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ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊 打造次世代電動(dòng)車(chē)
- SEMIKRON和半導體制造商ROHM在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用于SEMIKRON車(chē)規級功率模塊「eMPack」，開(kāi)啟了雙方合作的全新里程碑。 合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長(cháng) Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車(chē)制造商簽
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC SEMIKRON 功率模塊
Semikron新型可控硅模塊設計用于過(guò)載情況
- SEMiSTART，一款來(lái)自賽米控(Semikron)的新型反并聯(lián)可控硅模塊(W1C開(kāi)關(guān))。該模塊被設計用于過(guò)載情況，它有三種不同的尺寸和五種不同的電流等級。尺寸最小的模塊可承受560A的過(guò)載電流，最大的則能夠承受最高3,000A的過(guò)載電流長(cháng)達20秒(在啟動(dòng)階段)；最大阻斷電壓為1,400V和1,800V。 與采用傳統的平板可控硅的設計不同，SEMiSTART模塊中的可控硅芯片是采用壓接技術(shù)直接壓在兩個(gè)散熱器之間。通過(guò)使用優(yōu)化過(guò)的芯片冷卻技術(shù)，從而可以實(shí)現結構高度緊湊且穩健可靠的系統
- 關(guān)鍵字： Semikron 可控硅模塊 消費電子 模塊 消費電子
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