Direct Current.    AC/DC即為將交流變換為直流,其功率流向可以是雙向的,功率流由電源流向負載的稱(chēng)為“整流”,功率流由負載返回電源的稱(chēng)為“有源逆變”。AC/DC變換器輸入為50/60Hz的交流電,因必須經(jīng)整流、濾波,因此體積相對較大的濾波電容器是必 [ 查看詳細 ]
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