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Fairchild升壓開(kāi)關(guān)為高頻步進(jìn)DC-DC設計實(shí)現高效率
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開(kāi)關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT，有助提高手機、醫療、便攜和消費應用設計的升壓轉換電路效率。該器件結合了30V集成式N溝道PowerTrench® MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設計的效率。FDFME3N311ZT 采用飛兆半導體專(zhuān)有的PowerTrench工藝技術(shù)，通過(guò)仔細優(yōu)化動(dòng)態(tài)性能來(lái)降低開(kāi)關(guān)損耗。其肖特基二極管的反向泄漏電流隨
- 關(guān)鍵字： Fairchild 開(kāi)關(guān) FDFME3N311ZT PowerTrench
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