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ST宣布擴大新加坡"廠(chǎng)內實(shí)驗室"項目，推進(jìn)"壓電MEMS"開(kāi)發(fā)應用

●? ?新一期廠(chǎng)內實(shí)驗室合作項目包括與新加坡科技研究局屬下材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國立大學(xué) (NUS)的合作項目●? ?此為新加坡半導體行業(yè)迄今為止最大的公私研發(fā)合作項目之一●? ?專(zhuān)注于推進(jìn)壓電微電機系統（MEMS）技術(shù)產(chǎn)品在個(gè)人電子產(chǎn)品、醫療設備等領(lǐng)域的應用服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (
關(guān)鍵字：意法半導體 Lab-in-Fab 廠(chǎng)內實(shí)驗室壓電MEMS

英特爾將在愛(ài)爾蘭工廠(chǎng)大批量生產(chǎn)3nm芯片

據外媒報道，英特爾確認將于今年晚些時(shí)候在其位于愛(ài)爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產(chǎn)3nm芯片。據了解，Intel 3是該公司的第二個(gè)EUV光刻節點(diǎn)，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報告中表示，該工藝于2024年在美國俄勒岡州完成首批量產(chǎn)，2025年產(chǎn)能將全面轉至愛(ài)爾蘭萊克斯利普工廠(chǎng)。據介紹，英特爾同步向代工客戶(hù)開(kāi)放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯(lián)電合作開(kāi)發(fā)12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶(hù)端處理器Pa
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芯科科技EFR32ZG28 SoC技術(shù)解析與應用展望

在智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、智慧城市等場(chǎng)景快速發(fā)展的今天，物聯(lián)網(wǎng)設備正面臨著(zhù)三大核心挑戰：多協(xié)議兼容性、超低功耗設計以及數據安全防護。傳統單頻段芯片難以滿(mǎn)足設備在復雜環(huán)境中的通信需求，而日益增長(cháng)的網(wǎng)絡(luò )攻擊風(fēng)險則對硬件級安全提出了更高要求。Silicon Labs（芯科科技）推出的EFR32ZG28系列無(wú)線(xiàn)SoC正是為破解這些難題而生。這款芯片創(chuàng )造性地將Sub-1GHz頻段與2.4GHz BLE雙頻通信集成于單晶圓，支持從169MHz到960MHz的廣域Sub-GHz通信，以及藍牙5.2標準。這種架構不僅解決了
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物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)的革新者：EFR32MG26無(wú)線(xiàn)SoC深度解析

技術(shù)背景：物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的無(wú)線(xiàn)通信挑戰與突破在萬(wàn)物互聯(lián)的時(shí)代背景下，智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、智慧城市等場(chǎng)景對無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)提出了更高要求。設備需要同時(shí)滿(mǎn)足低功耗、多協(xié)議兼容、高安全性以及強大的邊緣計算能力，這對傳統無(wú)線(xiàn)芯片架構構成了巨大挑戰。Silicon Labs推出的EFR32MG26系列無(wú)線(xiàn)SoC（系統級芯片）正是針對這些需求應運而生的創(chuàng )新解決方案。作為專(zhuān)為物聯(lián)網(wǎng)終端設備設計的無(wú)線(xiàn)通信平臺，EFR32MG26在單芯片內集成了ARM Cortex-M33處理器、高性能射頻模塊和AI加速單元，支持Matter、
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新一代物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線(xiàn)通信模組的技術(shù)革新與應用藍圖

在萬(wàn)物互聯(lián)的時(shí)代浪潮下，物聯(lián)網(wǎng)設備正朝著(zhù)更智能、更節能、更安全的方向演進(jìn)。傳統無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)受限于功耗、協(xié)議兼容性及安全性等問(wèn)題，難以滿(mǎn)足智能家居、工業(yè)傳感、醫療健康等場(chǎng)景的嚴苛需求。Silicon Labs推出的SiWG917無(wú)線(xiàn)模組，以Wi-Fi 6與藍牙5.4雙協(xié)議融合為核心，結合Matter標準支持，重新定義了超低功耗物聯(lián)網(wǎng)設備的可能性。技術(shù)突破：重新定義無(wú)線(xiàn)通信的能效邊界SiWG917的技術(shù)革新始于其獨特的雙核架構設計。模組內部集成ARM Cortex-M4應用處理器與多線(xiàn)程網(wǎng)絡(luò )無(wú)線(xiàn)處理器（NWP
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X-FAB推出基于其110nm車(chē)規BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數據存儲解決方案

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng )新。該創(chuàng )新利用X-FAB同類(lèi)最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節點(diǎn)平臺，X-FAB可為客戶(hù)提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
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X-FAB新一代光電二極管顯著(zhù)提升傳感靈敏度

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現有為光學(xué)傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導體工藝平臺——XS018上，現推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應增強型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見(jiàn)光和紅外波長(cháng)（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進(jìn)的紫外線(xiàn)專(zhuān)用光電二極管dosuv和dosu
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Intel出售愛(ài)爾蘭工廠(chǎng)49%股份：獲110億美元緩解財務(wù)壓力

6月6日消息，據媒體報道，英特爾近期宣布，已同意以110億美元的價(jià)格將其位于愛(ài)爾蘭的Fab 34芯片工廠(chǎng)49%的股份出售給阿波羅全球管理公司。這一舉措旨在為英特爾的大規模擴張計劃引入更多外部資金，同時(shí)緩解公司的財務(wù)壓力。根據英特爾的聲明，通過(guò)此次交易，英特爾將出售Fab 34芯片工廠(chǎng)相關(guān)實(shí)體中49%的股份，而保留51%的股份，保持對工廠(chǎng)的控股權。Fab 34工廠(chǎng)是英特爾在歐洲唯一一家使用極紫外線(xiàn)（EUV）光刻技術(shù)的芯片制造工廠(chǎng)，對采用Intel 4和Intel 3制程的晶圓提供支持，迄今為止，英特爾已在該
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X-Fab增強其180納米車(chē)規級高壓CMOS代工解決方案

Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠(chǎng)X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補型金屬氧化物半導體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺現在包括全新的40 V和60 V高壓基礎器件，可提供可擴展的安全工作區（安全工作區）以提高運行穩健性。這些第二代器件在RDSon數據上也有顯著(zhù)降低，與此前版本相比降低
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聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠(chǎng)首批設備到廠(chǎng)

據聯(lián)電（UMC）官網(wǎng)消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠(chǎng)的上機典禮，首批設備到廠(chǎng)，象征公司擴產(chǎn)計劃建立新廠(chǎng)的重要里程碑。據悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進(jìn)半導體晶圓代工廠(chǎng)之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和車(chē)用電子等領(lǐng)域需求，總投資金額為50億美元。據了解，聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠(chǎng)的擴建計劃。當時(shí)消息稱(chēng)，新廠(chǎng)第一期月產(chǎn)能規劃30,000片晶圓，2024年底開(kāi)始量產(chǎn)，后又在2022年底稱(chēng)，在過(guò)程中因缺工缺料及
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X-FAB增強其180納米車(chē)規級高壓CMOS代工解決方案

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎器件的RDSon阻值降低高達50%，為某些關(guān)鍵應用提供更好的選擇——特別適合應用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數5V單柵極核心模塊，支持-40°C
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X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強CMOS傳感器性能

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺再添新成員——為滿(mǎn)足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開(kāi)放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過(guò)BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術(shù)使得每個(gè)像素點(diǎn)接收到的入射光不會(huì )再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
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芯科科技Si7210系列霍爾效應磁性傳感器

霍爾效應磁性傳感器，也稱(chēng)為霍爾傳感器，是一種基于霍爾效應原理制作而成的磁場(chǎng)傳感器?；魻栃谴烹娦囊环N，由美國物理學(xué)家Edvin Hall于1879年發(fā)現?；魻杺鞲衅骶哂泄ぷ黝l帶寬、響應快、體積小、靈敏度高、無(wú)觸點(diǎn)、便于集成化、多功能化等優(yōu)點(diǎn)，而且便于與計算機等其他設備連接?；魻杺鞲衅鞯墓ぷ髟硎?，當一個(gè)有電流的物體被放置在磁場(chǎng)中時(shí)，如果電流方向和磁場(chǎng)方向相互垂直，則在同時(shí)垂直于磁場(chǎng)和電流方向的方向上會(huì )產(chǎn)生橫向電位差，這個(gè)現象就是霍爾效應，由此產(chǎn)生的電位差稱(chēng)為霍爾電壓?；魻杺鞲衅骶褪腔谶@個(gè)原理制作的
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芯科科技：推動(dòng)Matter標準，引領(lǐng)智能家居未來(lái)

隨著(zhù)2023年的波折逐漸平息，2024年的半導體市場(chǎng)正迎來(lái)更加充滿(mǎn)不確定性的挑戰。電子產(chǎn)品世界有幸采訪(fǎng)到了芯科科技家居和生活業(yè)務(wù)高級營(yíng)銷(xiāo)總監Tom Nordman，就公司的發(fā)展狀況、市場(chǎng)波動(dòng)、技術(shù)應用及未來(lái)展望等方面進(jìn)行了深入探討。芯科科技家居和生活業(yè)務(wù)高級營(yíng)銷(xiāo)總監，Tom NordmanTom Nordman首先回顧了芯科科技在2023年的整體發(fā)展。他表示，近年來(lái)物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展，并且在未來(lái)很長(cháng)一段時(shí)間內保持向上發(fā)展的態(tài)勢。智能家居作為物聯(lián)網(wǎng)的重要應用領(lǐng)域之一，雖然因地產(chǎn)行業(yè)近期相對低迷，導致
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格科微發(fā)布系列5000萬(wàn)像素圖像傳感器

12月22日，科創(chuàng )板上市公司格科微（688728.sh）成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領(lǐng)中國芯未來(lái)”為主題的20周年慶典暨臨港工廠(chǎng)投產(chǎn)儀式，及2023年產(chǎn)品推介會(huì )暨CEO交流會(huì )。圖1 格科微20周年慶典暨臨港工廠(chǎng)投產(chǎn)儀式.JPG以讓世界看見(jiàn)中國的創(chuàng )新為使命，格科微經(jīng)過(guò)二十年的發(fā)展，成功實(shí)現了從Fabless到Fab-Lite的戰略轉型，迎來(lái)了歷史最佳的經(jīng)營(yíng)局面。值此良機，格科微高端產(chǎn)品再傳佳訊，公司推出三款全新單芯片高階產(chǎn)品，為未來(lái)加速核心技術(shù)產(chǎn)品化，邁向嶄新的發(fā)展階段奠定了基礎。整個(gè)活動(dòng)，政府領(lǐng)
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